美光CEO：內存短缺或持續至2026年后，新產能2028年才能大規模釋放

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　　日前，美國存儲芯片廠商美光CEO桑傑·馬羅特拉（Sanjay Mehrotra）接受外媒採訪時發出預警，稱當前全球內存短缺可能延續至2026年之后，而行業真正意義上的大規模新產能釋放，至少要等到2028年。

　　在人工智能浪潮將內存芯片推至「新石油」地位的當下，存儲行業正經歷一場超級周期。美光已經在美國啟動一項橫跨三州的宏大投資計劃，整個投資規模達到2000億美元。

　　「廠房基礎建設是目前周期最長、挑戰最大的環節，土建完成后，設備入場、安裝調試同樣需要漫長周期。」馬羅特拉在弗吉尼亞州馬納薩斯工廠接受採訪時坦言。該工廠剛剛啟動了全美首個「1-alpha」工藝節點DRAM量產，這也是美光將先進內存製造迴流本土的關鍵一步。

　　由於全球存儲芯片緊缺，美光正在進行大規模擴產。根據之前美光披露的計劃，美光將在愛達荷州博伊西建設兩座先進晶圓廠，首座預計明年年中產出首批晶圓，第二座則要到2028年底；在紐約州錫拉丘茲規劃多達四座晶圓廠的生產集群。整體而言，美光計劃在全美投資高達2000億美元，目標是將本土產量佔全球總產量的比重從當前的約10%提升至40%。

　　由於產能擴充需要時間，當下美光的核心客户都沒有辦法完全滿足需求。馬羅特拉透露，目前美光對核心客户的供應滿足度僅能達到50%至三分之二，供需缺口巨大。

　　「我們預計行業內真正意義上的大體量新產能釋放，要到2028年前后纔會開始顯現。」馬羅特拉強調，內存製造屬於建設周期極長的重資產，從廠房動工到設備調試完成，耗時遠超外界想象。

　　衆所周知，內存行業歷來是一個強周期性行業，繁榮與蕭條交替更迭。美光的大手筆投資也引發投資者的擔憂。

　　對此，馬羅特拉明確表示，美光會秉持「嚴謹、理性的紀律」，何時往新建廠房中填裝生產設備，完全取決於對市場最新需求走勢的精準評估，「核心在於要下好’先手棋’，做好隨時響應市場需求的產能準備。」

　　目前，美光正積極與客户簽訂長期供應協議，以鎖定供應鏈的確定性與可預測性。這既保障了客户利益，也為美光自身的大規模長期投資注入了信心。

　　值得一提的是，作為美國唯一的內存製造商，美光在本土供應鏈安全議題上獲得了特朗普政府的高度支持。美國商務部長霍華德·盧特尼克等官員近期多次為美光站臺，政府甚至正推動更積極的「國家工業政策」以催化和激勵本土半導體制造。

　　馬羅特拉表示，美光在美國的投資將直接催生9萬個高薪就業崗位。爲了配合這一進程，美光正全身心地投入到與地方社區、高校、科研院所以及地方保障系統的深度協作中，甚至在全力推進相關的學徒工培養項目。

責任編輯：凌辰