AI內存極限再創突破！SK海力士宣佈交付12層HBM4E樣品

財聯社6月18日訊（編輯 劉蕊）本周四，SK海力士公司宣佈，已向主要客户交付了新一代AI用DRAM——HBM4E的12層堆疊樣品。此舉有助於鞏固該公司在快速發展的AI芯片市場中的龍頭地位。

SK海力士在聲明表示：

「得益於公司在HBM領域的先進研發和生產技術，我們能夠按時交付12層HBM4E的樣品…我們將與合作伙伴緊密協作，確保實現及時的大規模量產。」

消息公佈后，SK海力士股價周四在韓股市場上漲4.17%，其主要競爭對手三星股價則微漲0.87%。年初至今，SK海力士股價已經累計上漲287%。

目前，SK海力士已經是英偉達主要的HBM供應商，而三星和美光也正在展開激烈競爭。

此次揭開面紗的HBM4E，最大特點是相較上一代HBM4（第六代），在運算性能和功耗效率兩方面都實現了大幅提升。

SK海力士公司聲稱，這款12層HBM4E每引腳（pin）最大數據處理速度達16Gbps，能效較前代型號提升了超過20%。這些改進將有效增強AI訓練和推理的數據處理能力。

這款全新的HBM4E通過最新的接口和設計優化，降低了數據傳輸延迟，同時在高帶寬環境下保持穩定運行。這使客户能夠提高人工智能數據中心和大規模計算系統中數據處理的效率。

SK海力士介紹稱，他們採用先進的MR-MUF1技術製造HBM4E產品，在12層堆疊結構中實現48GB容量，並確保了結構穩定性。這種1MR-MUF（大體積迴流模壓填充）技術是一種用於半導體堆疊的工藝，通過在芯片之間注入液態保護材料以保護電路。

此外，與上一代HBM4相比，新款HBM4E還提升了17%的耐熱性能，從而在高性能計算環境中保障存儲芯片的穩定運行。

SK海力士總裁兼首席開發官 Ahn Hyun表示：

「憑藉領先市場的技術實力和製造經驗，SK海力士已奠定基礎，進一步鞏固其在人工智能領域的領導地位。通過與合作伙伴的緊密協作，我們將為市場提供所需價值，同時強化作為全棧AI內存解決方案提供商的技術領導力。」