三星電子1d DRAM有望明年年底初步量產

財聞海外資訊消息，三星電子正攜手多家合作伙伴，加緊研發用於量產第七代10納米級（1d）DRAM的設備。

業內人士透露，雖然時間表可能會有所調整 ，但量產設備擬於明年第二季度或第三季度導入。考慮到實際量產準備所需的時間，預計三星電子最早也要到明年年底才能開始1D DRAM的初步量產。

1d DRAM的電路線寬為10至11納米。目前商用的最新一代產品是第六代1c DRAM，其線寬約為11至12納米。線寬越窄，DRAM的性能和能效越好。知情人士表示，三星電子的1d DRAM預計被用於第九代高帶寬內存（HBM5E）的核心芯片，該產品擬於2029年實現商業化。