台积电2纳米制程技术细节亮相IEEE会议，性能提升功耗降低

N2制程晶圆的价格预计将比3纳米制程高出逾10%。

全球晶圆代工领导厂商台积电（TSM.US）近日在旧金山IEEE国际电子器件会议上详细介绍了其先进的2纳米（N2）制程技术。据公布的数据显示，N2制程在性能上较前代技术有15%的提升，同时功耗降低了30%，显示出显著的能效改进。

这一突破得益于台积电采用的环绕式栅极（GAA）纳米片晶体管和N2 NanoFlex技术，使得晶体管密度提高了1.15倍，N2 NanoFlex技术允许在更小的面积内集成更多逻辑单元，从而优化了制程性能。据悉，N2制程晶圆的价格预计将比3纳米制程高出逾10%，但其在性能和功耗上的优势预计将吸引高端芯片制造商的青睐。