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2026-06-23 09:14
6月23日消息,國家知識產權局信息顯示,山東天岳先進科技股份有限公司申請一項名為「一種碳化硅晶棒內部空洞的無損檢測系統及方法」的專利,授權公告號CN117074518B,授權公告日為2026年6月19日。申請公佈號為CN117074518A,申請號為CN202310969171.4,申請公佈日期為2026年6月19日,申請日期為2023年8月2日,發明人宋猛、王旗、徐光明、高超、竇文濤、周敏、高立志、劉欣、張紅巖、舒天宇,專利代理機構北京君慧知識產權代理事務所(普通合夥),專利代理師邢偉,分類號G01N27/90。
專利摘要顯示,本發明公開了一種碳化硅晶棒內部空洞的無損檢測系統,該無損檢測系統包括渦流探頭、變頻交流電發生器、第一渦流探測傳感器、第二渦流探測傳感器、定位探頭、終端和樣品託。本發明通過渦流探頭和第一渦流探測傳感器的配合,確定檢測點下方存在空洞,並初步判斷空洞位置,同時通過定位探頭和第二渦流探測傳感器的配合,實現了空洞位置的確定。本發明在對碳化硅晶棒的空洞檢測的過程中,無須採用切片顯微檢測的方式,不會對碳化硅晶棒產生破壞,在檢測完成后碳化硅晶棒仍可繼續使用,同時可以確定空洞位置,便於根據空洞位置對存在空洞的碳化硅晶棒進行后續處理。
天岳先進成立於2010年11月2日,於2022年1月12日在上海證券交易所上市,註冊地址與辦公地址均涉及山東省濟南市。該公司是國內領先的碳化硅襯底製造商,具備領先的技術優勢和產能規模,極具投資價值。
天岳先進主要從事碳化硅襯底的研發、生產和銷售,所屬申萬行業為電子 - 半導體 - 半導體材料,屬於半導體材料、科創企業同股同權、智能電網概念板塊。
在2025年經營業績方面,天岳先進營業收入為14.65億元,行業排名9/26,低於第一名有研新材的95.42億元和第二名雅克科技的86.11億元,高於行業中位數11.14億元,但低於行業平均數19.89億元。主營業務中,碳化硅半導體材料收入12.25億元,佔比83.62%,其他(補充)收入2.4億元,佔比16.38%。淨利潤為 - 2.09億元,行業排名24/26,遠低於第一名雅克科技的10.3億元和第二名江豐電子的4.14億元,也低於行業平均數3265.85萬元和行業中位數8178.71萬元。
山東天岳先進科技股份有限公司近期專利情況如下:
| 序號 | 專利名稱 | 專利類型 | 法律狀態 | 申請號 | 申請日期 | 公開(公告)號 | 公開(公告)日期 | 發明人 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1 | 一種低雜質含量的氧化鎵晶體及其生長方法 | 發明專利 | 實質審查的生效、公佈 | CN202610410657.8 | 2026-03-31 | CN122013320A | 2026-05-12 | 周惠琴、朱燦、黨一帆、陳鵬磊、劉鵬飛、朱永海、尹國先、樊志鵬 |
| 2 | 一種低應力、高平整性的P型SiC襯底與調控裝置 | 發明專利 | 公佈 | CN202610414730.9 | 2026-03-31 | CN122147534A | 2026-06-05 | 黨一帆、朱燦、陳鵬磊、劉鵬飛、周惠琴、張九陽、熱尼亞、朱永海、靳婉琪 |
| 3 | 一種氧化鎵晶體同步生長裝置及生長方法 | 發明專利 | 公佈 | CN202610402210.6 | 2026-03-30 | CN122147528A | 2026-06-05 | 周惠琴、朱燦、黨一帆、陳鵬磊、劉鵬飛、朱永海、尹國先、樊志鵬 |
| 4 | 一種高平整度碳化硅晶棒及其製備方法、製備裝置 | 發明專利 | 實質審查的生效、公佈 | CN202610004935.X | 2026-01-05 | CN121989120A | 2026-05-08 | 劉碩、宋猛、王凱、馬立興、熱尼亞、靳婉琪 |
| 5 | 一種適用於硅碳負極的球形樹脂小球及球形多孔碳及其製備方法 | 發明專利 | 授權 | CN202511632233.8 | 2025-11-10 | CN121076115B | 2026-02-24 | 郭兆靖、梁慶瑞、宋福州、馬健碩 |
| 6 | 一種高耐壓球形多孔碳及其製備方法和應用 | 發明專利 | 實質審查的生效、公佈 | CN202511382485.X | 2025-09-25 | CN121342017A | 2026-01-16 | 郭兆靖、宋福州、梁慶瑞 |
| 7 | 一種n型碳化硅晶體及其液相生長方法 | 發明專利 | 公佈 | CN202510946435.3 | 2025-07-09 | CN120945487A | 2025-11-14 | 陳鵬磊、黨一帆、劉鵬飛、朱燦、劉圓圓、高超 |
| 8 | 一種氧化鎵晶體向下生長的長晶裝置及長晶方法 | 發明專利 | 實質審查的生效、公佈 | CN202510810956.6 | 2025-06-17 | CN120575323A | 2025-09-02 | 周惠琴、朱燦、黨一帆、朱永海、陳鵬磊、劉鵬飛、宋生 |
| 9 | 一種頂部籽晶生長氧化鎵單晶的裝置及方法 | 發明專利 | 實質審查的生效、公佈 | CN202510810955.1 | 2025-06-17 | CN120575322A | 2025-09-02 | 周惠琴、朱燦、黨一帆、朱永海、陳鵬磊、劉鵬飛、高宇晗 |
| 10 | 一種新型布里奇曼法氧化鎵單晶生長用坩堝及生長方法 | 發明專利 | 實質審查的生效、公佈 | CN202510810954.7 | 2025-06-17 | CN120591880A | 2025-09-05 | 周惠琴、朱燦、黨一帆、朱永海、陳鵬磊、劉鵬飛、趙樹春 |
| 11 | 一種低倒角粗糙度的碳化硅襯底及雙面激光倒角工藝、雙面激光倒角設備 | 發明專利 | 實質審查的生效、公佈 | CN202510701883.7 | 2025-05-28 | CN120568822A | 2025-08-29 | 劉碩、王旗、宋猛、熱尼亞、王凱、靳婉琪、李香林 |
| 12 | 一種低位錯、高平整度的碳化硅襯底及其製備方法 | 發明專利 | 實質審查的生效、公佈 | CN202510335295.6 | 2025-03-20 | CN120138807A | 2025-06-13 | 王振行、趙建國、李昊、劉星、石志強、高宇晗、楊曉俐、高超 |
| 13 | 一種低缺陷密度碳化硅晶體、襯底及生長裝置、生長方法 | 發明專利 | 實質審查的生效、公佈 | CN202510122558.5 | 2025-01-26 | CN119824542A | 2025-04-15 | 朱燦、黨一帆、陳鵬磊、劉鵬飛、宗艷民、趙樹春、高宇晗、宋建、周敏 |
| 14 | 一種低基平面位錯P型碳化硅晶體和襯底及生長設備、生長方法 | 發明專利 | 實質審查的生效、公佈 | CN202510124261.2 | 2025-01-26 | CN119824545A | 2025-04-15 | 朱燦、黨一帆、陳鵬磊、劉鵬飛、竇文濤、張紅巖、周敏、宋建、石志強 |
| 15 | 小應力晶體和襯底及可控降温速度的晶體生長裝置和晶體生長方法 | 發明專利 | 實質審查的生效、公佈 | CN202510124260.8 | 2025-01-26 | CN119824544A | 2025-04-15 | 朱燦、黨一帆、陳鵬磊、劉鵬飛、石志強、宋建、周敏 |
| 16 | 一種P型晶體及液相生長裝置和液相生長方法 | 發明專利 | 實質審查的生效、公佈 | CN202510124259.5 | 2025-01-26 | CN119824543A | 2025-04-15 | 朱燦、黨一帆、陳鵬磊、劉鵬飛、宗艷民、劉家朋、周敏、宋建、石志強 |
| 17 | 一種長晶爐測温儀的校準檢測裝置 | 發明專利 | 實質審查的生效、公佈 | CN202510017290.9 | 2025-01-06 | CN119803729A | 2025-04-11 | 馬振華、宋建、陰法波、張健、龐茂鑫、宗耀國 |
| 18 | 一種高效長晶爐測温儀的校準檢測方法、設備及介質 | 發明專利 | 實質審查的生效、公佈 | CN202510017294.7 | 2025-01-06 | CN119803730A | 2025-04-11 | 馬振華、宋建、陰法波、張健、龐茂鑫、宗耀國 |
| 19 | 一種黑磷碳負極及其合成方法和合成設備、包括其的電池 | 發明專利 | 實質審查的生效、公佈 | CN202510017292.8 | 2025-01-06 | CN119812276A | 2025-04-11 | 郭兆靖、王瑞、宋福州、梁慶瑞 |
| 20 | 一種低電阻P型碳化硅晶體、碳化硅襯底及半導體單晶的液相生長方法 | 發明專利 | 實質審查的生效、公佈 | CN202411758464.9 | 2024-12-03 | CN119372783A | 2025-01-28 | 黨一帆、朱燦、劉鵬飛、陳超、周惠琴、彭紅宇、張紅巖、朱智勇 |
| 21 | 一種半導體單晶的液相生長設備和液相生長方法 | 發明專利 | 實質審查的生效、公佈 | CN202411758461.5 | 2024-12-03 | CN119372759A | 2025-01-28 | 黨一帆、朱燦、劉鵬飛、陳超、周惠琴、陳鵬磊、周煜、劉碩 |
| 22 | 一種提高半導體晶體質量的液相生長裝置及液相生長方法 | 發明專利 | 實質審查的生效、公佈 | CN202411758462.X | 2024-12-03 | CN119372760A | 2025-01-28 | 黨一帆、朱燦、劉鵬飛、陳超、周惠琴、王立鳳、李印、馬立興 |
| 23 | 一種低位錯、低應力的P型碳化硅晶體及碳化硅襯底 | 發明專利 | 實質審查的生效、公佈 | CN202411758469.1 | 2024-12-03 | CN119571461A | 2025-03-07 | 黨一帆、朱燦、劉鵬飛、陳超、周惠琴、周煜、劉碩、王立鳳、張紅巖 |
| 24 | 一種高質量P型碳化硅晶體及碳化硅襯底 | 發明專利 | 實質審查的生效、公佈 | CN202411758466.8 | 2024-12-03 | CN119615370A | 2025-03-14 | 黨一帆、朱燦、劉鵬飛、陳超、周惠琴、張紅巖、王立鳳、王曉 |
| 25 | 一種行星式旋轉切割半導體的切割設備和切割方法 | 發明專利 | 實質審查的生效、公佈 | CN202411665032.3 | 2024-11-20 | CN119388604A | 2025-02-07 | 張九陽、梁慶瑞、王瑞、李印、邵殿領、孫詩甫、薛港生 |
| 26 | 一種基平面彎曲小且光程差小的SiC晶體和SiC襯底 | 發明專利 | 實質審查的生效、實質審查的生效、公佈 | CN202411665030.4 | 2024-11-20 | CN119507050A | 2025-02-25 | 張九陽、高超、彭紅宇、張紅巖、王永方、李祥皓、李香林、李瞳、靳婉琪 |
| 27 | 一種光程差小的半絕緣型碳化硅晶體及碳化硅襯底 | 發明專利 | 實質審查的生效、實質審查的生效、公佈 | CN202411665021.5 | 2024-11-20 | CN119507049A | 2025-02-25 | 張九陽、高超、趙樹春、李霞、張寧、劉圓圓、孟慶豪、王路平、周坤、劉浩 |
| 28 | 一種精準定位開裝的感應爐 | 發明專利 | 實質審查的生效、公佈 | CN202411657186.8 | 2024-11-19 | CN119353918A | 2025-01-24 | 張九陽、徐光明、王凱、彭紅宇、李帥、孫元行、宋猛 |
| 29 | 一種低內應力的SiC晶體和SiC襯底 | 發明專利 | 實質審查的生效、實質審查的生效、公佈 | CN202411657191.9 | 2024-11-19 | CN119507047A | 2025-02-25 | 張九陽、高超、楊曉俐、高宇晗、舒天宇、方帥、宋猛、王宗玉 |
| 30 | 一種石墨化碳纖維布 | 發明專利 | 實質審查的生效、公佈 | CN202411657187.2 | 2024-11-19 | CN119528488A | 2025-02-28 | 張九陽、寧秀秀、方帥、王宗玉、王路平、高宇晗、楊曉俐、徐光明 |
| 31 | 一種面內光程差小且均勻的SiC晶體及SiC襯底 | 發明專利 | 實質審查的生效、公佈 | CN202411657189.1 | 2024-11-19 | CN119553368A | 2025-03-04 | 張九陽、高超、張紅巖、寧秀秀、舒天宇、趙樹春、李霞、王路平、潘亞妮 |
| 32 | 一種多爐臺特殊氣體綜合利用設備 | 實用新型 | 授權 | CN202422696300.X | 2024-11-05 | CN223319575U | 2025-09-09 | 李文強、張健、宋建、陰法波、周敏 |
| 33 | 一種測温裝置 | 實用新型 | 授權 | CN202422678993.X | 2024-11-04 | CN223691884U | 2025-12-19 | 張健、張會安、王勃、衞照洋、宋建、周敏、趙樹春、高立志、張長銀、滕永懂 |
| 34 | 一種曲率半徑大且分佈均勻的4H碳化硅晶棒及製備方法和應用 | 發明專利 | 授權、實質審查的生效、公佈 | CN202411546268.5 | 2024-11-01 | CN119061481B | 2025-03-14 | 宋猛、王振行、高超、王凱、薛成業、苗澤、許長波 |
| 35 | 一種大尺寸、低電阻4H碳化硅晶棒、低電阻4H碳化硅晶片及製備方法 | 發明專利 | 授權、公佈 | CN202411546269.X | 2024-11-01 | CN119041030B | 2025-04-18 | 宋猛、楊曉俐、張九陽、許長波、徐光明、王凱、高超 |
| 36 | 一種高温真空爐旋轉主軸的電信號傳遞結構 | 發明專利 | 實質審查的生效、公佈 | CN202411483925.6 | 2024-10-23 | CN119321804A | 2025-01-17 | 張健、宋建、馬振華、程望、竇文濤、周敏、趙樹春、高立志 |
| 37 | 一種n型碳化硅單晶晶體、n型碳化硅襯底及半導體器件 | 發明專利 | 實質審查的生效、公佈 | CN202411417854.X | 2024-10-11 | CN119287518A | 2025-01-10 | 高宇晗、高超、方帥、王路平、王宗玉、石志強、楊曉俐、寧秀秀 |
| 38 | 一種碳化硅晶體循環生產過程中廢棄物料自動剷鑿裝置及方法 | 發明專利 | 實質審查的生效、公佈 | CN202411335517.6 | 2024-09-24 | CN119077989A | 2024-12-06 | 宋建、張健、李文強、龐茂鑫、陳一棟、趙樹春、周敏、薛傳藝、竇文濤、高立志 |
| 39 | 一種縫隙扳手 | 實用新型 | 授權 | CN202422144280.5 | 2024-09-02 | CN223466222U | 2025-10-24 | 張會安、張健、宋建、周敏、高立志、薛傳藝、張長銀、趙建國、滕永懂 |
| 40 | 一種3C-SiC晶片或3C-SiC薄膜的打標方法及其應用 | 發明專利 | 實質審查的生效、公佈 | CN202411193279.X | 2024-08-28 | CN118848262A | 2024-10-29 | 宋猛、俆光明、黨一帆、王凱、王旗、劉碩、李祥皓、高超 |
| 41 | 一種確定3C-SiC晶體晶向的方法及一種確定3C-SiC晶片或3C-SiC薄膜打標方向的方法 | 發明專利 | 實質審查的生效、公佈 | CN202411193290.6 | 2024-08-28 | CN119104579A | 2024-12-10 | 宋猛、黨一帆、王凱、王旗、俆光明、楊曉俐、劉碩、舒天宇、高超 |
| 42 | 一種降低碳化硅單晶製備成本的液相生長用坩堝及液相製備方法 | 發明專利 | 公佈 | CN202410997446.X | 2024-07-24 | CN118910714A | 2024-11-08 | 黨一帆、朱燦、劉鵬飛、陳鵬磊、宋建、周敏、趙樹春、趙建國 |
| 43 | 一種新型碳化硅晶體生長坩堝 | 實用新型 | 授權 | CN202421404249.4 | 2024-06-19 | CN222809590U | 2025-04-29 | 趙光利、史建偉、許登基、楊振魯、袁祥瑞 |
| 44 | 一種齒圈襯套內襯更換工裝及更換設備 | 實用新型 | 授權 | CN202421153738.7 | 2024-05-24 | CN222289820U | 2025-01-03 | 楊洋、劉樂樂、鄭柯、宋健、周敏、趙樹春、竇文濤、王雅儒、高立志、薛傳藝、張長銀、趙建國、滕永懂 |
| 45 | 一種用於長晶爐感應線圈的升降裝置及其安裝方法 | 發明專利 | 實質審查的生效、公佈 | CN202410640686.4 | 2024-05-22 | CN118497899A | 2024-08-16 | 朱智勇、寧秀秀、張維剛、張長銀、王振宇 |
| 46 | 一種用於長晶爐感應線圈的升降裝置 | 實用新型 | 授權、公佈 | CN202421130329.5 | 2024-05-22 | CN222274793U | 2024-12-31 | 朱智勇、寧秀秀、張維剛、張長銀、王振宇 |
| 47 | 一種高品質碳化硅襯底及其製備方法和半導體器件 | 發明專利 | 授權、公佈 | CN202410586417.4 | 2024-05-13 | CN118147740B | 2024-08-13 | 高超、高宇晗、楊曉俐、石志強、彭紅宇、潘亞妮、方帥 |
| 48 | 一種高品質碳化硅襯底及其製備方法和半導體器件 | 發明專利 | 實質審查的生效、公佈 | CN202411279470.6 | 2024-05-13 | CN119121384A | 2024-12-13 | 高超、石志強、楊曉俐、潘亞妮、高宇晗、方帥、彭紅宇 |
| 49 | 一種金剛石襯底的表面處理方法 | 發明專利 | 授權、實質審查的生效、公佈 | CN202410579028.9 | 2024-05-11 | CN118143760B | 2024-07-05 | 王旗、劉碩、朱燦、馬立興、李碩、宋猛、王凱、徐光明、劉旭、隋曉明 |
| 50 | 一種大尺寸金剛石的拼接生長方法 | 發明專利 | 授權、實質審查的生效、公佈 | CN202410579038.2 | 2024-05-11 | CN118147748B | 2024-07-19 | 王旗、朱燦、宋猛、劉碩、王凱、黨一帆、宋生、李霞、寧秀秀、張九陽、方帥 |
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