黃仁勛概念股又+1：納微半導體暴漲創新高 憑AI電源技術切入「達鏈」

《科創板日報》6月4日訊（編輯 宋子喬） 黃仁勛的「金手指」點到納微半導體，當地時間6月3日，該公司宣佈與英偉達MGX生態系統合作，加速800伏直流人工智能基礎設施建設。

截至美股周三（6月3日）收盤，納微半導體（NVTS.US）股價收漲19.26%，股價創上市以來新高，過去一年該公司股價累計漲幅超三倍，目前總市值72.08億美元。據其此前公佈的2026財年第一季度，當期營收為860萬美元，超出市場預期。

MGX是英偉達面向新一代AI工廠打造的標準化模塊化整機架參考架構與開放產業生態，是當前英偉達推進800 VDC高壓直流數據中心落地的底層硬件標準，覆蓋算力、供電、散熱、網絡全鏈條，也是納微半導體切入英偉達AI供應鏈的核心載體。雙方的合作涵蓋從Rubin Ultra平臺到「Kyber」機架級系統的完整供電方案。

納微半導體於5月29日在COMPUTEX 2026上展示的800V至6V直流-直流電源分配板（PDB），正是這一合作的具體落地產品。

該產品專為英偉達新一代AI數據中心800 VDC機架架構設計，旨在提升系統效率與功率密度。

其最大亮點是省去傳統48V中間總線轉換模塊，依託16顆自研GaNFast氮化鎵芯片實現800V直降6V，峰值供電效率97.5%、功率密度達2100W/立方英寸，板體厚度較智能手機薄兩成，可近距離貼合GPU佈設，大幅縮減佈線損耗與機房空間佔用。

該產品對AI電力系統具備關鍵支撐作用。800 VDC架構可降低線纜銅耗、壓縮機房配電成本，而納微半導體的氮化鎵+碳化硅方案是整套高壓配電落地的硬件基礎，能夠解決巨型AI工廠多GPU集群瞬時功耗波動大、供電損耗偏高的行業痛點，幫助數據中心壓縮配電綜合能耗，適配吉瓦級AI算力園區規模化落地需求。

納微半導體首席執行官Chris Allexandre表示，隨着AI工作負載持續擴展，電力傳輸已成為構建下一代吉瓦級AI工廠最關鍵的挑戰之一。

納微半導體專注於氮化鎵和碳化硅第三代功率半導體，產品廣泛應用於AI電源領域，可提供從電網接入到芯片的完整供電方案，是AI浪潮中「電力革命」這一細分賽道的代表性企業。

AI工作負載對電力的需求將達到傳統計算的100至1000倍，對供電架構提出了前所未有的挑戰，這一背景下，納微半導體正從傳統的消費電子與移動市場，轉向高增長、高利潤的高功率應用領域，包括AI數據中心、能源與電網基礎設施等。

其GaNFast氮化鎵技術實現了800V直接到6V的降壓轉換，消除中間48V總線轉換器環節，目標峰值效率達97.5%，功率密度高達2100W/in³；在碳化硅（SiC）方向，該公司的GeneSiC解決方案支持從電網到AI計算機架的高效電力傳輸，涵蓋採用2300 V和3300 V SiC功率模塊的固態變壓器，以及基於第五代技術1200 V SiC MOSFET的高功率三相電源供應單元。