花旗：AI推動內存需求激增 2026年或面臨「供不應求」

智通財經APP獲悉，投資機構花旗於周二表示，受人工智能(AI)領域對內存需求激增的推動，這一關鍵科技商品在2026年可能出現「供不應求」的情況。

花旗分析師在給客户的報告中指出：「我們預計，2026年動態隨機存取存儲器(DRAM)與NAND閃存都將進入供不應求狀態，其中DRAM的供需比預計為-1.8%，NAND閃存的供需比預計為-4.0%。

我們認為，隨着AI需求從‘AI訓練’階段轉向‘AI推理’及邊緣AI設備，普通服務器內存、移動設備DRAM，以及高帶寬、高密度NAND閃存(如基於QLC技術的企業級固態硬盤eSSD)的需求將顯著增長。

儘管傳統內存需求不斷上升，但內存供應商仍在優先投資高帶寬內存(HBM)，為此犧牲了傳統內存的產能投入。因此，我們預計2026年整體內存市場的供需關係將趨緊，進而對內存價格形成上漲壓力。」

基於這一判斷，花旗重申了對美光科技(MU.US)、SanDisk(SNDK.US)、三星及SK海力士的「買入」評級。

花旗進一步分析稱，2026年DRAM的供應量與需求量預計將同比分別增長17.5%和20.1%，供需增速差凸顯了該品類的失衡風險;NAND閃存方面，預計2026年供應量同比增長16.5%，而需求量同比增幅將高達21.4%，供需缺口同樣顯著。

分析師還補充道，預計2026年晶圓廠設備支出將同比增長11.1%，這一增長的核心邏輯是，內存供應商大概率會繼續將資源向高帶寬內存(HBM)傾斜，而非傳統內存。具體來看，2026年DRAM領域的資本支出(capex)預計同比增長12.2%，NAND閃存領域的資本支出預計同比增長9%。