美光一周重挫22%，存儲芯片抄底窗口打開? 美銀押注超級周期延續至2028年

智通財經APP獲悉，在全球AI算力主題股票標的，尤其是存儲芯片相關熱門半導體股票經歷近期大幅回撤之后，華爾街金融巨頭美國銀行、野村以及知名市場調研平臺TrendForce等頂級研究機構為逢低配置提供了新的基本面增長依據：存儲芯片行業收入與盈利的高位，可能比股價目前反映的更為持久。

截至11月6日的一周，美光累計下跌約22%，隨后反彈又遭遇超預期通脹與加息預期衝擊，存儲股的估值調整與產業景氣之間形成鮮明反差。美銀最新判斷為逢低配置提供了基本面依據：即使採用低於TrendForce的漲價假設，並考慮部分產品在2027年出現價格回調，全球存儲行業收入仍有望在2027年、2028年分別達到1.47萬億和1.58萬億美元，持續推動創紀錄級收入與盈利延續。

支撐美國銀行等頂級華爾街投資機構們的看漲預判的，可謂是RSI主導的AI訓練範式、圍繞高效率AI推理進程的AI智能體應用持續擴大HBM、服務器內存與企業級SSD需求，而先進製程、產能轉換和良率爬坡限制供給釋放，長期供貨協議進一步提高銷售可見度。這輪AI算力以及半導體股票大幅回撤所帶來的潛在「逢低買入式投資價值」，關鍵取決於市場對「盈利見頂」的悲觀折價是否遠遠超過實際供需惡化程度：若存儲龍頭能夠持續兑現現金流與股東回報，急跌后的低估值就有望成為重新佈局存儲超級周期的新起點。

美國銀行預計，全球存儲行業收入將從2026年的9700億美元增至2027年的1.47萬億美元、2028年的1.58萬億美元，后兩年分別增長約51.5%和7.5%。即便採用明顯低於TrendForce的漲價假設，美銀分析師們仍判斷存儲行業有望將紀錄級收入與盈利延續至2028年。

與此同時，美光、閃迪經歷上周重挫和周一反彈后，周二再次受到通脹與加息預期衝擊，但是值得注意的是，這次回落的程度明顯温和——VIX恐慌指數甚至還從19.92降至19.46，很大程度上説明市場在重新評估美聯儲利率路徑壓力，尚未重演上周四的恐慌式拋售。這些跡象可謂凸顯出，市場似乎正在重新衡量：供應緊缺創造的盈利，能否持續抵消利率上升與AI資本開支預期調整帶來的估值壓力。

美銀堅定預計存儲超級周期將延續至2028年

美國銀行策略師團隊在最新這份看漲存儲芯片主題公司的研究報告中，援引集邦諮詢(TrendForce)資深分析師Avril Wu的觀點表示，存儲芯片行業當前的上行周期可能持續至2027年，並在2028年避免進入下行周期。

Wu在11月10日由美銀舉辦的網絡研討會上表示，存儲芯片價格可能繼續上漲，預計2026年第四季度DRAM和高帶寬內存價格將較上一季度上漲10%至20%，NAND閃存價格將上漲8%至13%。

她還預計，2027年HBM價格將上漲至原來的兩倍以上，而長期供應協議可能有助於降低2028年之后的價格波動。

美銀總體認同這一樂觀的行業前景，但採用了更為保守的價格假設。該行預計，第四季度DRAM價格將環比上漲8%，NAND價格將上漲3%，價格回調可能在2027年較早時候開始。

該行策略師團隊還預計，2027年HBM價格漲幅將低於50%，與TrendForce預計價格上漲至兩倍以上的判斷形成對比。

美銀策略師們還表示，其最新預測數據顯示，全球存儲行業收入將在2026年達到9700億美元，2027年達到1.47萬億美元，2028年達到1.58萬億美元，這表明該行業有望將創紀錄的收入與盈利水平維持至2028年。

隨着Meta Muse與OpenAI的GPT-6 Astra全面引爆AI智能體大浪潮，「AI FOMO交易」(指投資者擔心錯過AI相關資產的上漲機會，因而追買或回補此前降低的倉位)有望持續上演。從AI算力基礎設施底層架構看，Muse與Astra有望進一步擴大AI智能體使用範圍，它們帶來的天量級別AI推理工作負載大舉擴張會同時增加模型推理、工具執行和狀態管理需求，同時加深了部分軟件公司的競爭壓力。

從技術機制看，AI智能體把一次回答擴展為反覆推理、檢索、工具執行和狀態保存。GPU、TPU承擔模型計算，CPU負責工具與任務編排，HBM容納高帶寬訪問的數據，服務器DRAM承接運行環境，SSD與HDD分別服務高性能訪問和大容量留存。與此同時，網絡基礎設施、數據中心高速光互連、供電和冷卻決定昂貴加速器的實際利用率。因此，雲收入加速能夠同時支持多個硬件環節;具體公司獲得多少利潤，仍取決於性能優勢、供應瓶頸和議價能力。

對於AI交易與科技股拋售行情風暴眼——即近期遭遇重創的存儲芯片板塊，市場基本面方面的樂觀情緒可謂依然濃厚。除了美國銀行投來樂觀盈利與存儲漲價趨勢研報，KeyBanc近期的亞洲調研數據顯示，AI數據中心仍在大範圍吸收存儲等AI算力資源供應，推動漲價延續至2027年。

KeyBanc在經歷調研亞洲市場之后預測2027年一季度HBM混合價格有望大幅提高80%—100%，DRAM內存價格層面，KeyBanc預測2026年四季度在第三季度強勁漲價基數之下環比上漲15%—20%，2027年一季度再漲10%—15%;NAND未來定價方面，預測2026年四季度在第三季度強勁基數之下環比上漲約20%，2027年一季度再漲10%—15%。

存儲反彈再遇加息衝擊：股價先交易通脹與美聯儲持續加息風險，但是盈利與訂單仍在加速兑現

美東11月5日，納斯達克100指數重挫6.36%，創2020年3月以來最大單日跌幅，成分股合計蒸發約2.3萬億美元，創單日市值損失紀錄;費城半導體指數暴跌12.25%。民主黨贏得國會兩院控制權后，投資者擔憂AI監管、數據中心審批和用電成本分擔要求趨嚴，可能推迟算力項目投產與芯片採購。這些政策擔憂與原有的高估值、擁擠持倉疊加，放大了市場對AI投資回報兑現時間的重新定價。

存儲板塊可謂承受了更深程度的大幅回撤。按10月30日至11月6日收盤價計算，美光、閃迪分別下跌22.01%和27.44%，三星電子、SK海力士分別下跌約16.13%和20.17%，均弱於同期納斯達克100與費半約4.91%、12.15%的跌幅。

11月9日，全球科技股普遍反彈，納斯達克100、費半分別上漲3.40%和6.85%，美光、閃迪分別上漲6.25%和6.16%。資金重新買入存儲龍頭，但這輪上漲尚未彌補此前損失，也説明部分華爾街分析師拋出的「現金流避風港」觀點是對經營與估值的判斷，不能直接等同於短期股價抗跌。

周二的通脹數據再次提高反彈門檻。美國10月整體、核心CPI分別環比上漲0.4%和0.3%，均高於0.3%、0.2%的市場預期，核心CPI連續第三個月上漲0.3%。沃勒在數據公佈前表示，若核心CPI達到0.3%或更高，應考慮12月加息50個基點。數據公佈后，市場對這一較大幅度加息的定價升至約11.8%，但25個基點仍是主流預期;截至2027年中累計加息的押注，則從兩次25個基點增加至三次，包含今年12月。德意志銀行也在原有12月、明年3月加息預測之間，新增了明年1月加息預期。

美聯儲加息預期延伸的邏輯，在於就業與經濟增長仍有韌性，而服務價格、能源成本傳導及AI建設需求共同維持通脹壓力。對存儲芯片股票而言，更高利率既提高未來利潤的折現率，也可能抬升客户融資成本、延長數據中心建設周期。周二納斯達克100、費半分別回落約0.60%和0.35%，美光、閃迪分別下跌約1.1%和3.0%：這也在一定程度上顯示出市場繼續承受利率重估，卻沒有重演上周四的跌幅。

存儲超級周期能否穿越估值寒潮? 關鍵在於高利潤數字能保留多久

美銀與TrendForce、Keybanc等機構們的共同判斷是存儲景氣仍有支撐，分歧集中在漲價幅度與回調時間。TrendForce預計第四季度DRAM及HBM價格環比上漲10%—20%、NAND上漲8%—13%，美銀對DRAM、NAND的預測分別只有8%、3%;對於2027年HBM，前者預計價格翻倍以上，后者預計漲幅低於50%。

較保守的價格路徑仍能支持收入與盈利維持高位，意味着美銀策略師們的樂觀看漲判斷還依賴出貨大幅增長、產品升級及訂單持續性。這也是美銀拋出的「存儲超級周期延續至2028年」觀點最具投資意義的部分。

技術層面的支撐來自AI系統對不同存儲層級的同步需求：HBM為GPU與ASIC提供高帶寬數據供給，服務器DDR5支撐主存需求，企業級SSD承擔數據留存、檢索與緩存。與此同時，HBM與傳統DRAM競爭有限的先進製程及晶圓資源，新產品良率和封裝產出爬坡需要時間。值得注意的是，TrendForce此前給出的2027年HBM混合平均售價上漲121%的預測，還包含價格更高的HBM4佔比提升及HBM4e導入，不能理解為所有同規格產品價格普遍翻倍。

長期協議正在提高需求的可見度。SK海力士最新披露，已與14家主要客户簽訂長期協議，期限通常為五年，已落實的合同量覆蓋其2027—2028年超過一半的產能。合同價格在約定區間內隨市場調整，因此長協主要增強產能利用率、銷售和盈利的可預見性，而不是將未來利潤完全鎖死。對於資本密集型存儲芯片企業，這種變化有助於減少擴產與客户採購節奏錯配。

美銀分析師Vivek Arya團隊此前不久則從股價周期解釋當前機會：截至11月5日，費半較6月高點下跌約38%，已超過過去四輪主要下行周期約32%的平均回撤;但136天的調整時間僅約為歷史平均253天的54%。美銀分析師Vivek Arya團隊將2027年初視為拋售可能結束的窗口，依據是股價通常領先實際銷售下行6—9個月。遠期市盈率降至13.7倍、較標普500折價約22%，顯示悲觀預期已大量進入價格;不過，美銀同時測算，若2027年AI資本開支較預期低20%，相關芯片企業每股收益可能面臨35%—40%的下修壓力。

野村CW Chung團隊更看重現金流分配：雲廠商承擔前期建設投入，存儲供應商則通過緊缺產品與漲價積累現金。按其報告採用的股價和盈利預測，三星、SK海力士2027年預期市盈率分別約為3.2倍、2.8倍;供給緊張延續至2028年、長協增加及股東回報擴張，是其認為市場過度折價的依據。花旗分析師Atif Malik也在10月29日重申美光「買入」評級及1300美元目標價，認為投資者低估了2027—2028年DRAM與HBM供應持續緊張的程度，客户長協則增強了收入可見度。

摩根士丹利分析師Shawn Kim的最新調整揭示了另一層分歧：11月9日報告上調三星及SK海力士2027年營業利潤預測，卻分別下調目標價19%和38%，同時維持「增持」。其擔憂在於，2027年底新增產能釋放若與數據中心交付延期相遇，將壓低更長期的利潤率。這説明機構爭論已從眼下能否賺到錢，延伸到高利潤能夠維持多少年。

整體而言，綜合供需、長協與估值變化，這輪存儲芯片股價與估值大幅回撤已使具備HBM強勁競爭力、服務器級別高性能DRAM/NAND存儲產品組合和現金積累能力的龍頭，出現更有基本面依據的逢低配置窗口。投資價值則很大程度上取決於——經過更保守的價格和利潤率假設后，企業仍能留下多少自由現金流。如果需求兑現、產品升級和股東回報持續驗證盈利韌性，當前對「盈利見頂」的折價就可能成為下一輪重估的來源。

以11月10日各自市場收盤價為基準計算，近期可覈實的機構目標價仍給予存儲龍頭較大上漲空間。美國存儲芯片巨頭美光(MU.US)股價收報724.77美元，美銀11月9日繼續維持「買入」評級，1550美元目標價，則對應潛在上漲約113.9%;花旗10月29日維持「買入」、1300美元目標價，對應約79.4%上漲空間。

上述的兩家機構均強調2027—2028年DRAM與HBM供應約束，以及長期供貨協議對銷售和盈利可見度的支持。閃迪(SNDK.US)方面，摩根士丹利10月30日維持「增持」評級及1750美元目標價，較11月10日859.91美元收盤價隱含約103.5%的上漲空間，看好數據中心需求增長改善其業務結構，同時採用跨周期盈利衡量估值。

韓國存儲雙雄的最新評級，則體現出「繼續看好近年盈利、重新評估長期利潤率」的機構立場。摩根士丹利在11月9日報告中，將三星電子普通股目標價由38.1萬韓元下調至30.9萬韓元，將SK海力士目標價由260萬韓元下調至160萬韓元，兩者均維持「增持」;按11月10日分別為19.89萬韓元和121.2萬韓元的收盤價計算，潛在上漲空間分別為55.4%和32.0%。該行同時上調兩家公司2027年營業利潤預測，目標價下調主要源於對2028年前后新增供給、數據中心交付節奏及長期利潤率的重新評估。