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半年至少淨賺660億!長鑫科技底牌曝光,A股存儲新龍頭來了?

2026-05-18 16:08

在SK海力士、三星電子、美光科技陸續交出超預期財報后,國產DRAM(動態隨機存取存儲器)產業也開始進入業績兑現階段。

5月17日,上交所披露長鑫科技更新招股説明書,並恢復上市審覈程序,審覈狀態重新變更為「已受理」。與此同時,長鑫科技同步披露2026年一季度經審閲財務數據。

數據顯示,今年一季度,公司實現營業收入508億元,同比增長719.13%;淨利潤330.12億元,同比增長1268.45%;經營活動產生的現金流量淨額達到425.66億元,同比增幅超過21235.10%。公司預計,2026年上半年營業收入將達到1100億至1200億元,淨利潤預計為660億至750億元。

隨着AI服務器、高性能計算與大模型訓練需求快速增長,高性能DRAM逐漸成為AI基礎設施中最緊缺的核心器件之一,全球存儲行業進入新一輪景氣周期。過去一年,海外存儲板塊持續走強,多家韓美存儲巨頭股價實現數倍上漲,部分產業鏈公司甚至走出10倍行情。

這一輪存儲景氣周期里,長鑫科技正在成為國產DRAM產業中的重要角色。該公司為DRAM研發設計製造一體化(IDM)企業,提供DRAM晶圓、DRAM芯片、DRAM模組等多元化產品方案,產品應用於服務器、移動設備、個人電腦、智能汽車等市場領域。

按照產能、出貨量和銷售額統計,長鑫科技已成為中國第一、全球第四的DRAM廠商。基於Omdia數據測算,按2025年第四季度DRAM銷售額統計,長鑫科技全球市場份額已增至7.67%,並有望隨着技術迭代與產能擴張進一步提升。

補齊A股原廠短板

「長鑫科技IPO補齊了A股原廠短板,市場關注點必然向具備晶圓製造與產能控制的原廠傾斜。」深度科技研究院院長張孝榮向時代周報記者表示,這將重構估值體系,推動板塊從題材炒作轉向業績落地,並有助於帶動上游設備材料等核心環節的估值重塑。

事實上,長鑫科技被市場關注,並不僅僅因為業績爆發。過去幾年,A股「存儲板塊」的上漲邏輯,更多集中在模組、封裝、渠道與分銷環節。無論是佰維存儲(688525.SH)、德明利(001309.SZ),還是香農芯創(300475.SZ),本質上都受益於存儲漲價、庫存周期與品牌運營,但並不掌握DRAM最核心的製造能力。

DRAM製造是典型的重資產、高研發、高資本開支行業,長期被三星電子、SK海力士與美光科技三大原廠壟斷。行業競爭的核心,不只是產品銷售,更是晶圓製造、工藝迭代、產能控制與資本投入能力。

考慮到存儲鏈核心壁壘,「長鑫科技作為國內DRAM原廠龍頭,將重塑板塊估值體系,引領產業鏈價值重估。」GKURC產經智庫首席分析師丁少將向時代周報記者表示。

從技術路徑看,長鑫科技也是內地DRAM產業少數完成自主迭代的企業。2019年,其首次推出自主設計生產的8Gb DDR4產品,實現內地DRAM產業「從0到1」的突破。此后,其LPDDR5X產品最高速率達到10667Mbps,較上一代LPDDR5提升66%;首款國產DDR5產品速率達到8000Mbps,單顆最大容量24Gb。

事實上,長鑫科技研發投入仍在持續加碼。招股書顯示,2025年長鑫科技研發投入達到95.93億元,同比增長51.28%;2023年至2025年累計研發投入達到206.05億元。截至2025年底,公司累計專利數量達到6972件,並已完成從第一代到第四代工藝平臺的量產迭代,產品覆蓋DDR4、LPDDR4X至DDR5、LPDDR5/5X等多個世代。

與此同時,長鑫科技也開始進入國內主流終端與雲廠商供應鏈。根據招股書,公司目前已與阿里雲、字節跳動、騰訊、聯想集團、小米集團、傳音控股、榮耀、OPPO及vivo等客户展開合作,其市場份額也在持續提升。

需警惕行業回調壓力

經歷數月的快速上漲后,存儲市場近期開始出現階段性波動。今年4月前后DRAM現貨價較高點出現小幅回調。數據顯示,DXI、DRAM及NAND價格指數在階段性衝高后,均較高點出現回調。

但市場普遍認為,這更像是短期交易層面的擾動,而非行業趨勢反轉。

招商證券在研報中指出,前期現貨價漲幅過高導致買方承接意願低迷,疊加部分貿易商資金周轉壓力下降價變現,短期內買方普遍觀望、以消化庫存為主。不過,相比波動更大的現貨市場,反映真實供需關係的合約價格仍在持續上漲。根據TrendForce預測,2026年第二季度傳統DRAM合約價格環比漲幅仍將達到58%至63%。

需求方面,根據TrendForce預計,2026年全球九大CSP合計資本支出將達約8300億美元,同比增長79%,共同驅動從HBM、Server DRAM到eSSD、HDD的全棧式需求增長。庫存方面,三星、海力士、美光、南亞科今年一季度庫存維持低位,美光DRAM庫存周轉天數已降至120天以下的緊張水平。

事實上,供需缺口仍在進一步擴大。根據SemiAnalysis,2026年DRAM供應低於需求約7%,其中HBM缺口6%、2027年進一步擴大至9%,通用DRAM未來兩年也將維持約7%的結構性缺口。根據宇瞻預計,2026年DRAM供需缺口將繼續維持,DRAM價格仍有充足的上行動能,緊缺周期持續時間顯著拉長。

在業內看來,這意味着存儲產業景氣周期仍遠未結束。丁少將指出,2026年DRAM市場供需缺口貫穿全年,AI服務器需求虹吸效應主導格局,但價格漲幅呈明顯收窄態勢。他表示,需警惕2027年巨頭擴產、需求波動帶來的周期回調壓力。

張孝榮則認為,2026下半年,DRAM漲勢延續但漲幅會收窄,品類分化趨勢明顯。長鑫科技受益於周期紅利與產能滿載,業績高增確定性強。

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