漲價！剛剛，大幅上調！6萬億賽道，傳來重磅消息

存儲芯片漲價傳聞不斷！

據最新消息，瑞銀日前在其最新發布的報告中大幅上調存儲價格預期，該行預計第三季度DDR合約價格將環比上漲32%，第四季度環比上漲18%。此前，瑞銀預測的環比漲幅分別為17%和12%。

此外，瑞銀認為，價格上漲將帶動內存行業在2026年實現9920億美元（約合人民幣6.73萬億元）營收。該行預計，DRAM行業供需緊張將至少持續至2028年上半年。

而在昨日（7月3日），有韓國媒體報道稱，三星電子計劃將第三季度DRAM（動態隨機存取存儲器）的平均售價上調最高20%。另據第一財經今日（7月4日）上午報道，有消費電子終端廠商稱，已收到三星關於DRAM提價的口頭通知。

在產品供不應求的背景下，存儲芯片巨頭們正抓緊擴產。其中，美光科技斥資約93億美元擴建日本西部芯片工廠，該公司此前還在美國紐約州和愛達荷州規劃了龐大的全新晶圓廠建設。

此外，三星電子計劃在韓國西南城市光州建設兩座存儲芯片製造工廠，SK海力士將在全羅道周邊地區建設兩座晶圓廠，兩家巨頭的合計投資規模達800萬億韓元。

瑞銀大幅上調DRAM價格預測

最近幾天，存儲芯片行業漲價傳聞密集傳出，引發三星電子、SK海力士、鎧俠等存儲芯片巨頭股價昨日大漲。其中，三星電子漲超8%，鎧俠漲超9%，SK海力士漲超10%。

瑞銀最新行業調研顯示，2026年下半年，存儲芯片價格上行空間進一步擴大。瑞銀表示，基於行業研究，將上調DDR合約價格預期，預計2026年第三季度環比上漲32%（此前預期上漲17%），第四季度環比上漲18%（此前預期上漲12%）。

NAND方面，瑞銀目前預計2026年第三季度價格環比上漲30%（此前預期上漲17%），第四季度環比上漲12%。

分析指出，DRAM（動態隨機存取存儲器）行業供需將至少持續緊張至2028年上半年。2027年芯片需求預計增長約36.2%，明顯高於供給增長的19.3%，缺口難以彌合，供需失衡程度達到過去30年罕見水平。若不考慮下游庫存回補，供應短缺比率將從2026年的8.1%惡化至2027年的13.6%。

綜合來看，瑞銀認為價格上漲將帶動內存行業在2026年實現9920億美元營收，2027年實現1.76萬億美元營收。瑞銀表示，價格上漲將持續推動超大規模廠商進入資本市場為其項目融資。

7月3日，有消息稱三星電子擬將今年第三季度DRAM的平均售價環比上一季度提高20%。

據第一財經今日報道，一家消費電子終端廠商負責人向記者表示，這是真的，今年6月三星已與他們洽談，現已收到三星關於DRAM提價的口頭通知。「上游部品大幅漲價會傳導至整機終端售價上，這會遏制一定的市場需求，但畢竟現在消費電子產品整體價格不高，即使漲價預計也不太會影響用户選購。」上述消費電子終端廠商負責人説。

另一位業內資深人士也表示，三星擬三季度DRAM提價20%的消息屬實，三星已經通過口頭報價通知了部分客户。

三大巨頭擴產

據彭博社消息，美光科技於今日舉行日本西部工廠擴建奠基儀式，該擴建項目投資1.5萬億日元（約合93億美元），專注量產高端存儲芯片。

這家總部位於美國愛達荷州博伊西的公司正在廣島建設該設施，以生產高帶寬內存等芯片，這些芯片對英偉達等AI處理器至關重要，預計將於2028年夏季左右開始出貨。日本經濟產業省已撥款最高5000億日元用於分攤該項目的部分成本。

本次擴建是美光全球產能擴張佈局的一部分，用以應對AI行業激增的芯片需求。美光正在美國愛達荷州博伊西建設兩座尖端晶圓廠，並於今年1月在紐約州錫拉丘茲市郊舉行千億美元生產基地奠基儀式，以此兑現擴大美國本土DRAM芯片產能的承諾。

近日，全球最大存儲芯片製造商三星電子宣佈計劃在韓國西南城市光州建設兩座存儲芯片製造工廠，第二大存儲芯片製造商SK海力士則表示將在韓國全羅道周邊地區建設兩座晶圓廠，兩家公司的合計投資規模達800萬億韓元（約合5223億美元）。

這是韓國政府「三大超級工程」倡議的一部分，該倡議設想以半導體、實體人工智能（AI）和AI數據中心為驅動實現轉型，總投資規模達4755萬億韓元。

據韓聯社報道，韓國總統李在明計劃於下周主持召開會議，審查該國西南地區超大型半導體生產基地項目的進展情況。此次會議將是投資計劃公佈后的首次戰略審查會議，李在明已承諾親自督戰，強調加快項目實施的重要性。

另據外媒報道，SK海力士將於7月6日啟動美國存託憑證（ADR）的簿記建檔流程，並於7月9日確定最終發行價，隨后於次日在納斯達克上市。

SK海力士計劃通過在美國股市上市籌集最多294億美元。據知情人士透露，SK海力士正考慮將其在美國上市募集資金的約0.5%支付給參與該交易的銀行。報道稱，這家韓國芯片製造商已表示可能發行不超過其流通股2.5%的股份，儘管最終發行規模尚未確定。報道補充稱，SK海力士還可能在基礎承銷費之外支付酌情獎金。