英飛凌：12英寸GaN晶圓量產在即

（轉自：半導體前沿）

7月3日，英飛凌宣佈其在 300mm晶圓上的可擴展GaN生產已步入正軌。隨着首批樣品將於2025年第四季度向客户提供。

作為功率系統領域的領導者，英飛凌已經掌握全部三種材料的相關技術：硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）。憑藉更高的功率密度、更快的開關速度和更低的功率損耗，氮化鎵半導體可實現更緊湊的設計，從而減少智能手機充電器、工業和人形機器人，以及太陽能逆變器等電子設備的能耗和熱量產生。

英飛凌科技氮化鎵業務線負責人Johannes Schoiswohl表示：「英飛凌全面擴大的300mm GaN生產規模將幫助我們更快地為客户提供更高價值的產品，同時推動實現Si和GaN同類產品的成本持平。在英飛凌宣佈突破300mm GaN晶圓技術近一年后，我們很高興看到我們的過渡進程進展順利，並且業界已經認識到英飛凌GaN技術在我們的IDM戰略優勢下所發揮的重要作用。」

憑藉其技術領先優勢，英飛凌已成為首家在現有大批量生產基礎設施內成功開發出300mm GaN功率晶圓技術的半導體制造商。與現有的200mm晶圓相比,300mm晶圓上的芯片生產在技術上更加先進，效率也顯著提高，因為更大的晶圓直徑可使芯片生產效率提高2.3 倍。這些增強的能力，加上英飛凌強大的GaN專家團隊，以及業界最廣泛的知識產權組合，恰好可以滿足基於GaN的功率半導體在工業、汽車、消費、計算和通信等領域快速普及，包括AI系統電源、太陽能逆變器、充電器和適配器以及電機控制系統等。

來源：官方媒體/網絡新聞

來源：《中國半導體大硅片年度報告2024》

2016年至2023年間，全球半導體硅片（不含SOI）銷售額從72.09億美元上升至121.29億美元，年均複合增長率達7.72%。2016年至2023年間，中國大陸半導體硅片銷售額從5億美元上升至17.32億美元，年均複合增長率高達19.43%，高於同期全球半導體硅片的年均複合增長率。隨着半導體庫存去化和下游需求恢復，2024年全球硅晶圓出貨量將同比增長5%。亞化諮詢預測，預計2029年全球半導體硅片市場規模將達到160.2億美元，未來幾年年複合增長率CAGR為4.0%。

半導體行業整體上呈周期性波動和螺旋式上升的趨勢，半導體硅片行業的市場波動基本同步於整個半導體行業的波動周期。從2023年至2025年，全球半導體行業預計將有82個新的晶圓廠投入運營，其中包括2024年的44個項目和2025年的25個項目。儘管目前國際主要半導體硅片企業均已啟動擴產計劃，但其預計產能長期來看仍無法完全滿足全球範圍內芯片製造企業對半導體硅片的增量需求，疊加中長期供應安全保障考慮，國內半導體硅片行業仍將處於快速發展階段。

亞化諮詢現已推出《中國半導體大硅片年度報告2024》（5月版），共112頁，內容包括市場供需分析及預測、企業分析及預測、項目整理、項目設備情況、進出口情況、全球行業格局分析等多個內容。

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