碳化硅行業迎來周期性反轉 供需格局加速重構

中國工業報記者  祁曉玲

2025年，全球碳化硅行業深陷低價競爭困局，6英寸導電型襯底價格大幅下滑，部分產品一度貼近成本線，行業整體經營承壓。2026年，市場供需格局快速扭轉，英飛凌、意法半導體等國際龍頭率先啟動調價，國內襯底、器件廠商同步跟進，全行業進入漲價上行周期。AI算力需求的爆發式增長正在重塑產業增長邏輯，全球企業同步加快技術迭代節奏，國內碳化硅產業鏈從跟跑邁向並跑，一場深層次的結構性變革正在發生。

6月10日，全球碳化硅技術引領者Wolfspeed,Inc.公司宣佈推出第五代(Gen5)技術，將為下一代1200V和750V汽車及工業應用帶來效率方面的性能跨越式提升。

在此前后，行業巨頭動作密集：6月5日，英飛凌推出可在205℃持續運行的1300V碳化硅功率模塊；4月25日，安森美宣佈與吉利深化戰略合作，將EliteSiC技術集成至900V浩瀚-S超級電混架構。不到兩個月內，三家全球頭部企業集中釋放新品及合作信號，顯示碳化硅行業的供需、技術、市場格局正在發生顯著變化。

從低價競爭到結構性漲價  供需格局全面扭轉

2025年，全球碳化硅市場陷入低價競爭，6英寸導電型襯底價格大幅下探，部分產品一度貼近成本線，行業整體經營承壓。產能過剩呈現明顯結構性特徵——低端襯底及器件供給冗余，高品質車規級襯底的產能儲備始終不足。

行情拐點自2025年第四季度逐步顯現，2026年供需缺口全面拉開。據上海證券報報道，今年以來，國內碳化硅襯底價格呈現結構性上漲，6英寸產品反彈幅度突出，8英寸價格止跌企穩、小幅上行，頭部襯底製造企業產能利用率普遍突破90%。

產業研究機構InSemiResearch高級分析師洪源分析，本輪行業景氣上行由終端真實有效需求擴容與產業鏈企業集中補庫存兩大因素共同驅動，增長具備較強確定性。過去依靠低價搶佔市場份額的競爭邏輯已不再是行業主流，企業比拼的核心轉向穩定產能儲備與批量交付能力。

AI數據中心崛起：碳化硅從「汽車專屬」走向「全域滲透」

長期以來，新能源汽車是碳化硅產業的核心市場。在800V高壓平臺中，碳化硅功率器件替換硅基IGBT，可使整車綜合工況能效提升3%至4%，續航里程增加5%至8%。

真正改寫行業格局的是AI數據中心的爆發式增長。隨着數據中心機櫃功耗從傳統服務器的10至15千瓦向更高功率演進，碳化硅憑藉耐高壓、低損耗的物理特性，在高壓供電系統中從可選配件轉變為剛性需求。

Wolfspeed披露，企業AI相關業務連續多季度保持高增長，上一季度漲幅達50%，最新季度仍保持30%的增速。據行業測算，2025年AI服務器電源碳化硅市場規模約1億美元，2026年將增至3億美元，2027年有望達到5億至6億美元，年均複合增長率維持在50%至60%。YoleGroup最新報告預測，到2031年，全球碳化硅功率器件市場規模將達到110億美元，AI數據中心是核心增長引擎之一。業內人士分析，當前AI賽道對碳化硅的需求增速已超過新能源汽車。

與此同時，碳化硅的應用場景持續拓寬。光伏、儲能、充電樁賽道保持高景氣度，2026年11月1日充電樁新能效國標將正式實施，有望進一步加速碳化硅器件批量導入充電設備。固態變壓器、固態斷路器、eVTOL無人機等新興場景也在逐步落地，碳化硅產業正從單一汽車賽道走向全場景滲透。

技術競賽提速：從「三年一代」到「18個月兩代」

下游需求的快速增長，推動全球企業同步加快技術迭代節奏。以往跨國企業碳化硅產品普遍2至5年更新一代，如今迭代周期大幅壓縮。Wolfspeed在18個月內先后推出第四代、第五代兩代碳化硅MOSFET技術，成為行業提速的典型樣本。

據瞭解，Wolfspeed發佈第五代平面型碳化硅MOSFET技術平臺，1200V規格器件在175℃下比導通電阻RSP低至3.4mΩ·cm²，750V規格器件達2.0mΩ·cm²。對比市面主流1200V競品方案，比導通電阻最高可降低27%，相較企業第四代產品提升41%。這一指標最初研發目標設定為3.6mΩ·cm²，最終實測結果優於預設標準。

Wolfspeed汽車產品市場高級總監JonathanLiao​

Wolfspeed汽車產品市場高級總監JonathanLiao向記者介紹，以400kW逆變器為例，採用第四代器件需要10顆芯片並聯，更換第五代產品僅需6顆，芯片用量減少40%，能夠有效降低系統綜合成本。器件可長期在200℃條件穩定運行，短時峰值耐受温度可達215℃，高温區間導通電阻曲線平緩，性能衰減幅度低於同類競品。第五代全系列產品均通過AEC-Q101車規認證，並完成2000小時高温、更高電壓及AQG-324相關負壓驗證。

Wolfspeed大中華區總裁於代輝​

針對行業持續熱議的平面型與溝槽型技術路線之爭，Wolfspeed大中華區總裁於代輝向記者表示，終端客户真正關注的是器件性能、可靠性與一致性，工藝路線只是實現產品指標的手段。企業堅持平面工藝的核心商業邏輯在於：8英寸產線已實現產能爬坡就緒，客户下達量產訂單后最快一個月即可完成產能調配，而溝槽工藝配套設備採購調試周期長達12至18個月；平面工藝擁有三十余年量產積澱，全球已有數十萬臺車完成裝車驗證，客户導入風險更低；平面工藝的性能提升空間尚未觸頂，研發團隊仍在持續迭代。溝槽工藝僅作為長期技術儲備同步研究，第六代產品技術路線尚未鎖定。

於代輝還向記者回顧了Wolfspeed此前的經營調整。企業曾因超前投建8英寸產線，疊加汽車及AI需求階段性滯后，工廠產能利用率偏低，揹負較高債務。經過債務重組，公司化解70%存量債務，年度利息支出降低60%，部分債權人轉為公司股東，公司當前持有12億美元現金。自2025年9月至今，全球CEO、CFO、COO、CMO等核心商業運營高管完成更新，核心研發團隊完整保留。截至2025年底，公司持有全球2300余項碳化硅全產業鏈專利，覆蓋單晶生長、外延、芯片製造、器件封裝全部環節，全球首片300毫米（12英寸）碳化硅單晶晶圓已試製下線。

放眼全球，海外巨頭同步加快技術落地。英飛凌推出HybridPACKDrive系列1300V碳化硅功率模塊，最高耐受205℃高温，輸出電流提升15%，並擴充CoolSiC™JFET產品矩陣，適配AI數據中心供電架構。安森美將EliteSiC技術深度融入吉利900V混動整車電氣架構，推進整車廠前置聯合研發模式。

中國力量崛起：從「跟跑」到「並跑」

海外巨頭加速本地化佈局的同時，國內碳化硅產業鏈自主化進程提速，本土企業在部分環節已具備國際競爭力。

在襯底環節，根據日本富士經濟2026年3月報告，天岳先進導電型碳化硅襯底全球市場份額達27.6%，其中8英寸導電襯底全球佔有率達51.3%，位居全球首位。天岳先進董事長宗艷民表示，碳化硅下游應用邊界正在以前所未有的速度拓寬，產業長期成長空間充足。

在器件環節，士蘭微8英寸碳化硅功率器件芯片產線於2026年1月正式通線，項目總投資120億元，一期建成后可形成年產42萬片8英寸碳化硅芯片的產能，覆蓋新能源汽車、光伏儲能、AI服務器電源等核心場景。斯達半導、三安光電等企業同步推進襯底與芯片產線建設，國產器件裝車及算力電源批量落地案例持續增加。

碳化硅行業用不到一年時間走完了從產能過剩到供需反轉的周期。AI數據中心的爆發式增長改寫了行業增長邏輯，讓碳化硅從汽車產業的專屬器件拓展為數字基礎設施的關鍵部件。技術迭代從三年一代壓縮至18個月兩代，國際巨頭與中國本土力量同台競技，競爭維度從單一性能比拼擴展至產能儲備、供應鏈韌性與市場響應速度的全方位較量。

市場回暖之下，隱憂猶存。AI算力市場資本開支具有周期性特徵，一旦下游採購節奏放緩，行業增量空間將直接承壓。國內新能源汽車增速逐步放緩后，碳化硅能否通過工業電源、儲能、固態電力設備等新興賽道對衝車規市場增量下滑，尚需驗證。平面型與溝槽型技術路線的博弈仍在持續，下一代主流工藝尚未形成統一共識。與此同時，海內外企業同步擴產6英寸、8英寸產線，若終端需求增速無法匹配產能投放速度，行業或將再度出現中低端產品階段性過剩。

業內分析人士指出，碳化硅產業下半場的競爭已超越單一器件性能比拼，穩定的大規模量產能力、車規級長期可靠性、完整自主供應鏈韌性，成為企業決勝市場的核心要素。國內碳化硅產業鏈雖在襯底出貨量及全球市場份額層面實現突破，但在下一代高端器件技術定義、配套專用設備及長期車規可靠性認證體系等方面仍有短板。爭奪下一代碳化硅產業技術標準話語權，是本土產業鏈需要長期攻克的核心課題。