AI基建熱潮之下存儲需求持續強勁! 面對特朗普關税重壓 韓國出口連續三個月增長

智通財經APP獲悉，儘管美國徵收更高關税，但是受到無比強勁的半導體產品和汽車產品出貨強勁支撐，有着「全球經濟金絲雀」之稱的韓國出口數據仍然表現穩健，實現連續三個月增長。最新的韌性十足出口數據可謂凸顯半導體等高端製造領軍者們，尤其是對於韓國經濟增長至關重要的存儲芯片領域，在面對全面性的美國政府關税政策時的無比強勁出口韌性。

韓國海關統計數據顯示，8月份韓國對於海外市場的出貨規模同比增長1.3%，此前7月份則增長5.8%。按工作日調整口徑，韓國8月出口額則實現同比大幅增長5.8%，高於經濟學家普遍預期，與7月份的增速相同。進口額則顯現下降4%，使得韓國貿易余額錄得65億美元順差。

出口動能保持韌性——儘管美國關税大幅上調，韓國出口仍處於增長周期

8月出口實現強勁擴張，也意味着韓國出口規模實現連續三個月增長，為以出口為主的韓國經濟帶來很大程度提振。但在一些分析師看來，這份喘息可能轉瞬即逝，因為為應對更高關税而進行的前置出貨裝運效應預計將逐步消退，而特朗普政府所主導的潛在的半導體相關關税政策則可能削弱韓國存儲芯片出口動能。

7月下旬與華盛頓方面在最后時刻達成的初步關税協議，使韓國製造商們得以避免最糟情形;此前美國總統唐納德·特朗普曾威脅對自韓國進口的產品徵收25%的關税。

儘管如此，新設定的15%基準對等關税仍標誌着從雙邊貿易協定所長期保障的數十年零關稅制度的重大轉變。韓國央行上周警告稱，關税影響將通過貿易、金融市場和商業信心在整個韓國經濟中擴散。韓國出口貿易預計將首當其衝，隨着成本上升侵蝕韓國出口競爭力以及美國國內需求因關税壓力逐漸顯現而轉弱或大幅減少訂單，韓國對美出口不久后或將收縮。

上述數據發佈之際，韓國總統李在明與特朗普進行了首次線下面對面峰會，雙方重申致力於加強經濟聯繫，並承諾在先進製造業和芯片產業鏈領域擴大合作。

韓國央行行長李昌鏞上周在一場政策吹風會上表示，儘管美國關税大幅上調，但是受存儲芯片和汽車出口帶動，韓國出口增幅超出市場預期。他強調，這些增量使今年的韓國GDP增速預測上調約0.2個百分點，但也警告關税影響可能隨時間推移而逐漸加劇。該央行維持2026年增長預期在1.6%。

「儘管存在對特朗普政府的半導體關税政策的擔憂，但當前半導體周期的需求上行持續時間比我們此前預期的時間更長，」李昌鏞在上周四韓國央行將基準利率維持在2.5%不變后對記者們表示。「如果芯片出口持續保持強勁，這可能為經濟提供額外上行空間。」

存儲芯片——對於韓國出口乃至韓國經濟而言至關重要

在以HBM存儲系統與企業級NAND存儲主導的半導體出口規模強勁增長驅動下，韓國這一亞洲第四大經濟體的出口額增速近年以來可謂持續強勁增長，進而推動韓國GDP增速長期以來在面臨新冠疫情供應鏈衝擊、美國高通脹衝擊、特朗普關税等重壓之下持續保持增長韌性。

韓國是世界上最大規模兩家存儲芯片生產商——SK海力士與三星的所在地，其中，全球HBM霸主SK海力士已經成為英偉達最核心的HBM供應商，英偉達自2022年年末以來銷量屢創新高的H100/H200 AI GPU所搭載的正是SK海力士生產的HBM存儲系統。此外，英偉達最新款基於Blackwell架構的B200/GB200/GB300 AI GPU的HBM也將搭載SK海力士所生產的最新一代HBM存儲系統——HBM3E，英偉達下一代Rubin架構AI GPU則有望搭載SK海力士的下一代HBM存儲系統——HBM4。

韓國另一存儲巨頭三星，則是全球最大規模科技公司之一以及全球最大規模的消費電子級DRAM與NAND存儲芯片、企業級NAND存儲組件供應商，並且近期也在力爭成為AI芯片霸主英偉達旗艦AI GPU系列產品的HBM存儲系統供應商。

摩根士丹利近日在一份研報中表示，在全球大型企業與各政府部門紛紛斥巨資佈局AI的這股史無前例AI基建狂熱浪潮中，與人工智能訓練/推理系統密切相關的核心存儲芯片需求仍然無比火爆，推動包括HBM存儲系統、服務器級別DDR5與企業級SSD在內的數據中心存儲產品線營收猛增。

隨着AI智能體等突破式AI應用工具滲透至全球各行各業帶來天量級「AI推理端算力需求」，意味着AI芯片、HBM存儲系統、企業級SSD以及高性能網絡與電力設備等AI算力基礎設施建設領域需求的未來前景仍將是星辰大海，此外，端側AI熱潮也將帶來消費電子級DRAM與NAND存儲需求邁向新一輪增長曲線。企業們對於提高效率和降低運營成本的迫切需求，在近期可謂極大力度推進AI應用軟件兩大核心類別——生成式AI應用與AI智能體的廣泛應用，其中AI智能體的出現，意味着人工智能開始從信息輔助工具演變為高度智能化的生產力工具。

另一華爾街大行摩根大通預計更廣泛的DRAM與NAND定價優勢將持續到2025年剩余時間以及2026年。該機構預計，在2025年剩余時間和2026年，由於HBM需求的持續強勁和非AI DRAM的供應緊張，DRAM定價將持續走強。此外，摩根大通預計下一代HBM——HBM4的產能大幅擴張將繼續導致前沿供應緊張，並進一步限制非HBM類型的DRAM產品線以及NAND產品線的供應，從而推動價格持續上漲的壓力。