韓國狂砸5180億美元押注AI芯片，海力士赴美上市或再升30%？美銀、小摩齊高呼：本輪存儲超級周期將「更高、更長」！

華盛資訊6月30日消息，近期存儲概念行情迎來多重利好！首先是上周四，美光科技交出了一份「王炸」級別的財報！第三財季EPS增超12倍，超市場預期高22%；毛利率84.9%，為一年前兩倍多，兩項財務指標均再創單季新高。

亮眼的業績直接擊碎了市場空頭情緒，美光當日大漲近16%。此次業績實打實驗證了AI核心基礎設施需求的強勁變現能力，成為本輪存儲超級周期最強有力的基本面背書。

更值得關注的是，就在美光業績公佈后不到一周，韓國也甩出了「國家級王炸」：6月29日，韓國政府聯手三星、SK海力士，宣佈將投入800萬億韓元（約合3.52萬億元人民幣、5180億美元），在西南光州、全羅區域新建四座存儲晶圓廠，打造全國第二大半導體產業集群；與此同時，SK海力士已正式向美國SEC提交上市申請，計劃7月10日登陸納斯達克，募資規模或達294億美元！

美光炸裂業績、韓國巨型擴產、海力士衝擊納斯達克，這種種跡象似乎都在表明，存儲強勁周期遠未到終局。那麼這一輪行情可持續性如何？哪些標的值得重點關注？發仔帶您一次性梳理：

韓國公佈史上最大規模產業投資計劃！800萬億韓元押注芯片，DRAM產能要在五年內翻倍

6月29日，韓國產業通商資源部長金正官宣佈，韓國將投入800萬億韓元，在西南光州、全羅區域建設四座存儲芯片晶圓廠，三星電子、SK海力士各規劃兩座，目標是在五年內將DRAM生產能力翻倍。這將是史上最大規模產業投資計劃！同時雙方將共同投入81萬億韓元，在忠清道佈局先進封裝基地，專門承接AI高帶寬存儲（HBM）的擴產配套需求。更關鍵的是，原本要拖到2040年代中后期才能竣工的新晶圓廠，建設周期被直接提前了最長12年，調整到2030年代中期完成。

三星與SK海力士也同步公佈了自家的投資藍圖：三星計劃在未來十年投資超過2655萬億韓元，重點押注半導體、AI數據中心、電池與顯示屏；SK集團會長崔泰源則透露，集團到2035年要建成15GW的AI數據中心容量，總投資規模將達1000萬億韓元。

在研發層面，金正官表示，韓國政府將在15年內投入30萬億韓元，覆蓋研發、設計、驗證及製造等全產業鏈環節，以搶佔下一代半導體競爭先機。韓國產業通商資源部預計，全球內存市場將在五年內增長四倍。

還有30%上漲空間？SK海力士將於7月10日赴美掛牌，對標美光估值

與此同時，SK海力士赴美發行ADR也為這輪存儲行情打開了新的資金敍事。公司已向美國SEC遞交上市申請，計劃於7月10日登陸納斯達克，擬定發行價166美元，募資規模約294億美元。若順利掛牌，全球投資者未來將多出一條直接配置HBM龍頭的渠道，美股更高的流動性、機構覆蓋度及被動資金配置需求，也可能推動市場重新審視SK海力士的估值體系。

耐人尋味的是，市場已經開始將海力士與芯片巨頭臺積電進行對比，后者於1997年在美上市ADR。目前，在首爾上市的SK海力士遠期市盈率為7.5倍，三星為6.7倍；相比之下，在美股上市的臺積電市盈率高達21倍，美光也達到9.5倍。顯然，受限於韓國資本市場，這些半導體巨頭存在明顯的「估值折價」。海力士的美國首秀將為其打開全新的投資者資金池，並有望幫助其縮小與競爭對手之間的估值差距。

多家資管機構已給出明確測算：如果SK海力士2027年的預期市盈率追平美光，其在首爾上市的股票未來一年存在約30%的上漲空間。更有機構給出大膽預測，「如果美光維持當前估值水平，我認為SK海力士具備顯著的重估空間。」他預計，韓國本土股票上漲約30%，而ADR潛在漲幅可達約45%。」

國產存儲迎多重利好！兆易創新獲納入DRAM ETF，蘋果或從長鑫存儲購買內存芯片

• 200億美元存儲ETF官宣建倉兆易創新！

6月27日，據公開信息，Roundhill Memory ETF( $DRAM )已將A股兆易創新納入持倉，權重為2.91%，為第八大重倉股。值得關注的是，DRAM上市僅用54天資產規模便突破200億美元，創下史上增長最快的新發ETF紀錄。這隻ETF最大的特點在於其存儲「純度」：三星電子、SK海力士、美光科技三大存儲巨頭合計佔據75%的份額，其余倉位基本覆蓋全球存儲產業鏈上的核心公司。兆易創新獲納入該ETF，意味着中國存儲產業鏈企業正在被全球被動型資金認可。

• 蘋果尋求獲准從長鑫存儲購買內存芯片、騰訊被曝與長鑫存儲簽下超200億長協大單

國產存儲的另一重催化，則來自潛在國際大客户訂單。據外媒報道，蘋果正在遊說美國政府，希望獲得官方許可，向中國最大DRAM廠商長鑫存儲採購內存芯片。花旗稱，蘋果對於長鑫存儲的認可將后者從一個「國產替代的故事」轉變為一個「具備公信力的全球第四大DRAM製造商」。該行認為，獲得採購長鑫存儲內存的批准可能會面臨挑戰，但蘋果的考量本身就已經對長鑫存儲的技術進步提供了強有力的背書。預計該消息將長鑫存儲及其供應鏈將帶來利好。

此外，據路透社報道，長鑫存儲已與騰訊控股簽署一份長期供貨協議，金額超人民幣200億元（約合29.4億美元）。協議主要涵蓋未來數年的服務器DRAM內存芯片供應，最長期限據消息人士稱在三年至五年之間。

整體來看，兆易創新獲納入DRAM，代表國產存儲產業鏈正開始進入全球資金視野；而蘋果、騰訊等大客户相關消息，則進一步強化了長鑫存儲的技術背書與訂單想象空間。若后續採購許可、長協訂單及產能擴張持續推進，國產存儲或將從「國產替代」敍事，逐步走向全球存儲供需格局中的重要變量。

美銀、小摩齊高呼：本輪存儲超級周期將「更高、更長」！DRAM市場勢將突破1.2萬億美元

展望后市，諸多機構給出了自己的強勁展望，認為在這一輪存儲周期遠未見頂，具體而言：

• 美銀：美光業績驗證存儲超級周期，全球市場2027年或突破1.2萬億美元！

美銀證券在最新研報中指出，美光科技第三財季財報和指引強勁，為持續升溫的存儲芯片行情提供了迄今最強的一次驗證。該行認為，全球存儲行業正在進入一輪可能延續至2027年、甚至更久的超級周期。與以往由PC、手機補庫存主導的短周期不同，本輪景氣的核心，是AI服務器對高帶寬內存（HBM）、先進DRAM和企業級SSD的需求激增，同時供給端擴張卻受到資本、工藝、廠房和基礎設施等多重限制。

美銀預計，全球DRAM和NAND市場規模將在2026年達到8768億美元，2027年突破1.2萬億美元。增長建立在價格大幅上升、AI服務器存儲需求擴張、HBM持續放量以及供給受限的基礎之上。

• 美銀、高盛齊解讀：韓國800萬億韓元砸存儲，影響有多大？

美銀證券以及高盛，相繼就韓國大規模存儲器投資計劃發佈研究報告。兩家機構的核心判斷高度一致，韓國政府及三星電子的鉅額投資承諾，彰顯出政府對長期存儲供給擴張的強力背書。但受制於基礎設施建設周期與晶圓廠投產節奏，對全球存儲器供給的實質性影響最早需要8至10年才能顯現，投資者不應對近期供給衝擊抱有過高預期。

總體而言，8至10年的建設投產周期決定了此次投資不會在近期改變存儲市場供需格局，此次韓國存儲投資計劃的戰略意義顯著大於短期業績催化意義，這是一場面向2030年代的長跑。

• 從「周期大宗商品」到「戰略核心資產」，摩根大通：本輪存儲超級周期將「更高、更長」

摩根大通在最新研究報告中大幅上調全球存儲市場規模預測，並維持對該板塊的多年期看多立場，認為存儲芯片正從傳統的周期性大宗商品向AI基礎設施的戰略核心資產轉型。該機構將2026至2028年全球存儲市場總規模（TAM）預測較3月模型上調37%至53%，預計2028年TAM將達1.7萬億美元。其中DRAM市場收入預計從2025年的1430億美元躍升至2026年的6360億美元，再於2028年達到1.237萬億美元；NAND市場收入同期預計從710億美元增至4545億美元。

存儲或再迎超級周期！產業鏈相關標的速覽

結合本輪行情的驅動邏輯，發仔將存儲產業鏈拆成六層，方便大家理解不同環節的受益深度與風險差異：

各位發友，你們覺得存儲超級周期，是否還能延續？

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