大摩警告內存漲價情況仍然激進 Q3成熟製程DRAM可能漲價50%

財聯社8月19日訊（編輯 馬蘭）第三季度的全球內存漲價情況仍然嚴重。根據摩根士丹利的最新預測，2026年第三季度，DDR4等成熟DRAM的價格將上漲50%，第四季度將再漲10%。

摩根士丹利表示，成熟的DRAM和NAND芯片的供應緊張局面，即將進一步惡化。而造成這一局面的主要原因在於供應端的產能轉移，存儲器製造商正持續將產能轉向HBM、DDR5和更高層數的NAND閃存。

而新型DDR5芯片的零售價格也絲毫沒有降温的跡象，據美國銀行的數據，8月，DDR5-5600/6400 24GB的現貨價格環比上漲了8%，同比漲幅高達483%。

大摩還強調，SLC NAND閃存的價格漲幅可能將更加激進，該機構預計該品類在今年剩余的兩個季度中每個季度都將上漲50%。

供應端的問題

HBM消耗的硅晶圓數量大約是傳統DRAM的三倍。這是因為其垂直堆疊的層結構，且由於每顆裸片都要內置成千上萬個硅通孔 (TSV) 以及相應的禁布區，大大降低了有效存儲陣列面積。

與此同時，人工智能行業對HBM的需求還在不斷增長。瑞銀最近預測，到2027年，僅英偉達一家就將消耗約251億GB的HBM，而整個行業需求總量約為615億GB。

這種情況下，DDR4、SLC NAND和NOR Flash的新增供應非常有限。摩根士丹利指出，這導致成熟內存的長期合同較少，這實際上可能使供應商在短期擁有更大的定價權。

大摩因此上調了旺宏電子、華邦電子、力積電以及兆易創新的盈利預期，而臺灣愛普科技仍然是大摩的首選股。