存儲芯片逆市大漲！萬億巨頭SK海力士官宣缺貨至2030年

6月4日，存儲芯片板塊逆市大漲，其中兆易創新（603986.SH）、佰維存儲（688525.SH）等多家公司漲超5%，大為股份（002213.SZ）、太極實業（600667.SH）漲停。消息面上，6月3日，韓國SK集團董事長表示，SK海力士計劃在未來五年將晶圓產能擴大一倍，全球晶圓短缺的狀況可能會持續到2030年。同日，TrendForce集邦諮詢上調第一季度DRAM和NAND Flash合約價漲幅預測，其中常規DRAM合約價從季增55%-60%調整為90%~95%，NAND Flash從33%~38%上調至55%~60%。

據私募排排網，從產業鏈角度看，存儲芯片涉及的四大核心環節——存儲原廠及芯片設計、主控芯片、模組及封測、設備材料——目前均處於供需緊張狀態，但各環節的受益邏輯與持續性存在顯著差異。

本輪景氣傳導的順序大致為：AI服務器需求爆發→原廠及芯片設計業績爆發→模組與封測廠商承接漲價紅利→設備與材料企業進入擴產受益階段。

據私募排排網整理的存儲芯片產業鏈A股名單，原廠及設計公司環節包括華虹公司（688347.SH）、兆易創新、瀾起科技（688008.SH）、普冉股份（688766.SH）、恆爍股份（688416.SH）、北京君正（300223.SZ）、中芯國際（688981.SH）、聚辰股份（688123.SH）、上海貝嶺（600171.SH）、東芯股份（688110.SH）；主控芯片環節包括萬通發展（600246.SH）、江波龍（301308.SZ）、聯芸科技（688449.SH）、德明利（001309.SZ）；模組與封測環節包括立和興、深科技（000021.SZ）、太極實業、華天科技（002185.SZ）、通富微電（002156.SZ）、長電科技（600584.SH）、佰維存儲、朗科科技（300042.SZ）等；設備與材料環節包括中巨芯-U（688549.SH）、江化微（603078.SH）、XD拓荊科（688072.SH）、盛美上海（688082.SH）、雅克科技（002409.SZ）、華海清科（688120.SH）、立昂微（605358.SH）、麥捷科技（300319.SZ）、滬硅產業（688126.SH）、華特氣體（688268.SH）、長川科技（300604.SZ）等。

目前，全球存儲超級周期的狂歡，已在資本市場上演了歷史性的一幕。2026年5月，韓國存儲巨頭SK海力士、三星電子相繼突破萬億美元市值大關。作為英偉達（NVDA.US）AI算力核心供應鏈的樞紐，SK海力士過去一年股價飆升約900%，其中今年來漲幅約為263%。根據Counterpoint Research的數據，SK海力士今年第一季度在全球HBM市場上佔據了58%的份額，三星和美光各佔21%的份額。數據顯示，美股美光科技（MU.US）2026年累計上漲278%，股價亦創下歷史新高。

與此同時，在這場由國際巨頭主導的高端產能競賽中，全球存儲格局正在經歷劇烈重構。DRAM全球三大存儲原廠SK海力士、三星和美光加速向利潤豐厚的HBM傾斜產能——TrendForce預計，HBM佔全球DRAM總投片量的比例已從兩年前的8%激增至23%。這種對通用DRAM的「結構性抽血」，正在全球龐大的中端市場撕開一個巨大的供給缺口。

在此背景下，國產存儲廠商迎來「國產替代」黃金窗口期，國內存儲龍頭正加速突圍。

目前，長鑫存儲正向全球市場發起衝擊。根據TrendForce數據，其全球DRAM產能份額已從兩年前的不足5%增長到2026年的約8%。公司於5月27日科創板IPO過會，擬募資295億元，為科創板史上第二大IPO。

與此同時，長江存儲在2026年一季度的全球NAND市場份額已攀升至約13%，同比增幅高達246%，已追平美光、閃迪（SNDK.US）等國際競品。公司已於5月19日啟動IPO輔導，市場預測估值約3000億元。