SK海力士批准54萬億韓元芯片擴產計劃！在龍仁清州新建兩座晶圓廠

財聯社8月7日訊（編輯 周子意）SK海力士公司周五（8月7日）宣佈，為應對人工智能時代對存儲器需求持續增長，決定在龍仁和清州建設新的晶圓廠。

該公司在董事會會議上批准了總投資額約54.35萬億韓元（約合382.97萬億美元）擴張計劃，其中包括2031年10月31日前在龍仁半導體產業園投資35.2萬億韓元（約合248.09億美元）建設龍仁「Y2」工廠，以及2031年4月30日前在清州「M17」工廠投資19.1萬億韓元（134.66億美元）。

這一決定標誌着公司去年6月宣佈的中長期投資戰略開始實施。

備戰一場「結構性轉型」

根據其總體規劃，SK海力士計劃在龍仁半導體產業集群投資600萬億韓元，並將清州生產基地擴建100萬億韓元。

目前，SK海力士正在龍仁建設其首個晶圓廠（Y1）。而伴隨此次最新決策，公司正着手在龍仁和清州陸續建設后續的晶圓廠。

據市場研究機構Omdia預測，從去年到2030年，DRAM和NAND的市場需求預計將以19%的複合年增長率（CAGR）持續增長。

SK海力士公司認為，這種增長並非短暫的超級周期，而是一場結構性轉型，內存不再僅作為普通組件存在，而是成為決定人工智能性能的核心基礎設施。

該公司還表示，在人工智能時代，僅靠技術競爭力已不足以應對挑戰，而能夠在客户需要的精確時刻提供所需數量的產品，纔是最終的競爭優勢，「我們經過對市場需求的全面評估后，才做出了此項投資決策。」

龍仁Y2工廠

龍仁Y2是SK海力士龍仁半導體園區計劃依次建設的四座晶圓廠中的第二座。將作為DRAM生產基地，總佔地面積達34.1萬平方米（約1,130,000平方米），工程預計於明年7月開工，目標是在2029年6月啟用首個潔淨室，用於生產高帶寬內存（HBM）及其他下一代DRAM產品。

SK海力士此前設定目標，將龍仁半導體園區的完工日期提前12年——從原定的2045年推迟至2033年——以完成全部四座工廠的建設。也就是説，Y2階段的建設是支持這一加速計劃的第二階段。

SK海力士最新批准的這筆投資將分階段進行，依次覆蓋至2031年10月。投資金額將包括為Y2員工提供行政及福利設施的「商務支持大樓」建設費用、整合產品開發測試、分析與實驗的「綜合研發中心」，以及輔助基礎設施建設。

清州M17工廠

SK海力士選擇清州作為其新的NAND晶圓廠基地，是因為該地擁有最快的工廠建設周期。

清州園區已建有M11、M12和M15三條生產線，可與現有設施高效聯動，並依託已具備完善電力和供水基礎設施的場地開展生產。

清州M17工廠將佔地面積達20.6萬平方米（約68萬平方米），預計於明年2月動工，計劃在2028年12月啟用首個潔淨室。根據總體規劃，該項目投資期將持續至2031年4月。

SK海力士計劃根據與客户討論的中長期需求，主動保障生產基礎設施，並在滿足客户需求的時間節點上同步擴大實際產能。工廠將按照主進度表建設，而潔淨室擴建和設備安裝則將根據需求趨勢依次進行，以最大化資本利用效率。

該公司預計此項投資將為未來增長奠定基礎，同時增強國內半導體生態系統的競爭力，並促進地方經濟發展。