英偉達尋求破解存儲瓶頸 臺積電據悉考慮佈局3D DRAM

財聯社11月7日訊（編輯 牛佔林）AI算力需求持續爆發，存儲芯片供應緊張正成為制約人工智能基礎設施擴張的重要瓶頸，全球最大芯片代工廠臺積電也開始考慮向存儲製造領域延伸。

據媒體周五報道，臺積電近期開始制定先進存儲芯片生產計劃，考慮製造一種名為3D DRAM的新型存儲芯片。這一計劃據稱是應其最大客户英偉達的要求而啟動的，旨在擴大臺積電在AI硬件供應鏈中的業務份額。

知情人士稱，臺積電正在評估新建工廠或收購現有半導體工廠並改造為存儲芯片生產設施兩種方案，目前尚未明確量產時間。該項目由負責臺積電先進封裝業務的副總裁徐國晉牽頭。

長期以來，臺積電主要為英偉達、蘋果等客户代工邏輯芯片，並通過CoWoS等先進封裝技術，將GPU等AI芯片與高帶寬存儲器(HBM)集成在同一封裝中，以提升數據傳輸效率。存儲芯片製造則主要由三星電子、SK海力士和美光科技主導。

此次臺積電考慮佈局的3D DRAM，通過垂直堆疊存儲單元提高存儲密度，有望成為下一代DRAM技術的發展方向。

如果計劃落地，臺積電將從芯片代工和先進封裝進一步延伸至存儲製造，直接參與AI硬件供應鏈中日益重要的存儲環節。

AI需求激增加劇存儲供應緊張

臺積電考慮跨界佈局的背后，是AI產業擴張帶來的存儲芯片供需失衡。隨着英偉達等廠商不斷推出更強大的AI加速器，數據中心對HBM和服務器DRAM的需求快速增長。由於HBM生產需要佔用大量先進DRAM產能，存儲廠商紛紛將資源向高附加值產品傾斜，進一步加劇供應緊張。

在存儲價格上漲、供應受限的背景下，英偉達等大型芯片買家正積極尋找額外供應渠道。若臺積電進入先進存儲製造領域，將有望增加供應來源，緩解對現有存儲廠商的依賴。

存儲製造商也在加快擴產。美光今年3月宣佈以18億美元收購力積電的一座工廠，計劃將其改造為DRAM生產設施，預計2027年下半年開始形成有意義的晶圓產出。

不過，臺積電進入存儲市場並非沒有挑戰。三星電子、SK海力士和美光在DRAM領域擁有成熟的生產體系和規模優勢，臺積電若決定入局，將直接面對這些長期佔據市場主導地位的競爭對手。

此外，存儲芯片行業具有明顯的周期性特徵，價格上漲往往刺激廠商擴產，隨后可能引發供應過剩。臺積電需要權衡AI需求增長的持續性，以及大規模資本投入可能帶來的風險。