傳英偉達(NVDA.US)推動臺積電(TSM.US)進軍先進存儲芯片市場！擬佈局3D DRAM生產 搶佔AI供應鏈更多份額

智通財經APP獲悉，據媒體報道，全球最大芯片代工製造商臺積電(TSM.US)正考慮將業務範圍拓展至先進存儲芯片製造領域，並已應最大客户英偉達(NVDA.US)的要求，開始制定生產3D DRAM(三維動態隨機存取存儲器)的相關計劃。若這一計劃最終落地，臺積電有望進一步擴大其在人工智能(AI)硬件供應鏈中的影響力。

據媒體援引兩名知情人士的消息報道，臺積電近期已着手研究3D DRAM的生產方案。這一動向源於英偉達對先進存儲芯片供應的需求，反映出AI芯片設計商正積極尋求擴大關鍵零部件的供應來源。

3D DRAM是一種採用三維結構設計的先進存儲芯片技術，旨在通過新的存儲單元佈局和製造工藝，提高存儲密度，併爲未來高性能計算系統提供更多技術選擇。

對於長期專注於邏輯芯片代工及先進封裝業務的臺積電而言，涉足先進DRAM製造將意味着業務版圖進一步擴大。

目前，臺積電在全球先進邏輯芯片製造領域佔據主導地位，也是英偉達AI加速器的重要製造合作伙伴。若未來進一步進入先進存儲芯片生產領域，臺積電將有機會在AI計算硬件的更多關鍵環節發揮作用。

這一潛在業務擴張正值全球存儲芯片市場面臨嚴重供應緊張之際。隨着生成式AI和數據中心建設熱潮持續，市場對高性能計算硬件及配套存儲芯片的需求快速增長，推動存儲芯片供應趨緊、價格大幅上漲。

對於英偉達等AI芯片設計商而言，存儲芯片是決定計算系統性能和生產規模的重要組成部分。供應短缺不僅可能推高硬件製造成本，也可能制約AI基礎設施的部署速度。因此，包括英偉達和蘋果(AAPL.US)在內的大型科技企業正積極尋找更多存儲芯片供應來源，以降低供應鏈風險。

存儲芯片漲價的影響也已開始向消費電子市場傳導。蘋果今年早些時候曾以存儲成本上漲為由，提高部分產品的售價，凸顯出存儲芯片供應緊張已不再侷限於AI服務器領域，而是對更廣泛的電子產品市場產生影響。

在這一背景下，英偉達推動臺積電研究3D DRAM生產，可能有助於其在未來建立更多元化的先進存儲芯片供應體系。

不過，目前相關計劃仍處於初步研究和規劃階段。報道並未披露臺積電計劃投入的資金規模、潛在產能、量產時間表，以及未來是否會正式開展商業化生產。

此外，3D DRAM與當前AI加速器廣泛採用的高帶寬存儲器(HBM)並非完全相同的技術路線，臺積電研究3D DRAM生產也不意味着其已決定進入現有HBM市場。