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天岳先進取得碳化硅檢測相關專利,無損檢測碳化硅晶棒空洞並確定位置

2026-06-23 09:14

6月23日消息,國家知識產權局信息顯示,山東天岳先進科技股份有限公司申請一項名為「一種碳化硅晶棒內部空洞的無損檢測系統及方法」的專利,授權公告號CN117074518B,授權公告日為2026年6月19日。申請公佈號為CN117074518A,申請號為CN202310969171.4,申請公佈日期為2026年6月19日,申請日期為2023年8月2日,發明人宋猛、王旗、徐光明、高超、竇文濤、周敏、高立志、劉欣、張紅巖、舒天宇,專利代理機構北京君慧知識產權代理事務所(普通合夥),專利代理師邢偉,分類號G01N27/90。

專利摘要顯示,本發明公開了一種碳化硅晶棒內部空洞的無損檢測系統,該無損檢測系統包括渦流探頭、變頻交流電發生器、第一渦流探測傳感器、第二渦流探測傳感器、定位探頭、終端和樣品託。本發明通過渦流探頭和第一渦流探測傳感器的配合,確定檢測點下方存在空洞,並初步判斷空洞位置,同時通過定位探頭和第二渦流探測傳感器的配合,實現了空洞位置的確定。本發明在對碳化硅晶棒的空洞檢測的過程中,無須採用切片顯微檢測的方式,不會對碳化硅晶棒產生破壞,在檢測完成后碳化硅晶棒仍可繼續使用,同時可以確定空洞位置,便於根據空洞位置對存在空洞的碳化硅晶棒進行后續處理。

天岳先進成立於2010年11月2日,於2022年1月12日在上海證券交易所上市,註冊地址與辦公地址均涉及山東省濟南市。該公司是國內領先的碳化硅襯底製造商,具備領先的技術優勢和產能規模,極具投資價值。

天岳先進主要從事碳化硅襯底的研發、生產和銷售,所屬申萬行業為電子 - 半導體 - 半導體材料,屬於半導體材料、科創企業同股同權、智能電網概念板塊。

在2025年經營業績方面,天岳先進營業收入為14.65億元,行業排名9/26,低於第一名有研新材的95.42億元和第二名雅克科技的86.11億元,高於行業中位數11.14億元,但低於行業平均數19.89億元。主營業務中,碳化硅半導體材料收入12.25億元,佔比83.62%,其他(補充)收入2.4億元,佔比16.38%。淨利潤為 - 2.09億元,行業排名24/26,遠低於第一名雅克科技的10.3億元和第二名江豐電子的4.14億元,也低於行業平均數3265.85萬元和行業中位數8178.71萬元。

山東天岳先進科技股份有限公司近期專利情況如下:

序號 專利名稱 專利類型 法律狀態 申請號 申請日期 公開(公告)號 公開(公告)日期 發明人
1 一種低雜質含量的氧化鎵晶體及其生長方法 發明專利 實質審查的生效、公佈 CN202610410657.8 2026-03-31 CN122013320A 2026-05-12 周惠琴、朱燦、黨一帆、陳鵬磊、劉鵬飛、朱永海、尹國先、樊志鵬
2 一種低應力、高平整性的P型SiC襯底與調控裝置 發明專利 公佈 CN202610414730.9 2026-03-31 CN122147534A 2026-06-05 黨一帆、朱燦、陳鵬磊、劉鵬飛、周惠琴、張九陽、熱尼亞、朱永海、靳婉琪
3 一種氧化鎵晶體同步生長裝置及生長方法 發明專利 公佈 CN202610402210.6 2026-03-30 CN122147528A 2026-06-05 周惠琴、朱燦、黨一帆、陳鵬磊、劉鵬飛、朱永海、尹國先、樊志鵬
4 一種高平整度碳化硅晶棒及其製備方法、製備裝置 發明專利 實質審查的生效、公佈 CN202610004935.X 2026-01-05 CN121989120A 2026-05-08 劉碩、宋猛、王凱、馬立興、熱尼亞、靳婉琪
5 一種適用於硅碳負極的球形樹脂小球及球形多孔碳及其製備方法 發明專利 授權 CN202511632233.8 2025-11-10 CN121076115B 2026-02-24 郭兆靖、梁慶瑞、宋福州、馬健碩
6 一種高耐壓球形多孔碳及其製備方法和應用 發明專利 實質審查的生效、公佈 CN202511382485.X 2025-09-25 CN121342017A 2026-01-16 郭兆靖、宋福州、梁慶瑞
7 一種n型碳化硅晶體及其液相生長方法 發明專利 公佈 CN202510946435.3 2025-07-09 CN120945487A 2025-11-14 陳鵬磊、黨一帆、劉鵬飛、朱燦、劉圓圓、高超
8 一種氧化鎵晶體向下生長的長晶裝置及長晶方法 發明專利 實質審查的生效、公佈 CN202510810956.6 2025-06-17 CN120575323A 2025-09-02 周惠琴、朱燦、黨一帆、朱永海、陳鵬磊、劉鵬飛、宋生
9 一種頂部籽晶生長氧化鎵單晶的裝置及方法 發明專利 實質審查的生效、公佈 CN202510810955.1 2025-06-17 CN120575322A 2025-09-02 周惠琴、朱燦、黨一帆、朱永海、陳鵬磊、劉鵬飛、高宇晗
10 一種新型布里奇曼法氧化鎵單晶生長用坩堝及生長方法 發明專利 實質審查的生效、公佈 CN202510810954.7 2025-06-17 CN120591880A 2025-09-05 周惠琴、朱燦、黨一帆、朱永海、陳鵬磊、劉鵬飛、趙樹春
11 一種低倒角粗糙度的碳化硅襯底及雙面激光倒角工藝、雙面激光倒角設備 發明專利 實質審查的生效、公佈 CN202510701883.7 2025-05-28 CN120568822A 2025-08-29 劉碩、王旗、宋猛、熱尼亞、王凱、靳婉琪、李香林
12 一種低位錯、高平整度的碳化硅襯底及其製備方法 發明專利 實質審查的生效、公佈 CN202510335295.6 2025-03-20 CN120138807A 2025-06-13 王振行、趙建國、李昊、劉星、石志強、高宇晗、楊曉俐、高超
13 一種低缺陷密度碳化硅晶體、襯底及生長裝置、生長方法 發明專利 實質審查的生效、公佈 CN202510122558.5 2025-01-26 CN119824542A 2025-04-15 朱燦、黨一帆、陳鵬磊、劉鵬飛、宗艷民、趙樹春、高宇晗、宋建、周敏
14 一種低基平面位錯P型碳化硅晶體和襯底及生長設備、生長方法 發明專利 實質審查的生效、公佈 CN202510124261.2 2025-01-26 CN119824545A 2025-04-15 朱燦、黨一帆、陳鵬磊、劉鵬飛、竇文濤、張紅巖、周敏、宋建、石志強
15 小應力晶體和襯底及可控降温速度的晶體生長裝置和晶體生長方法 發明專利 實質審查的生效、公佈 CN202510124260.8 2025-01-26 CN119824544A 2025-04-15 朱燦、黨一帆、陳鵬磊、劉鵬飛、石志強、宋建、周敏
16 一種P型晶體及液相生長裝置和液相生長方法 發明專利 實質審查的生效、公佈 CN202510124259.5 2025-01-26 CN119824543A 2025-04-15 朱燦、黨一帆、陳鵬磊、劉鵬飛、宗艷民、劉家朋、周敏、宋建、石志強
17 一種長晶爐測温儀的校準檢測裝置 發明專利 實質審查的生效、公佈 CN202510017290.9 2025-01-06 CN119803729A 2025-04-11 馬振華、宋建、陰法波、張健、龐茂鑫、宗耀國
18 一種高效長晶爐測温儀的校準檢測方法、設備及介質 發明專利 實質審查的生效、公佈 CN202510017294.7 2025-01-06 CN119803730A 2025-04-11 馬振華、宋建、陰法波、張健、龐茂鑫、宗耀國
19 一種黑磷碳負極及其合成方法和合成設備、包括其的電池 發明專利 實質審查的生效、公佈 CN202510017292.8 2025-01-06 CN119812276A 2025-04-11 郭兆靖、王瑞、宋福州、梁慶瑞
20 一種低電阻P型碳化硅晶體、碳化硅襯底及半導體單晶的液相生長方法 發明專利 實質審查的生效、公佈 CN202411758464.9 2024-12-03 CN119372783A 2025-01-28 黨一帆、朱燦、劉鵬飛、陳超、周惠琴、彭紅宇、張紅巖、朱智勇
21 一種半導體單晶的液相生長設備和液相生長方法 發明專利 實質審查的生效、公佈 CN202411758461.5 2024-12-03 CN119372759A 2025-01-28 黨一帆、朱燦、劉鵬飛、陳超、周惠琴、陳鵬磊、周煜、劉碩
22 一種提高半導體晶體質量的液相生長裝置及液相生長方法 發明專利 實質審查的生效、公佈 CN202411758462.X 2024-12-03 CN119372760A 2025-01-28 黨一帆、朱燦、劉鵬飛、陳超、周惠琴、王立鳳、李印、馬立興
23 一種低位錯、低應力的P型碳化硅晶體及碳化硅襯底 發明專利 實質審查的生效、公佈 CN202411758469.1 2024-12-03 CN119571461A 2025-03-07 黨一帆、朱燦、劉鵬飛、陳超、周惠琴、周煜、劉碩、王立鳳、張紅巖
24 一種高質量P型碳化硅晶體及碳化硅襯底 發明專利 實質審查的生效、公佈 CN202411758466.8 2024-12-03 CN119615370A 2025-03-14 黨一帆、朱燦、劉鵬飛、陳超、周惠琴、張紅巖、王立鳳、王曉
25 一種行星式旋轉切割半導體的切割設備和切割方法 發明專利 實質審查的生效、公佈 CN202411665032.3 2024-11-20 CN119388604A 2025-02-07 張九陽、梁慶瑞、王瑞、李印、邵殿領、孫詩甫、薛港生
26 一種基平面彎曲小且光程差小的SiC晶體和SiC襯底 發明專利 實質審查的生效、實質審查的生效、公佈 CN202411665030.4 2024-11-20 CN119507050A 2025-02-25 張九陽、高超、彭紅宇、張紅巖、王永方、李祥皓、李香林、李瞳、靳婉琪
27 一種光程差小的半絕緣型碳化硅晶體及碳化硅襯底 發明專利 實質審查的生效、實質審查的生效、公佈 CN202411665021.5 2024-11-20 CN119507049A 2025-02-25 張九陽、高超、趙樹春、李霞、張寧、劉圓圓、孟慶豪、王路平、周坤、劉浩
28 一種精準定位開裝的感應爐 發明專利 實質審查的生效、公佈 CN202411657186.8 2024-11-19 CN119353918A 2025-01-24 張九陽、徐光明、王凱、彭紅宇、李帥、孫元行、宋猛
29 一種低內應力的SiC晶體和SiC襯底 發明專利 實質審查的生效、實質審查的生效、公佈 CN202411657191.9 2024-11-19 CN119507047A 2025-02-25 張九陽、高超、楊曉俐、高宇晗、舒天宇、方帥、宋猛、王宗玉
30 一種石墨化碳纖維布 發明專利 實質審查的生效、公佈 CN202411657187.2 2024-11-19 CN119528488A 2025-02-28 張九陽、寧秀秀、方帥、王宗玉、王路平、高宇晗、楊曉俐、徐光明
31 一種面內光程差小且均勻的SiC晶體及SiC襯底 發明專利 實質審查的生效、公佈 CN202411657189.1 2024-11-19 CN119553368A 2025-03-04 張九陽、高超、張紅巖、寧秀秀、舒天宇、趙樹春、李霞、王路平、潘亞妮
32 一種多爐臺特殊氣體綜合利用設備 實用新型 授權 CN202422696300.X 2024-11-05 CN223319575U 2025-09-09 李文強、張健、宋建、陰法波、周敏
33 一種測温裝置 實用新型 授權 CN202422678993.X 2024-11-04 CN223691884U 2025-12-19 張健、張會安、王勃、衞照洋、宋建、周敏、趙樹春、高立志、張長銀、滕永懂
34 一種曲率半徑大且分佈均勻的4H碳化硅晶棒及製備方法和應用 發明專利 授權、實質審查的生效、公佈 CN202411546268.5 2024-11-01 CN119061481B 2025-03-14 宋猛、王振行、高超、王凱、薛成業、苗澤、許長波
35 一種大尺寸、低電阻4H碳化硅晶棒、低電阻4H碳化硅晶片及製備方法 發明專利 授權、公佈 CN202411546269.X 2024-11-01 CN119041030B 2025-04-18 宋猛、楊曉俐、張九陽、許長波、徐光明、王凱、高超
36 一種高温真空爐旋轉主軸的電信號傳遞結構 發明專利 實質審查的生效、公佈 CN202411483925.6 2024-10-23 CN119321804A 2025-01-17 張健、宋建、馬振華、程望、竇文濤、周敏、趙樹春、高立志
37 一種n型碳化硅單晶晶體、n型碳化硅襯底及半導體器件 發明專利 實質審查的生效、公佈 CN202411417854.X 2024-10-11 CN119287518A 2025-01-10 高宇晗、高超、方帥、王路平、王宗玉、石志強、楊曉俐、寧秀秀
38 一種碳化硅晶體循環生產過程中廢棄物料自動剷鑿裝置及方法 發明專利 實質審查的生效、公佈 CN202411335517.6 2024-09-24 CN119077989A 2024-12-06 宋建、張健、李文強、龐茂鑫、陳一棟、趙樹春、周敏、薛傳藝、竇文濤、高立志
39 一種縫隙扳手 實用新型 授權 CN202422144280.5 2024-09-02 CN223466222U 2025-10-24 張會安、張健、宋建、周敏、高立志、薛傳藝、張長銀、趙建國、滕永懂
40 一種3C-SiC晶片或3C-SiC薄膜的打標方法及其應用 發明專利 實質審查的生效、公佈 CN202411193279.X 2024-08-28 CN118848262A 2024-10-29 宋猛、俆光明、黨一帆、王凱、王旗、劉碩、李祥皓、高超
41 一種確定3C-SiC晶體晶向的方法及一種確定3C-SiC晶片或3C-SiC薄膜打標方向的方法 發明專利 實質審查的生效、公佈 CN202411193290.6 2024-08-28 CN119104579A 2024-12-10 宋猛、黨一帆、王凱、王旗、俆光明、楊曉俐、劉碩、舒天宇、高超
42 一種降低碳化硅單晶製備成本的液相生長用坩堝及液相製備方法 發明專利 公佈 CN202410997446.X 2024-07-24 CN118910714A 2024-11-08 黨一帆、朱燦、劉鵬飛、陳鵬磊、宋建、周敏、趙樹春、趙建國
43 一種新型碳化硅晶體生長坩堝 實用新型 授權 CN202421404249.4 2024-06-19 CN222809590U 2025-04-29 趙光利、史建偉、許登基、楊振魯、袁祥瑞
44 一種齒圈襯套內襯更換工裝及更換設備 實用新型 授權 CN202421153738.7 2024-05-24 CN222289820U 2025-01-03 楊洋、劉樂樂、鄭柯、宋健、周敏、趙樹春、竇文濤、王雅儒、高立志、薛傳藝、張長銀、趙建國、滕永懂
45 一種用於長晶爐感應線圈的升降裝置及其安裝方法 發明專利 實質審查的生效、公佈 CN202410640686.4 2024-05-22 CN118497899A 2024-08-16 朱智勇、寧秀秀、張維剛、張長銀、王振宇
46 一種用於長晶爐感應線圈的升降裝置 實用新型 授權、公佈 CN202421130329.5 2024-05-22 CN222274793U 2024-12-31 朱智勇、寧秀秀、張維剛、張長銀、王振宇
47 一種高品質碳化硅襯底及其製備方法和半導體器件 發明專利 授權、公佈 CN202410586417.4 2024-05-13 CN118147740B 2024-08-13 高超、高宇晗、楊曉俐、石志強、彭紅宇、潘亞妮、方帥
48 一種高品質碳化硅襯底及其製備方法和半導體器件 發明專利 實質審查的生效、公佈 CN202411279470.6 2024-05-13 CN119121384A 2024-12-13 高超、石志強、楊曉俐、潘亞妮、高宇晗、方帥、彭紅宇
49 一種金剛石襯底的表面處理方法 發明專利 授權、實質審查的生效、公佈 CN202410579028.9 2024-05-11 CN118143760B 2024-07-05 王旗、劉碩、朱燦、馬立興、李碩、宋猛、王凱、徐光明、劉旭、隋曉明
50 一種大尺寸金剛石的拼接生長方法 發明專利 授權、實質審查的生效、公佈 CN202410579038.2 2024-05-11 CN118147748B 2024-07-19 王旗、朱燦、宋猛、劉碩、王凱、黨一帆、宋生、李霞、寧秀秀、張九陽、方帥

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