美股異動 | 臺積電(TSM.US)漲逾6% 擬進軍先進內存芯片製造

智通財經APP獲悉，周五，臺積電(TSM.US)漲逾6%，報376.65美元。消息面上，據報道，兩名消息人士表示，臺積電正在考慮擴展到先進內存芯片製造領域，這一舉措將使全球最大的芯片製造商在AI硬件供應鏈中佔據更大份額。臺積電(TSM.N)最近開始制定生產一種特定類型的先進內存芯片——3D DRAM的計劃，響應其最大用户英偉達(NVDA.O)的請求。

DRAM即動態隨機存取內存，在處理器使用數據時保存數據。與傳統DRAM不同，傳統DRAM將內存單元放在單層中，而3D DRAM則將單元垂直堆疊以容納更多內存。內存芯片製造目前由三星電子、SK海力士和美光科技主導。這三家公司也在開發3D DRAM技術，展開下一代內存製造的競爭。這場由AI硬件熱潮引發的內存芯片嚴重短缺，導致價格飆升，並促使英偉達和蘋果等芯片設計公司尋找額外的供應來源。