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2025-08-30 17:53
8 月 30消息,《日经亚洲》昨日(8 月 27 日)发布博文,报道称台积电 2nm 芯片技术外泄事件涉案 3 人被检方起诉,分别被要求判处 14 年、9 年和 7 年徒刑,目前相关案件正在审理过程中。
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消息称涉案的主要嫌疑人陈(Chen,音译)姓男子曾任台积电工程师,熟悉公司严格的保密制度与供应商保密协议。离职后,他加入日本半导体设备龙头 TEL 公司,并利用旧同事关系,多次索取 2 纳米蚀刻站相关机密文件和数据,将其拍摄、复制,用于帮助 TEL 公司改进设备性能。
援引博文介绍,检方透露,被陈联络的台积电员工中,包括吴某(Wu,音译)、葛某(Ge,音译)、廖(Liao,音译)某等人,他们在工作中有权限接触这些“核心关键技术”。检方指控,涉案文件共 12 页,涉及高度敏感的集成电路制造工艺。
检方目前要求判处主要嫌疑人陈某 14 年徒刑,判处吴某 9 年徒刑,判处葛某 7 年徒刑,但并未起诉另一涉案人廖某。台积电已将案件移送检方,并重申零容忍立场,将依法追究到底。
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