臺積電（TSM）擬佈局3D DRAM 響應英偉達（NVDA）需求入局先進內存賽道

2026-11-06 22:20

金吾財訊 | 臺積電（TSM）正考慮佈局先進內存芯片製造，計劃研發3D DRAM，以此在AI硬件供應鏈中搶佔更大份額，該計劃是響應其大客户英偉達（NVDA）的需求。

3D DRAM區別於傳統單層結構DRAM，採用垂直堆疊方式，可容納更大容量內存。當前全球內存市場主要由三星、SK海力士（SKHY）、美光科技（MU）主導，三家企業同樣在研發3D DRAM，角逐下一代內存技術。AI熱潮帶來內存緊缺、價格上漲，英偉達、蘋果（AAPL）等芯片設計企業積極尋找新增供應渠道，今年蘋果就曾因內存成本上漲上調產品售價。