韩国狂砸5180亿美元押注AI芯片，海力士赴美上市或再升30%？美银、小摩齐高呼：本轮存储超级周期将“更高、更长”！

华盛资讯6月30日消息，近期存储概念行情迎来多重利好！首先是上周四，美光科技交出了一份“王炸”级别的财报！第三财季EPS增超12倍，超市场预期高22%；毛利率84.9%，为一年前两倍多，两项财务指标均再创单季新高。

亮眼的业绩直接击碎了市场空头情绪，美光当日大涨近16%。此次业绩实打实验证了AI核心基础设施需求的强劲变现能力，成为本轮存储超级周期最强有力的基本面背书。

更值得关注的是，就在美光业绩公布后不到一周，韩国也甩出了“国家级王炸”：6月29日，韩国政府联手三星、SK海力士，宣布将投入800万亿韩元（约合3.52万亿元人民币、5180亿美元），在西南光州、全罗区域新建四座存储晶圆厂，打造全国第二大半导体产业集群；与此同时，SK海力士已正式向美国SEC提交上市申请，计划7月10日登陆纳斯达克，募资规模或达294亿美元！

美光炸裂业绩、韩国巨型扩产、海力士冲击纳斯达克，这种种迹象似乎都在表明，存储强劲周期远未到终局。那么这一轮行情可持续性如何？哪些标的值得重点关注？發仔带您一次性梳理：

韩国公布史上最大规模产业投资计划！800万亿韩元押注芯片，DRAM产能要在五年内翻倍

6月29日，韩国产业通商资源部长金正官宣布，韩国将投入800万亿韩元，在西南光州、全罗区域建设四座存储芯片晶圆厂，三星电子、SK海力士各规划两座，目标是在五年内将DRAM生产能力翻倍。这将是史上最大规模产业投资计划！同时双方将共同投入81万亿韩元，在忠清道布局先进封装基地，专门承接AI高带宽存储（HBM）的扩产配套需求。更关键的是，原本要拖到2040年代中后期才能竣工的新晶圆厂，建设周期被直接提前了最长12年，调整到2030年代中期完成。

三星与SK海力士也同步公布了自家的投资蓝图：三星计划在未来十年投资超过2655万亿韩元，重点押注半导体、AI数据中心、电池与显示屏；SK集团会长崔泰源则透露，集团到2035年要建成15GW的AI数据中心容量，总投资规模将达1000万亿韩元。

在研发层面，金正官表示，韩国政府将在15年内投入30万亿韩元，覆盖研发、设计、验证及制造等全产业链环节，以抢占下一代半导体竞争先机。韩国产业通商资源部预计，全球内存市场将在五年内增长四倍。

还有30%上涨空间？SK海力士将于7月10日赴美挂牌，对标美光估值

与此同时，SK海力士赴美发行ADR也为这轮存储行情打开了新的资金叙事。公司已向美国SEC递交上市申请，计划于7月10日登陆纳斯达克，拟定发行价166美元，募资规模约294亿美元。若顺利挂牌，全球投资者未来将多出一条直接配置HBM龙头的渠道，美股更高的流动性、机构覆盖度及被动资金配置需求，也可能推动市场重新审视SK海力士的估值体系。

耐人寻味的是，市场已经开始将海力士与芯片巨头台积电进行对比，后者于1997年在美上市ADR。目前，在首尔上市的SK海力士远期市盈率为7.5倍，三星为6.7倍；相比之下，在美股上市的台积电市盈率高达21倍，美光也达到9.5倍。显然，受限于韩国资本市场，这些半导体巨头存在明显的“估值折价”。海力士的美国首秀将为其打开全新的投资者资金池，并有望帮助其缩小与竞争对手之间的估值差距。

多家资管机构已给出明确测算：如果SK海力士2027年的预期市盈率追平美光，其在首尔上市的股票未来一年存在约30%的上涨空间。更有机构给出大胆预测，“如果美光维持当前估值水平，我认为SK海力士具备显著的重估空间。”他预计，韩国本土股票上涨约30%，而ADR潜在涨幅可达约45%。”

国产存储迎多重利好！兆易创新获纳入DRAM ETF，苹果或从长鑫存储购买内存芯片

• 200亿美元存储ETF官宣建仓兆易创新！

6月27日，据公开信息，Roundhill Memory ETF( $DRAM )已将A股兆易创新纳入持仓，权重为2.91%，为第八大重仓股。值得关注的是，DRAM上市仅用54天资产规模便突破200亿美元，创下史上增长最快的新发ETF纪录。这只ETF最大的特点在于其存储“纯度”：三星电子、SK海力士、美光科技三大存储巨头合计占据75%的份额，其余仓位基本覆盖全球存储产业链上的核心公司。兆易创新获纳入该ETF，意味着中国存储产业链企业正在被全球被动型资金认可。

• 苹果寻求获准从长鑫存储购买内存芯片、腾讯被曝与长鑫存储签下超200亿长协大单

国产存储的另一重催化，则来自潜在国际大客户订单。据外媒报道，苹果正在游说美国政府，希望获得官方许可，向中国最大DRAM厂商长鑫存储采购内存芯片。花旗称，苹果对于长鑫存储的认可将后者从一个“国产替代的故事”转变为一个“具备公信力的全球第四大DRAM制造商”。该行认为，获得采购长鑫存储内存的批准可能会面临挑战，但苹果的考量本身就已经对长鑫存储的技术进步提供了强有力的背书。预计该消息将长鑫存储及其供应链将带来利好。

此外，据路透社报道，长鑫存储已与腾讯控股签署一份长期供货协议，金额超人民币200亿元（约合29.4亿美元）。协议主要涵盖未来数年的服务器DRAM内存芯片供应，最长期限据消息人士称在三年至五年之间。

整体来看，兆易创新获纳入DRAM，代表国产存储产业链正开始进入全球资金视野；而苹果、腾讯等大客户相关消息，则进一步强化了长鑫存储的技术背书与订单想象空间。若后续采购许可、长协订单及产能扩张持续推进，国产存储或将从“国产替代”叙事，逐步走向全球存储供需格局中的重要变量。

美银、小摩齐高呼：本轮存储超级周期将“更高、更长”！DRAM市场势将突破1.2万亿美元

展望后市，诸多机构给出了自己的强劲展望，认为在这一轮存储周期远未见顶，具体而言：

• 美银：美光业绩验证存储超级周期，全球市场2027年或突破1.2万亿美元！

美银证券在最新研报中指出，美光科技第三财季财报和指引强劲，为持续升温的存储芯片行情提供了迄今最强的一次验证。该行认为，全球存储行业正在进入一轮可能延续至2027年、甚至更久的超级周期。与以往由PC、手机补库存主导的短周期不同，本轮景气的核心，是AI服务器对高带宽内存（HBM）、先进DRAM和企业级SSD的需求激增，同时供给端扩张却受到资本、工艺、厂房和基础设施等多重限制。

美银预计，全球DRAM和NAND市场规模将在2026年达到8768亿美元，2027年突破1.2万亿美元。增长建立在价格大幅上升、AI服务器存储需求扩张、HBM持续放量以及供给受限的基础之上。

• 美银、高盛齐解读：韩国800万亿韩元砸存储，影响有多大？

美银证券以及高盛，相继就韩国大规模存储器投资计划发布研究报告。两家机构的核心判断高度一致，韩国政府及三星电子的巨额投资承诺，彰显出政府对长期存储供给扩张的强力背书。但受制于基础设施建设周期与晶圆厂投产节奏，对全球存储器供给的实质性影响最早需要8至10年才能显现，投资者不应对近期供给冲击抱有过高预期。

总体而言，8至10年的建设投产周期决定了此次投资不会在近期改变存储市场供需格局，此次韩国存储投资计划的战略意义显著大于短期业绩催化意义，这是一场面向2030年代的长跑。

• 从“周期大宗商品”到“战略核心资产”，摩根大通：本轮存储超级周期将“更高、更长”

摩根大通在最新研究报告中大幅上调全球存储市场规模预测，并维持对该板块的多年期看多立场，认为存储芯片正从传统的周期性大宗商品向AI基础设施的战略核心资产转型。该机构将2026至2028年全球存储市场总规模（TAM）预测较3月模型上调37%至53%，预计2028年TAM将达1.7万亿美元。其中DRAM市场收入预计从2025年的1430亿美元跃升至2026年的6360亿美元，再于2028年达到1.237万亿美元；NAND市场收入同期预计从710亿美元增至4545亿美元。

存储或再迎超级周期！产业链相关标的速览

结合本轮行情的驱动逻辑，發仔将存储产业链拆成六层，方便大家理解不同环节的受益深度与风险差异：

各位發友，你们觉得存储超级周期，是否还能延续？

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