热股视点丨美光强势打入UFS2.1 市场，打破三星巨头垄断

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近日，美光科技（MU）宣布推出三种全新 64 第二代 3D NAND 存储产品，均支持高速通用闪存存储 (UFS) 2.1 标准，且提供 256GB、128GB 和 64GB 三种容量选择。新产品基于美光第二代64层3D TLC NAND技术，与前代TLC 3D NAND相比产品性能提升50%，单Die面积59.341mm2，32GB，号称业内最小，而且在同样芯片面积下存储密度翻倍。

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此外，新品还基于人工智能技术进行了APP打开、运行有关的性能优化。新闪存将于今春发货，2018年下半年开始出现在智能机中。据了解，UFS2.1能稳定供货的只有三星和东芝，价格一直较高。公司昨日股价大涨5.95%，收于52.36美元。

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投资逻辑

智能手机新需求

智能手机的快速更迭使芯片存储需求有量与质的持续提升，一方面因用户摄影及多媒体等需求增加导致存储数据量大幅提升，旗舰机存储由早期标配32G已上涨至当前最高256G，预计到2021年容量将增长到 1TB。

另一方面，为提供更好用户体验，智能手机技术持续更新，当前已出现人工智能、虚拟现实、面部识别等新一代移动功能，存储解决方案对应需满足更高性能和低延迟。分析机构 Gartner 预测，到 2022 年，80%的智能手机将具有AI功能，本地处理和存储更多数据的需求将会明显增长。

技术突破，打破三星等大厂垄断

科技行业技术突破乃至领先是看好一家公司的重要原因。美光此次推的芯片基于业界领先的三级单元 (TLC) 3D NAND 技术，64层堆叠，比上一代TLC 3D NAND快50%，封装尺不变的情况下存储密度高一倍。此外，值得一提的是符合业内领先的UFS2.1标准，支持双通道双向读写，可提供的传输速度是eMMC5.1的两倍，满足捕获高分辨率照片或录制4K视频存储时所需的数据访问速度需求，也可以在人工智能(AI)、虚拟现实、面部识别等方面提高用户体验，有望成为旗舰智能机的标配，需求空间较大。

市场供应方面，UFS2.1内存有三星、东芝、海力士等几家生产厂商，而只有三星及东芝等大厂能稳定供应，因此内存价格维持高位，未来美光加入一方面可提升自身NAND收入，并收获一定市场份额，另一方面满足UFS2.1内存的增长需求，对三星等企业形成价格冲击的同时不断拓展市场份额。

行业转暖，NAND展望领先市场

公司主要提供高性能存储记忆芯片，例如DRAM、NAND、闪存及3D XPoint记忆芯片等,其中DRAM和NAND是公司两大营收来源，且NAND内存占总营收比例不断上调，根据公司Q1业绩展望，18年行业DRAM内存供应增速约为20%，而行业NAND供应增速接近50%，增速可观。对比公司业绩预期，公司DRAM业务增长略低于行业增速，而NAND业务增长将稍高于行业增速，展望相当乐观。

其他进展

美光年初表示今年将会推QLC固态硬盘，定位企业市场，主要应用在云负载、读取密集型工作上，可针对超大规模计算进行优化。此外，消费级QLC固态硬盘正在筹备中，面世时间并不远，业内各大厂商也在紧密开发中，有望18年下半年陆续推出，可以聚集18年年底将迎来爆发期。

核心技术

公司的3D XPoint技术，其速度和耐用性都是目前NAND闪存的1000倍，储存密度则是DRAM的10倍，且寿命更长。

热股视点

18年美光将持续受益于行业的旺盛需求，尤其是NAND行业的高速增长，公司近期推出的UFS2.1标准3D NAND内存技术领先，凸显自身技术实力，且产品未来随着智能机功能及需求提升有广阔应用市场，并将从三星等垄断巨头手中获取一定市场份额，对未来贡献持续强劲业绩提供支持。