國盛證券：重視HBM、3D DRAM、定製化存儲機遇 中國廠商有望實現彎道超車

國盛證券發佈研報稱，隨着AI算力需求爆發，HBM(高帶寬內存)已成為DRAM市場增長的核心驅動力，預計全球市場規模將從2024年的170億美元飆升至2030年的980億美元，年複合增長率達33%。‌3DDRAM技術通過垂直化架構突破傳統制程極限，有望成為長期解決方案。該行認為，目前中國大陸光刻資源受限，3DDRAM更倚重蝕刻、薄膜、鍵合等技術而非EUV，中國廠商或有望在3DDRAM時代實現彎道超車。

國盛證券主要觀點如下：

打破內存牆瓶頸，HBM已成為DRAM市場增長主要驅動力

HBM解決帶寬瓶頸、功耗過高以及容量限制等問題，已成為當下AI芯片的主流選擇。Yole預計全球HBM市場規模將從2024年的170億美元增長至2030年的980億美元，CAGR達33%。2025年SK海力士已出貨全球首批HBM4樣品，三星計劃在2025年底實現HBM4的量產，美光計劃於2026年推出HBM4。關鍵的鍵合工藝流程方面，根據Market and technology Trends，2026年HBM4(12層)和HBM4e(16層)可能開始逐步採用W2W鍵合，從2028年的HBM5(20層)開始，W2W或將成為主流。

3DDRAM：高密度DRAM架構最具潛力的長期解決方案之一

頭部DRAM廠商持續升級DRAM製程，但平面形式下進一步縮小製程已接近極限，3DDRAM應運而生。實現有限面積的高效利用，存儲單元佈局需突破傳統水平排列模式，核心路徑分為兩類：一是將單元結構垂直化以壓縮佔用空間，二是借鑑建築堆疊邏輯實現單元陣列的立體排布。4F2結構是單元垂直化的關鍵技術方案，三星正在開發的垂直通道晶體管(VCT)DRAM，以及SK海力士推進的垂直柵極(VG)DRAM，均以4F2為核心技術架構。

高深寬比蝕刻、薄膜沉積等環節有望深度受益3DDRAM趨勢。在3DDRAM的工藝流程中，圖形化步驟大幅精簡，高難度蝕刻/沉積工序顯著增加。二維NAND曾是光刻精度競賽的主戰場，其存儲單元平面微縮需求遠超DRAM與邏輯芯片。但轉向三維架構后，NAND通過堆疊層數實現密度躍升，高深寬比蝕刻等重要性凸顯。3DDRAM趨勢下，產業價值正在從光刻設備向蝕刻、沉積環節遷移。

3DDRAM亦增加W2W鍵合需求，預計bonder市場規模2030年達3000億日元。在4F2和3DDRAM中，有一項重要技術是將控制電路(周邊電路，如感應放大器、WL驅動器、解碼器等)垂直堆疊，芯片面積可以進一步縮小，就需要將繪製有DRAM單元陣列的晶圓和繪製有控制電路的晶圓分開製作，再進行W2W鍵合。TEL預計bonder市場規模將從2025年的1000億日元增加到2030年的3000億日元。

3DDRAM降低EUV依賴度，中國廠商或有望實現彎道超車

海外廠商中，三星VCTDRAM預計最快在未來兩到三年內實物產品將正式面向市場，2024年海力士展示5層堆疊結構的3DDRAM原型產品，良率達56.1%，美光3DDRAM專利頗多，技術路徑為在不放置Cell的情況下改變晶體管和電容器的形狀。國內廠商中，長鑫用橫向堆疊方式，把傳統DRAM的電容與晶體管組合轉為躺在同一層的內存單元，再逐層堆疊起來，簡化了垂直整合工藝，有望先實現量產，再逐步優化，外圍電路如控制單元依然放在獨立芯片上，通過混合鍵合整合，整體思路與早期3DNAND類似。長鑫在2D工藝還落后三星、海力士、美光等大廠兩三代，該行認為，目前中國大陸光刻資源受限，3DDRAM更倚重蝕刻、薄膜、鍵合等技術而非EUV，中國廠商或有望在3DDRAM時代實現彎道超車。

定製化存儲助力端側AI，國產廠商有望迎積極進展

從產業趨勢來看，定製化存儲逐漸成為端側AI的優選方案，其中，華邦CUBE具有高帶寬、低功耗、優化散熱、靈活可定製等特性，預期CUBE應用首批導入的終端產品會出現在一些國外穿戴類設備客户;南亞科定製化存儲目標於2025年底完成驗證、2026年開始導入量產，目標應用涵蓋AI服務器、AIPC、AI手機、AI機器人與AI汽車;兆易創新控股子公司青耘科技緊貼客户需求，從容量、帶寬、能耗等方面為客户提供更為定製化的解決方案，重塑端側存儲新形態。公司定製化存儲在AI手機、AIPC、汽車、機器人等若干領域的客户拓展進展順利。

風險提示：技術演進不及預期、宏觀經濟風險、地緣政治風險。