智能手機市場或現創紀錄出貨萎縮! 存儲超級周期之下，等待消費電子的是「至暗時刻」

智通財經APP獲悉，科技領域知名研究機構Counterpoint Research周一表示，全球智能手機市場出貨規模正走向有記錄以來最陡峭的年度萎縮數據，預計今年出貨量將大幅下滑13.9%，至10.8億部，核心邏輯在於DRAM/NAND存儲芯片短缺持續惡化以及存儲組件等核心零部件價格持續上漲。

據瞭解，Counterpoint這一最新預測較2月的預期數據下滑12.4% 的本已悲觀預期進一步下調，並且強調全球芯片供應緊張因伊朗戰爭而進一步加劇。

在AI基建狂潮驅動「存儲芯片超級周期」背景下，全球股票市場消費電子板塊堪稱最大輸家。當前諸多產業數據共同清晰顯示，雖然AI基礎設施建設正在引發所謂的「存儲超級周期」——即存儲芯片(DRAM/NAND/HBM)價格以及需求增幅以歷史級別幅度飆升，部分合約價同比環比都達到了驚人水平——但這個周期的紅利正在極度向存儲芯片這類芯片產業鏈上游領域傾斜，而對下游傳統消費電子市場形成巨大的逆風。

另一研究機構TrendForce匯編的行業價格監測數據顯示，2026年第二季度全球移動端DRAM內存芯片合約價環比上漲近78–83%，LPDDR5X 等內存價格同比漲幅可能累計超過兩倍，使內存成本在智能手機物料成本中佔比從10–15%大幅提升至約 30–40%，這無疑直接推高了整機成本並壓縮了中低端設備利潤空間。

低價消費電子市場受到的衝擊最為嚴重

隨着芯片製造商們將芯片產能加速轉向人工智能相關的高性能且製造、封測進程複雜得多的芯片組件，入門級PC、智能手機消費電子設備的生產經濟性下降，低端智能手機受到的衝擊最為嚴重。

機構匯編的數據顯示，第一季度全球智能手機批發價格意外上漲14%，而出貨量則同比下降 3.1%。隨着供應衝擊前累積的庫存被消耗殆盡，這一趨勢預計將持續下去，部分售價低於150美元的機型甚至有可能因存儲組件高昂成本與需求萎靡而從消費電子市場上消失。

一位來自上述這家獨立研究公司Counterpoint的資深分析師表示：「中低端廉價智能手機制造商們正夾在無法持續吸收成本上漲效應與消費能力有限的消費者群體之間。」Counterpoint以發佈季度智能手機出貨量數據而聞名全球。「問題不再是如何實現出貨量或加速推進市場份額增長，而是是否還要繼續留在這個市場。」

這位分析師表示，存儲芯片短缺是智能手機行業所面臨的最嚴重供應端以及芯片漲價浪潮衝擊，並補充稱，這些製造商們無法持續通過定價增長或產品調整來抵消其影響。

高端智能手機市場更具韌性

與此同時，高端旗艦智能手機機型則因它們的核心消費者群體對於價格敏感性相對較低，以及消費者們對端側AI功能以及更龐大存儲的要求而維持較高容量推動了平均價格上揚，但低端與中端出貨量明顯萎縮，這一趨勢可謂凸顯出廉價智能手機廠商們不得不大幅削減存儲規格或提高售價以緩衝內存成本上漲造成的銷售額與利潤雙重侵蝕。

高端細分市場已被證明更具需求韌性。比如全球最大規模消費電子巨頭蘋果公司(AAPL.US)今年前三個月實現創紀錄營收，得益於消費者升級至其新推出的iPhone 17系列旗艦智能手機產品。Counterpoint的預測數據顯示，蘋果在2026年的整體出貨量預計將保持持平，明年則有望小幅增長5%。

由於芯片供應較許多競爭對手穩定得多(覆蓋更多具備性價比的長期限合約)且iPhone產品利潤率也更強，蘋果可謂處於消費電子行業最為有利位置，有望獲得市場份額擴張，並且可能面臨較小的漲價壓力。

另一聚焦於高端智能手機的三星電子在第一季度銷量則保持穩定，Counterpoint預計其全年出貨量僅下降4%;得益於穩定的芯片供應體系和持續一致的產品線增長勢頭，三星的出貨以及利潤率表現也將優於整體消費電子市場。

存儲超級周期之下智能手機等消費電子卻陷「至暗時刻」

正如美光科技數據中心業務部門高級副總裁兼總經理Jeremy Werner在最新採訪中揭示的那樣，從底層的AI數據中心數據流處理工程邏輯看，這輪行情的底層驅動力不是「AI需要更多計算芯片」這麼簡單，而是Claude Cowork，以及OpenClaw等AI智能體主導的AI推理時代把內存/存儲從配套組件推成系統瓶頸。

AI訓練工程更依賴大規模並行計算，而推理尤其是長上下文、多輪對話、Agentic AI工作流，需要持續保存KV Cache、上下文狀態和中間結果;內存/存儲空間不足時，模型不得不重複計算曆史狀態，GPU利用率下降、token生成成本上升。因此，HBM、DDR5、LPDDR、企業級SSD乃至HDD/數據湖，正在形成一條從GPU近端到遠端存儲的「AI記憶鏈」，決定AI系統的吞吐、延迟、併發能力和單位token經濟性。這也是為什麼美光、三星、SK海力士、閃迪、西部數據等存儲與數據存儲股出現聯動狂飆：需求不是隻集中在HBM，而是沿着AI服務器架構向DRAM、NAND、SSD和HDD全鏈條外溢。

對於DRAM/NAND存儲芯片價格漲勢，華爾街金融巨頭高盛最新判斷是——2026年存儲漲價幅度將遠超該機構此前給出的樂觀預期，高盛近日將DRAM存儲芯片價格漲幅預測從約150%大幅上調至250%—280%，NAND價格漲幅預測從約100%上調至200%—250%。也就是説，高盛認為這不是普通庫存修復周期，而是AI算力驅動的史無前例需求激增、製造與封裝工藝極度複雜的HBM愈發擠佔產能、通用DRAM/NAND供給彈性不足共同造成的「超級供給緊缺周期」。

這種存儲供需歷史級別錯配的核心邏輯來自存儲產能被AI數據中心與高帶寬內存(HBM)需求高度佔用。TrendForce的分析報告指出，全球約70%的先進存儲產能正被AI數據中心服務器吸納，這些存儲芯片製造與封測技術複雜得多，導致用於智能手機等消費級內存資源嚴重不足。由於存儲芯片製造的產能擴張周期長達2-3年之久，現有產能增長遠遠無法滿足需求，從而加劇供不應求態勢並預計持續至 2027–2028年纔可能有所緩解。

TrendForce匯編的監測數據顯示，LPDDR5X 等內存價格同比漲幅可能累計超過兩倍，使內存成本在智能手機物料成本中佔比從10–15%大幅提升至約30–40%。因此從產業鏈和市場趨勢看，即使AI基建推動存儲芯片、光互連以及數據中心CPU等上游AI算力鏈需求強勁延展、形成所謂「爆發式增長」，這一現象在消費電子這一經典下游卻不是普惠性質的增長機遇，而是出現「上游紅利+下游痛點」分化的局面。

對於消費電子產業而言，這個存儲超級周期背后伴隨的是嚴重的供應偏向、價格壓力和需求萎縮共同構成的景氣度困局，而不是傳統意義上量價齊升的周期回暖。整個消費電子行業正在經歷一種存儲資源重定向和結構性錯配，這對智能手機等消費類產品的銷量與利潤都帶來明顯壓制。