三星電子將採用臺積電（TSM）3nm工藝 代工英偉達（NVDA）NVHBM基底芯片

金吾財訊 | 據外媒報道，三星電子將採用臺積電（TSM）3納米工藝，為英偉達（NVDA）下一代定製高帶寬存儲芯片NVHBM生產基底芯片。英偉達已經向三星、SK海力士（SKHY）以及美光科技（MU）提出統一要求：NVHBM基底芯片交由臺積電工藝製造，核心芯片使用第六代DRAM技術。這也是三星首次在HBM製造環節和臺積電開展合作。

NVHBM於8月正式發佈，芯片將英偉達定製存儲控制器集成至基底芯片，意在實現多家存儲廠商產品標準化。三星經過內部評估接受英偉達相關要求，但標準HBM以及面向其他客户的定製產品仍會維持自有產線製造。同時三星也在評估備選方案，一旦臺積電產能無法滿足需求，不排除動用自家晶圓代工業務來生產NVHBM基底芯片。