台积电、三星迈入2nm争夺

（来源：广东省半导体行业协会）

半导体行业正迈入2纳米（nm）工艺制程的全新纪元。台积电、三星两大芯片代工巨头的的竞争亦将更加激烈。

近期，据外媒报道称，台积电已将其2nm工艺的生产价格定为3万美元，并制定了无“折扣”供货的政策。

作为行业领导者，台积电（TSMC）的2nm工艺（N2）已进入量产前的最后冲刺阶段，其每片晶圆高达3万美元的报价和约60%的初始良率，引发了市场的高度关注。而对于SRAM来说，良率据说可以达到90%以上，这一水平对于量产来说没有任何困难。

台积电初始产能为每月3万至3.5万片晶圆，并计划在2026年在四个工厂建立每月可生产6万片晶圆的系统。

台积电的N2工艺是其首个采用 全环绕栅极（Gate-All-Around, GAA）纳米片晶体管（Nanosheet Transistor） 架构的制程节点 。这一从FinFET到GAA的结构性转变，旨在解决7nm以来日益严重的电流泄漏问题，从而实现更佳的性能与能效。

与前代N3E工艺相比，N2工艺在同等功耗下，性能可提升10%至15%；或在同等速度下，功耗可降低25%至30% 。

在密度方面，N2工艺的整体晶体管密度相较于N3E提升了约15% 。更具指标性意义的是，根据第三方机构TechInsights的分析，台积电N2工艺的高密度（HD）标准单元晶体管密度达到了惊人的 每平方毫米3.13亿个（313 MTr/mm²）。这一数据显著领先于竞争对手，是其技术实力的重要体现。

台积电为N2工艺设定的成熟良率目标为75%至80% 。预计在2026年进入大规模生产后，良率将持续优化并逼近这一目标。

在市场策略方面，台积电主要针对高端AI和高性能计算（HPC）市场，其最先进的2纳米制程晶圆价格定为每片3万美元，并对所有客户实施统一高价政策，较当前的3纳米工艺售价高出约50%至66%。

在台积电稳步推进的同时，三星作为全球唯一能在最先进制程上与之抗衡的对手，正倾尽全力推进其2nm GAA工艺，意图实现“弯道超车”。

在2nm这一芯片工艺节点上，台积电将以更高的良率再占市场先机，但三星则以更低的价格获取客户。目前台积电借助技术和产能优势，推动高端市场“高价联盟”战略，目标客户锁定苹果、英伟达、AMD 等 AI 和高性能计算领域的行业龙头。而三星最近也拿下165亿美元特斯拉AI芯片大单。

不过，三星2nm节点仍然是一个大问题。据韩国媒体报道，三星2nm工艺的试产良率接近40%，仍未达到大规模量产要求。

对三星而言，2nm节点是一场不容有失的战役。如果不能在未来1-2年内迅速解决良率问题，并拿出有足够竞争力的产品，其与台积电在技术上的差距将被进一步拉大，可能导致其在高端晶圆代工市场被彻底边缘化。

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