存儲芯片股集體大漲，美光、閃迪帶動新晉ETF大幅走高

美光、閃迪等存儲芯片個股行情火熱，也帶動朗希爾存儲芯片 ETF（代碼 DRAM） 大漲。這隻新晉 ETF 主打全面把握行業景氣行情、賺取收益。

產品概況

　　該 ETF 是全球首隻純存儲芯片主題 ETF，於 4 月 2 日正式上市交易。其前五大重倉股均為 2026 年熱門強勢標的：SK 海力士、美光科技、三星電子、鎧俠控股以及閃迪。

　　這隻 ETF 自上市以來股價持續走高。

　　據《科比西快訊》統計，該產品上市至今漲幅約 85%，上市僅 30 個交易日，資產規模就突破 100 億美元，成為史上增長速度最快的 ETF。

　　在全美 5000 余隻上市 ETF 中，它的年內資金流入規模躋身前十；交易活躍度也從 5 月初的第 34 位攀升至全市場前 20。

行業背景

　　美國人工智能領域資本開支熱潮持續傳導至閃迪、美光等一眾存儲芯片企業。亞馬遜等超大規模雲廠商大舉建設人工智能數據中心，市場對存儲芯片的需求隨之激增。人工智能模型需要海量數據支撐高效運行，而存儲芯片正是負責數據存儲與傳輸的核心器件。

　　目前，存儲芯片已成為人工智能供應鏈中供給最緊張的環節之一，相關企業得以通過提價提升利潤。

　　美光科技運營負責人馬尼什・巴蒂亞上周在摩根大通舉辦的會議上表示：「受長期結構性因素影響，當前市場需求持續超出企業及全行業的供貨能力。我們預計，高帶寬內存（HBM）、動態隨機存取存儲器（DRAM）以及閃存（NAND）的供應緊張局面，在 2026 年之后仍將長期延續。」

總結

　　整體來看，存儲芯片板塊目前利好因素十足。但高熱度也意味着市場預期抬升、投資風險加大（近期美債收益率走高就曾引發板塊短期拋售）。投資者需保持警惕，並做好資產分散配置。