新突破！英飛凌今年第四季度將提供12英寸GaN

（轉自：第三代半導體產業）

英飛凌300mm GaN技術

從8英寸到12英寸：突破規模瓶頸

英飛凌此次12英寸GaN晶圓的開發，是在奧地利Villach功率工廠現有的大批量12英寸硅基製造基礎設施上完成的。早在2024年9月，公司已完成了首片12英寸GaN晶圓的製造，並在一條集成試驗線上實現了產線驗證。英飛凌率先開發全球首項300mm氮化鎵功率半導體技術

相較於8英寸（200mm）晶圓，12英寸（300mm）晶圓芯片生產不僅在技術上更先進，也因為晶圓直徑的擴大，每片晶圓上的芯片數量增加了2.3倍，效率也顯著提高，顯著降低單顆成本。

300mm氮化鎵（GaN）功率半導體晶圓

英飛凌科技首席執行官Jochen Hanebeck表示：「這項重大成功是英飛凌的創新實力和全球團隊努力工作的結果，進一步展現了我們在GaN和功率系統領域創新領導者的地位。這一技術突破將推動行業變革，使我們能夠充分挖掘GaN的潛力。在收購GaN Systems近一年后，我們再次展現了在快速增長的GaN市場成為領導者的決心。作為功率系統領域的領導者，英飛凌掌握了全部三種相關材料，即：硅、碳化硅和氮化鎵。」

製造難點與技術路徑：緩衝層是關鍵

GaN-on-Si工藝面臨的主要技術挑戰在於晶格失配和熱失配問題。由於GaN與硅的晶格常數差異較大，必須通過沉積厚緩衝層來緩解應力，從而保障外延層的結構完整性和晶圓的平整度。

目前行業內：

6英寸仍為主流生產尺寸；

8英寸僅有包括英諾賽科在內的少數企業實現量產；

12英寸平臺則因外延工藝複雜性與高良率難度而更具挑戰性。

不過，英飛凌此前已在硅平臺上取得超薄功率晶圓（20μm）技術突破，該成果為12英寸GaN平臺的后續拓展提供了製造工藝基礎與理論支持。

戰略願景：加速成本平價，擴大客户覆蓋

英飛凌GaN業務線負責人 Johannes Schoiswohl 表示：

「英飛凌全面擴大的300mm GaN生產規模將幫助我們更快地為客户提供更高價值的產品，同時推動實現Si和GaN同類產品的成本持平。在英飛凌宣佈突破300mm GaN晶圓技術近一年后，我們很高興看到我們的過渡進程進展順利，並且業界已經認識到英飛凌GaN技術在我們的IDM戰略優勢下所發揮的重要作用。」

根據英飛凌的路線圖，12英寸GaN產品將覆蓋100V–650V全電壓等級，面向數據中心、電動汽車、5G、工業自動化和消費電子等多個高增長領域。

英飛凌已在其位於奧地利菲拉赫（Villach）的功率半導體晶圓廠中，利用現有300mm硅生產設備的整合試產線，成功地生產出300mm GaN晶圓。英飛凌正通過現有的300mm硅和200mm GaN的成熟產能發揮其優勢，同時還將根據市場需求進一步擴大GaN產能。

此外，英飛凌正計劃逐步擴大客户羣體，並將其12英寸GaN平臺與現有的CoolGaN產品線實現互補，加快實現標準化、規模化生產。

行業影響與趨勢判斷

在當前全球功率半導體產業加速向寬禁帶材料轉型的背景下，GaN晶圓從6英寸向8英寸、再到12英寸過渡，是必然趨勢。其中，12英寸的推進不僅有助於攤薄製造成本，還將提升封裝效率、功率密度和熱管理性能，滿足AI、EV等高功率場景的需求。

不過，考慮到大尺寸GaN外延的高成本、高難度，目前能推進至12英寸量產階段的企業仍屬鳳毛麟角。英飛凌憑藉其強大的功率器件製造平臺與先進的晶圓級工藝能力，或將在未來2–3年內引領12英寸GaN晶圓標準化進程。

市場分析師預測，到2030年，GaN在功率應用領域的收入將以每年36%的速度增長，達到約25億美元。英飛凌擁有專門的生產能力和強大的產品組合，去年發佈了40多款新型GaN產品，這使其成為尋求高質量GaN解決方案客户的首選合作伙伴。

英飛凌此次宣佈12英寸GaN平臺進入樣品準備階段，是繼其CoolGaN產品成功商業化后的又一關鍵里程碑。這一進展不僅代表其製造平臺的橫向擴展能力，也意味着GaN器件在高功率、高效率市場的滲透將進一步提速。

隨着英飛凌、納微半導體（Navitas）、英諾賽科、意法半導體等企業相繼佈局8英寸及以上GaN平臺，下一階段GaN技術的競爭焦點將轉向「良率、成本與規模」的綜合比拼。

來源：英飛凌官網、半導體要聞、半導體信息等，僅供參考！