美股首隻純存儲ETF，刷新華爾街史上最快規模增長紀錄

財聯社5月13日訊（編輯 史正丞）近期存儲芯片板塊的猛烈上漲，使得一隻成立不到6周的ETF成為華爾街有史以來最成功的基金發行事件。

根據統計，自4月2日成立以來，Roundhill的存儲ETF（DRAM）資管規模在1個多月后就突破70億美元，壓過2024年貝萊德比特幣ETF上市時的同期記錄。

（截至5月12日，DRAM基金的資管規模已經達到73.3億美元，來源：基金官網）

作為背景，Roundhill存儲ETF聚焦各類存儲芯片的龍頭公司。在數據中心需求激增的背景下，為看好存儲芯片長期短缺的投資者提供了難得的投資工具。

美國「ETF趨勢」網站的首席投資官Dave Nadig感慨稱：「人們現在是毫不猶豫地衝刺進場，這股動能簡直瘋狂。」

Nadig還強調，這隻基金僅用了10個交易日就吸引了首批10億美元資金流入。僅在上周五一天，在全球存儲芯片股大漲之際，基金單日淨流入資金就達到10億美元。

（4月上市以來，DRAM價格接近翻倍，來源：TradingView）

追蹤散户交易行為的Vanda Research測算顯示，散户投資者本周一買入了5500萬美元的該ETF，創下該基金上市以來個人投資者單日最大淨流入紀錄，甚至超過同期流入英偉達等個股的資金，反映出投資者希望以更廣泛的方式押注整個行業。

Vanda全球宏觀策略師Viraj Patel表示：「DRAM正在迅速成為當前半導體狂熱行情的代表性標的。我找不到還有哪隻ETF，能在這麼短時間內吸引如此巨量的散户買盤。」

韓國敞口引爆投資者熱情

Roundhill存儲ETF的一鳴驚人，很大程度上來源於它為全球投資者提供了入手「純存儲」資產和買入兩隻韓國存儲巨頭（三星電子和SK海力士）的機會。

持倉文件顯示，截至5月12日，SK海力士（持倉佔比27.3%）、美光科技（27.03%）和三星電子（20.13%）位列前三大持倉，其他持股還包括閃迪、鎧俠等美國和亞洲存儲行業公司。

Roundhill的ETF策略師Thomas DiFazio表示，在大多數半導體領域的ETF基準中，只有一家大型存儲芯片製造商：在美國上市的美光。

因此在許多已經上市的半導體ETF中，並不包含三星、海力士這兩家屢創新高的存儲行業龍頭公司。DRAM基金上市前，許多希望買入這兩家公司的外國投資者，只能借道貝萊德的韓國ETF。數據顯示，iShares韓國ETF的資產規模在過去一年里從近30億美元增長至近230億美元。

盈透證券的市場策略師Steve Sosnick表示：「很多投資者把它視為一種替代性工具，用來間接押注那些很有吸引力、但平時又不太容易買到的韓國股票。」

對於DRAM來説，下一個里程碑挑戰將是突破100億美元關口。作為對比，貝萊德比特幣基金在2024年1月上市后，用了7周時間實現了這一成就。