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英偉達新品被指內存容量「縮水」 海內外存儲股應聲重挫

2026-06-06 01:52

  證券時報記者 阮潤生

  2026年以來,存儲上市公司市值不斷創新高,市場正在嘗試將存儲資產從傳統「周期股」轉變為「AI時代核心基礎設施資產」。在此估值切換窗口,海外調研機構SemiAnalysis一則關於英偉達新一代Vera Rubin AI服務器平臺的內存降配、成本下降的研報,引發海內外存儲概念股集體回調。6月5日,SK海力士重挫9.92%,A股存儲器指數下跌4%,佰維存儲江波龍瀾起科技等存儲龍頭股價回落。

  據業內分析,本次報告中所指降配僅限於CPU側系統內存,與GPU算力核心並無關係,這是基於英偉達兼顧供應鏈、功耗、成本的多重戰略選擇。

  內存容量「縮水」引擔憂

  綜合報道顯示,SemiAnalysis最新報告稱,英偉達正在對其下一代Vera Rubin NVL72機架系統的內存配置進行調整,Vera CPU原本配置的192GB SOCAMM(小型壓縮附着內存模組)方案,容量將縮減至96GB,降幅接近一半。

  隨着存儲成本優化,每台Vera Rubin NVL72機架的物料與製造成本將從760萬美元降至680萬美元,單機架節省80萬美元,成本節約10%。

  但這份英偉達新品存儲「減配」的報告,引發市場擔憂,海內外存儲板塊走弱。當地時間6月4日,美光科技收盤大跌7.74%,盤前跌幅收窄至3.26%,英偉達上漲1.94%;6月5日,SK海力士大幅下跌9.92%,A股存儲器指數下跌約4%,佰維存儲和江波龍跌幅均超8%,瀾起科技、兆易創新德明利等跌幅均超過7%。

  隨后,對於SemiAnalysis這份報告,有多份分析「糾偏」,強調該報告所指的SOCAMM模組是採取可插拔模式,匹配Vera CPU側系統內存,所謂容量縮水是屬於階段性彈性配置調整,而非永久性硬件降級。另外,與GPU核心算力相關的HBM並不受影響。

  日前,英偉達已經宣佈NVIDIA Vera Rubin正全面邁向規模化量產,與上一代Grace Blackwell平臺相比,新品在大規模部署時智能體吞吐量提升了10倍。

  針對市場熱議的英偉達新機價格,摩根士丹利曾發佈報告稱,英偉達新一代Vera Rubin(VR200)機架達到約780萬美元,採購價比當前機型計劃翻倍。其中,內存在物料成本漲幅高達435%,PCB(印刷電路板)、MLCC(多層陶瓷電容)等成本也將顯著增加。

  CIC灼識諮詢董事總經理柴代旋此前就向記者表示,英偉達下一代Rubin機架價格暴漲,核心原因是AI硬件的物理瓶頸從算力轉向內存和互聯。

  行業估值生變

  今年以來,全球存儲賽道持續走高,行業估值邏輯開始從「典型周期股」切換為「AI時代的基礎設施資產」。

  行情數據顯示,本次回調前,美光科技年內漲幅已經達到2.78倍,總市值邁入萬億美元大關,SK海力士股價也實現超2倍漲幅,三星電子漲幅接近2倍。特別是在5月下旬,瑞銀大幅上調美光科技目標價,並認為美光科技已轉型為「AI基礎設施成長股」,不再適用傳統周期股低倍數折價,公司加速上漲。A股存儲器指數在4月、5月連續實現約20%漲幅。

  估值快速抬升的同時,行業交易擁擠度持續攀升。根據Wind統計的全市場機構籌碼集中度與大單追蹤數據,當前三星電子和美光科技的估值擁擠度已經相當高。

  在一定程度上,英偉達內存降配消息成為本輪迴調的直接導火索,而年內存儲行情曾多次出現回調。

  今年3月,谷歌提出TurboQuant技術,可實現約6倍內存節省、推理速度提升8倍,相關消息引發了行業與資本市場對存儲技術效率升級的關注,甚至替代存儲需求的擔憂,美光科技等公司股價一度連續回調。

  針對AI存儲技術影響,江波龍副總裁、企業級存儲事業部總經理閆書印曾向證券時報記者表示,行業內圍繞AI存儲效率優化的相關技術持續探索,若能實現落地突破,將降低落地門檻,進一步推動端側AI應用場景的規模化普及。

  景氣度有望延續

  相較於資本市場情緒短期波動,存儲市場長期的供需格局更受關注,行業高景氣邏輯依舊穩固。有存儲主控廠商預計,相關產品供不應求的狀態有望持續到2027年。

  對於存儲行情展望,佰維存儲高管日前在股東會議上表示,存儲漲價由AI算力需求爆發引起,據市場觀點,供需缺口在短期內難以緩解,存儲市場有望持續景氣。公司將持續跟蹤未來存儲行業發展趨勢,並且受益於AI應用及Token調用的需求爆發,后續產品價格仍有一定上升空間,加之原廠已轉向2027年及以后的產能鎖定,公司也將持續關注后續價格走勢。同時,公司存貨採用移動加權平均法計價,整體成本的變化相對平滑,產品價格隨行就市,產品價格傳導路徑較為平順。

  報道顯示,閃迪已簽訂多項最長達5年的長期供應協議。

  據CFM閃存市場機構5月預測,2026年一季度全球DRAM/NAND Flash市場規模達1371.4億美元,環比增長81.6%,同比增長245%,創歷史季度新高。

  該機構此前也預計,存儲產品價格已經歷了連續三個季度大漲,預計2026年第三季度開始漲幅將逐漸收斂,具體產品線上價格會有一些分化。

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