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中微公司申請MOCVD設備相關專利,採集拼接圖像判斷自轉,統一基片成膜速率

2026-06-23 09:12

6月23日消息,國家知識產權局信息顯示,中微半導體設備(上海)股份有限公司申請一項名為「一種MOCVD設備及衞星盤自轉測量方法」的專利。申請公佈號為CN122235676A,申請號為CN202411867389.X,申請公佈日期為2026年6月19日,申請日期為2024年12月17日,發明人李肖辰、郭春磊,專利代理機構上海元好知識產權代理有限公司,專利代理師湯恩洋、張靜潔,分類號C23C16/18、G01P3/38、C23C16/52、C23C16/458。

專利摘要顯示,本發明公開了一種MOCVD設備及衞星盤自轉測量方法,MOCVD設備包括內設有行星盤反應腔、圖像採集裝置、圖像採集控制模塊和圖像處理模塊,行星盤上設有衞星盤,衞星盤上設有至少一個標記;圖像採集裝置用於採集標記上的局部圖像;圖像採集控制模塊控制圖像採集裝置採集圖像;圖像處理模塊接收圖像採集裝置連續採集的多幀局部圖像並拼接為連續圖像以判斷衞星盤的自轉狀態。本發明的MOCVD設備及衞星盤自轉測量方法,通過設置圖像採集裝置連續採集局部圖像,並對局部圖像進行拼接以判斷行星盤是否自轉,並針對各行星盤的自轉情況進行調整,實現對各行星盤自轉速率的調整,使得各行星盤上承載的基片的自轉速率的統一,提高各基片成膜的均一性。

天眼查數據顯示,中微半導體設備(上海)股份有限公司成立日期2004年5月31日,法定代表人尹志堯,所屬行業為專用設備製造業,企業規模為大型,註冊資本62614.5307萬人民幣,實繳資本62691.781萬人民幣,註冊地址為上海市浦東新區金橋出口加工區(南區)泰華路188號。中微半導體設備(上海)股份有限公司共對外投資了30家企業,參與招投標項目87次,財產線索方面有商標信息114條,專利信息1708條,擁有行政許可88個。

中微半導體設備(上海)股份有限公司近期專利情況如下:

序號 專利名稱 專利類型 法律狀態 申請號 申請日期 公開(公告)號 公開(公告)日期 發明人
1 一種射頻功率供應系統 發明專利 實質審查的生效、公佈 CN202511924458.0 2025-12-18 CN121879506A 2026-04-17 倪圖強、李博睿、劉依、肖堯、黃陽、邱文傑
2 一種工藝頂蓋及氣相沉積設備 實用新型 授權 CN202521979639.9 2025-09-15 CN223458392U 2025-10-21 劉從靈、謝振南、鄭振宇、柴浩瑞、姜勇、郭世平
3 晶圓托盤 外觀專利 授權 CN202530511724.1 2025-08-28 CN309976984S 2026-05-12 代宇通、汪國元、黃穩、姜勇
4 聚焦環 外觀專利 授權 CN202530468204.7 2025-08-08 CN310024085S 2026-06-09 範光偉、周艷
5 聚焦環 外觀專利 授權 CN202530468218.9 2025-08-08 CN310024087S 2026-06-09 範光偉、周艷
6 聚焦環 外觀專利 授權 CN202530468041.2 2025-08-08 CN310024084S 2026-06-09 範光偉、周艷
7 氣體噴淋頭 外觀專利 授權 CN202530466397.2 2025-08-07 CN309910861S 2026-04-10 孟可、周艷、李開元
8 氣體噴淋頭 外觀專利 授權 CN202530466450.9 2025-08-07 CN309910862S 2026-04-10 朱永成
9 氣體噴淋頭 外觀專利 授權 CN202530466394.9 2025-08-07 CN309910860S 2026-04-10 周艷、李開元
10 接地環 外觀專利 授權 CN202530466452.8 2025-08-07 CN310024083S 2026-06-09 周艷、李開元
11 一種氣相沉積裝置 實用新型 授權 CN202521091304.3 2025-05-29 CN224337694U 2026-06-09 何偉業、王能語、劉學濱、陳冬、張澤濤、劉雯伊
12 一種聚焦環功率調節組件 實用新型 授權 CN202520964307.7 2025-05-15 CN224342273U 2026-06-09 田寧、葉如彬、範光偉
13 一種等離子體處理裝置及其約束環組件 實用新型 授權 CN202520892625.7 2025-05-07 CN224342272U 2026-06-09 葉如彬、範光偉、馬越、孟可、田寧
14 一種真空吸盤、基座組件和薄膜沉積裝置 實用新型 授權 CN202520892567.8 2025-05-07 CN224350749U 2026-06-12 董維、莊宇峰、付海濤、王曉明、李遠
15 一種金屬鈦層的沉積工藝 發明專利 公佈 CN202510559967.1 2025-04-29 CN122214841A 2026-06-16 沈成緒、許燦
16 反應腔、高深寬比結構及其形成方法 發明專利 授權、實質審查的生效、公佈 CN202510550377.2 2025-04-28 CN120072612B 2025-07-25 尹志堯、徐偉娜、張一川、張凱、叢海、劉志強
17 基片托盤 外觀專利 授權 CN202530230568.1 2025-04-25 CN309730273S 2026-01-09 陳耀、王家毅、陶章峰、陸順開
18 基片托盤 外觀專利 授權 CN202530230569.6 2025-04-25 CN309730274S 2026-01-09 陳耀、王家毅、陶章峰、陸順開
19 環組件及外延生長設備 實用新型 授權 CN202520811017.9 2025-04-25 CN224337799U 2026-06-09 張輝、姜銀鑫、陸順開
20 一種下電極組件及等離子體處理設備 實用新型 授權 CN202520786770.7 2025-04-23 CN224342271U 2026-06-09 葉如彬、範光偉、馬越、田寧、孟可
21 一種半導體處理設備及其氣體噴淋頭 實用新型 授權 CN202520786902.6 2025-04-23 CN224343720U 2026-06-09 程程、李雪子
22 電磁線圈組件及半導體加工設備 實用新型 授權 CN202520763154.X 2025-04-21 CN224232426U 2026-05-12 王亞軍、周國祥
23 一種磁控管組件及磁控濺射設備 實用新型 授權 CN202520736456.8 2025-04-17 CN224337693U 2026-06-09 劉暢、劉愷民、王能語
24 一種基片處理系統 實用新型 授權 CN202520716379.X 2025-04-15 CN224267209U 2026-05-22 徐義、陳琦、萊納德·劉、梁鼕鼕、張海龍、陶珩、吳紅星
25 一種氣相沉積設備及半導體處理系統 發明專利 公佈 CN202510444720.5 2025-04-09 CN120830094A 2025-10-24 尹志堯、倪圖強、叢海、請求不公佈姓名、楊寬、張海龍、朱榮帥
26 一種升降驅動組件和半導體工藝設備 實用新型 授權 CN202520618963.1 2025-04-02 CN224020732U 2026-03-20 李琳、王許、朱永成、周艷
27 下電極組件及等離子體處理設備 實用新型 授權 CN202520539349.6 2025-03-25 CN224123342U 2026-04-14 田寧、葉如彬、範光偉
28 一種掩膜結構形成方法 發明專利 實質審查的生效、公佈 CN202510293724.8 2025-03-12 CN121496378A 2026-02-10 羅彬、賴鋒源、張海龍、尹志堯、叢海
29 掩膜結構及其形成方法 發明專利 實質審查的生效、公佈 CN202510293826.X 2025-03-12 CN121496322A 2026-02-10 羅彬、賴鋒源、劉健鋼、尹志堯、叢海
30 一種掩膜結構及其製備方法、半導體設備 發明專利 實質審查的生效、公佈 CN202510293764.2 2025-03-12 CN121496321A 2026-02-10 尹志堯、叢海、羅彬、賴鋒源、張海龍
31 等離子體約束結構及等離子體處理設備 實用新型 授權 CN202520402185.2 2025-03-07 CN224232637U 2026-05-12 葉如彬、馬越、王洪青、範光偉
32 一種環組件及成膜裝置 實用新型 授權 CN202520251908.3 2025-02-17 CN223780392U 2026-01-09 郭世平、姜勇、鄭振宇、丁偉
33 一種邊緣環組件、下電極組件、等離子體處理裝置和製備方法 發明專利 授權、實質審查的生效、公佈 CN202510165658.6 2025-02-14 CN119673741B 2025-05-30 葉如彬、範光偉、田寧、呂翌晟
34 一種阻抗匹配器、射頻組件與等離子體處理設備 實用新型 授權 CN202520210442.2 2025-02-10 CN222637222U 2025-03-18 盧明、李博睿、倪圖強
35 一種半導體加工設備及其控制方法 發明專利 授權、實質審查的生效、公佈 CN202510147729.X 2025-02-10 CN119601451B 2025-05-09 李博睿、盧明、倪圖強
36 一種化學氣相沉積裝置 實用新型 授權 CN202520172387.2 2025-01-24 CN223780352U 2026-01-09 杜冰潔、路今、姜銀鑫
37 一種基座及化學氣相沉積設備 實用新型 授權 CN202520166280.7 2025-01-23 CN224001504U 2026-03-17 梁軒、徐立、呂術亮
38 一種下電極組件、等離子體處理設備及其電壓控制方法 發明專利 授權、實質審查的生效、公佈 CN202510098695.X 2025-01-21 CN119517722B 2025-05-13 田寧、葉如彬
39 一種隔離結構及化學氣相沉積裝置 實用新型 授權 CN202520123428.9 2025-01-17 CN223780362U 2026-01-09 黃穩、李勇志、姜勇、陸順開
40 緩衝裝置 實用新型 授權 CN202520107111.6 2025-01-16 CN223780359U 2026-01-09 楊閏清、徐燦陽、陳冬、許燦、何偉業
41 一種化學氣相沉積裝置 發明專利 授權 CN202510073813.1 2025-01-16 CN119932527B 2026-04-10 張輝、姜銀鑫、姜勇
42 一種化學氣相沉積裝置 實用新型 授權 CN202520086318.X 2025-01-14 CN223780351U 2026-01-09 陸順開、周子琛、張輝
43 一種氣體流量控制閥、氣體輸送裝置及氣體供應方法 發明專利 實質審查的生效、公佈 CN202411976013.2 2024-12-31 CN119374033A 2025-01-28 徐志鵬、倪圖強、連增迪
44 化學氣相沉積設備 實用新型 授權 CN202423319091.3 2024-12-31 CN223780363U 2026-01-09 朱泉松、莊宇峰、呂術亮、李遠
45 一種晶圓承載組件及半導體處理設備 實用新型 授權 CN202423320135.4 2024-12-31 CN223899675U 2026-02-10 陳星棋
46 一種用於氣櫃可燃性測試的系統及方法 發明專利 實質審查的生效、公佈 CN202411980652.6 2024-12-30 CN119375415A 2025-01-28 王治平、宋飄、宋常徵、權漢釗
47 一種射頻發生器、半導體處理設備及使用方法 發明專利 授權、實質審查的生效、公佈 CN202411969617.4 2024-12-30 CN119382671B 2025-09-12 徐志鵬、常健、王亞軍
48 一種半導體工藝平臺 實用新型 授權 CN202423296470.5 2024-12-30 CN223660196U 2025-12-12 陶珩、何偉業、許燦、王能語、楊閏清、吳紅星、廖臘財、桑成松、劉學濱、陳冬、劉青、劉雯伊
49 一種半導體處理設備及其固態前驅體輸送系統和輸送方法 發明專利 授權、實質審查的生效、實質審查的生效、公佈 CN202411947571.6 2024-12-26 CN119372628B 2025-03-18 莊宇峰、朱泉松、李遠、孫家鑫
50 一種用於半導體處理設備的氣體輸送裝置和氣體通路模塊 實用新型 授權 CN202423230256.X 2024-12-25 CN223524974U 2025-11-07 姜學斌、彭建錄、梁鼕鼕、周楚秦、張嘉赫

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責任編輯:小浪快報

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