AI驅動下，存儲芯片周期的機遇與風險

（本文作者付一夫為蘇商銀行特約研究員）

一、何為存儲芯片？市場格局與周期演變

顧名思義，存儲芯片是數據存儲的重要載體，也是芯片半導體產業當中極為重要的一環，應用範圍廣且市場佔比高，其規模長期佔整個集成電路市場的1/4，僅次於邏輯芯片，為集成電路第二大細分市場。

品類層面，根據斷電后存儲的信息是否保留，存儲芯片可以分為易失性存儲芯片與非易失性存儲芯片，其中易失性存儲芯片的代表性產品有DRAM和SRAM，非易失性存儲芯片則是以NAND Flash和NOR Flash為主流。而在市場層面，國外廠商憑藉先發優勢以及在終端市場的品牌優勢，佔據了大部分的市場份額，行業頭部廠商三星電子、美光科技、SK海力士、閃迪、西部數據等已經在各自領域形成了寡頭壟斷的競爭格局。

由於存儲芯片標準化程度高，可替代性強，帶有大宗商品屬性，其價格受下游需求的影響較為敏感，因此具備極為明顯的周期性。自2012年以來，存儲芯片行業大體經歷了四輪漲跌周期：

第一輪（2012~2015）：由於iPhone 4/4s的橫空出世，智能手機行業被引爆，拉動了市場對於存儲芯片的需求，各大存儲廠商紛紛擴產，致使市場供過於求，價格由漲轉跌，隨即步入下行周期。

第二輪（2016~2019）：隨着安卓手機實力的日益增強，市場又開啟了一輪提升內存和存儲空間的追逐戰，其間三星、SK海力士、美光等主要存儲廠商紛紛將產能轉向3D NAND，DRAM在需求提振同時面臨產能不足，導致價格上漲。而后的周期下行主要是各大廠商3D NAND擴產后，PC、服務器端需求動能不足，整體上出現供大於求的局面。

第三輪（2020~2023）：2020年初，全球公共衞生事件的爆發引發居家辦公需求的大幅度增加，繼而拉動PC、服務器等市場需求量的提升；而5G終端的更新也為存儲下游增長開闢出新的空間。但受到公共衞生事件反覆、國際形勢不確定性增強等多方面原因，下游需求持續疲軟，疊加行業庫存產能嚴重過剩，致使存儲芯片價格持續下跌，部分細分領域產品甚至在2023年突破歷史低點。

第四輪（2024年至今）：自2024年起，受一系列因素影響，存儲芯片價格開始步入上行區間。進入2025年以來，國際巨頭紛紛宣佈提價，其中美光率先打響了「第一槍」，宣佈產品價格上調20%到30%；緊接着，閃迪也跟風喊出10%的漲幅，隨后行業就像多米諾骨牌被推倒一般，三星、SK海力士、鎧俠等巨頭紛紛表態，宣佈將對自家存儲芯片產品的價格進行上調。

進入2026年，漲價浪潮不僅未見平息，反而愈演愈烈。TrendForce最新數據顯示，2026年第一季度全球常規DRAM合約價環比上漲90%~95%，服務器DRAM漲幅約90%，NAND Flash合約價也上漲了55%~60%。

值得注意的是，這種漲勢並未出現停歇跡象，多個機構預測二季度將繼續加速，DRAM合約價預計環比再漲58%~63%，NAND閃存合約價環比漲幅甚至可能高達70%~75%。花旗更是大膽預測，2026年全年DRAM平均售價將上漲88%。

二、漲價核心動因：AI需求爆發與供需格局調整

近期存儲芯片市場的持續漲價，背后主要有兩大核心原因。

（一）AI需求爆發催生結構性需求變革

本輪存儲芯片漲價的根本動力，來自AI技術革命帶來的需求結構性變化。與傳統消費電子需求不同，AI應用對存儲芯片的性能和容量提出了更高要求，尤其是高帶寬內存（HBM）和服務器DRAM需求呈現井噴式增長。

據TrendForce集邦諮詢數據，2025年AI服務器對HBM的需求量從2024年的30萬顆激增至120萬顆，增長率高達300%。單台AI服務器的DRAM配置容量可達傳統服務器的8至10倍，企業級NAND閃存在AI訓練和推理場景中的消耗量更是呈指數級攀升。更有機構指出，2026年全球生產的內存中高達70%將被數據中心消耗，預計到2028年的產能已被預訂一空。

值得關注的是，本輪AI存儲需求正在從以「訓練」為主加速轉向「推理」驅動的結構遷移。IDC數據顯示，2026到2030年本地AI推理場景的存儲需求預計將從0.5ZB增長到25ZB，實現50倍的增長。而隨着大模型從實驗室訓練全面進入生產生活應用，我國日均Token調用量已從2024年的1000億飆升至2026年3月的140萬億，兩年增長超過千倍，背后是對算力與存儲資源的規模級消耗。與此同時，推理上下文窗口的持續擴大對內存容量提出更高要求——美光高管坦承，若內存不足則需指數級重複計算，而足夠的內存可將GPU算力利用率提升至平方倍。美光表示全球晶圓廠產能已跟不上需求，公司正在全球同步建設五座晶圓廠。

在端側AI應用層面，2026年大模型本地化部署趨勢日益明顯。從千億參數大模型的本地化部署方案，到搭載AI推理能力的終端設備大規模涌現，邊緣計算對LPDDR、UFS等低功耗高密度存儲產品的需求正在快速增長。例如，英特爾最新推出的Panther Lake處理器可在本地環境以35B參數的大模型跑出50 TPS的推理速度，大模型從雲端走向端側，正在催生長達數年的長周期存儲需求。

從全球存儲巨頭的業績表現中，可以最直觀地看到AI需求驅動帶來的衝擊。

韓國方面，2026年第一季度，SK海力士營收52.58萬億韓元，營業利潤37.61萬億韓元，淨利潤40.35萬億韓元，同比分別增長198%、405%和398%；三星電子交出史上最強季報，營業利潤57.2萬億韓元，同比暴增756%。

美國方面，存儲巨頭閃迪2026財年第三財季營收59.5億美元，環比大增97%，淨利潤36.75億美元，環比大增280%。

而在我國，存儲模組龍頭江波龍一季度淨利潤38.62億元，同比激增2644.05%；存儲設計公司兆易創新一季度淨利潤14.61億元，同比增長522.79%；佰維存儲一季度淨利潤28.99億元，同比增長1567.85%。

（二）供需格局調整引發結構性緊缺

不同於歷史上消費電子周期中供給快速擴張、需求短暫爆發后迅速回落的情況，本輪存儲漲價背后藴含着更深層次的供需格局結構性調整。

從需求端來看，AI相關應用對存儲的消耗是持續性、爆發性和不可逆的。Meta、谷歌、微軟等全球科技巨頭近期披露的財報紛紛繼續上調AI資本開支預期，美銀證券預計2026年全球超大規模雲計算廠商資本開支將超過8000億美元。與此同時，下游消費電子市場也在同步復甦——2025年全球智能手機、PC出貨量同比分別增長5.2%和7.8%，疊加汽車電子、工業控制等領域的需求增加，多領域共振使得供需缺口持續擴大。需求同比增長約20%~22%，而產能擴張僅約15%~17%，缺口在結構上無法被有效填平，新產能大規模釋放普遍推迟至2027~2028年后。

從供給端來看，三大原廠（三星、海力士、美光）的擴產節奏亦是嚴重滯后於需求增長，主要體現在三個方面：

其一，存儲芯片行業經歷了2023年的深度下行周期，頭部廠商在低谷期主動削減成熟製程產能，導致行業整體庫存處於歷史極低水平——SK海力士DRAM和NAND庫存已降至僅相當於約4周出貨量的極低水平；

其二，晶圓廠從建設到量產通常需要多年時間，單座先進晶圓廠建設成本可超過200億美元，建設周期長達數年的產業特性決定了供給彈性極小；

其三，頭部廠商正將大量產能從消費級產品優先轉向高毛利的AI相關產品，三星、SK海力士等原廠商大部分先進產能優先轉向HBM、DDR5、企業級SSD等高毛利產品，通用型DRAM和消費級NAND產能被顯著擠壓。

這種「高端擴產，中低端收縮」的策略，使得傳統消費電子市場面臨的供應壓力反而更大。事實上，高盛早在今年2月的報告中就給出了預測，年內DRAM、NAND、HBM三大品類的供需缺口將分別達到4.9%、4.2%、5.1%，這是過去15年里存儲行業最嚴重的一次供應短缺，且這種短缺局面預計將延續至2027年甚至更久。而在今年舉行的英偉達GTC大會上，SK海力士會長崔泰源預測，晶圓供應至少需要4~5年，因此存儲芯片供應短缺可能將持續到2030年，供應缺口預計持續高於20%。

上述背景決定了，本輪存儲芯片漲價並非短期行為——它是供給端產能擴張的剛性與需求端AI持續爆發所形成的供需錯配在價格層面的集中體現。從供需基本面來看，全球存儲行業正經歷本世紀以來最強勁的上行周期，交銀國際等機構認為上行階段至少將持續至2027年第一季度。

三、AI產業鏈的「存儲革命」正在發生

從更廣闊的視角來看，存儲芯片在本輪AI產業鏈變革中所扮演的角色，絕非僅僅是「漲價品種」那麼簡單。存儲已經從AI技術棧的底層支撐，升級為決定AI系統性能、成本與部署可行性的核心變量。

過去，存儲芯片在整機物料清單中常被視為邊緣元件，成本佔比並不起眼。但在大模型訓練與推理需求井噴的背景下，存儲的重要性已被提升至前所未有的高度。以最新旗艦智能手機為例，存儲芯片在整機成本中的佔比已從2020年的約8%躍升至15%以上，部分高端AI服務器的存儲成本佔比更是超過30%。存儲芯片的配置直接關係到AI系統的認知能力、功能實現及運行效率，比如在AI推理場景中，若內存不足，模型必須「從頭重新計算」，每一輪重新計算所需的算力相當於此前所有輪次的總和，算力需求呈指數級增長。

這便解釋了為什麼科技巨頭不惜重金提前數年預訂產能——存儲已經成為AI基礎設施中的「關鍵戰略資產」。

另外從產業鏈傳導來看，漲價的壓力正在向整個電子行業蔓延。聯想、戴爾、惠普等PC龍頭近期對多款筆記本提價500元~1500元；多款國產新機較上一代漲價100元~600元。存儲封測環節同樣承壓，力成、華東、南茂等存儲封測廠近期陸續調升封測價格，漲幅高達三成，且不排除啟動第二輪漲價。存儲芯片已經從產業鏈的邊緣元件，成長為左右下游終端產品定價的關鍵因素。

同時值得關注的是，存儲技術本身也在迎來代際突破。例如，美光剛剛發佈了HBM4產品，帶寬是上一代HBM3e的兩倍以上；在SSD領域，245TB超大容量企業級SSD已從樣品走向批量出貨，單台AI服務器的存儲需求是傳統服務器的8至10倍。PCIe 5.0已全面主流化，順序讀取速度接近或超過14至15GB/s，美光9650系列更已實現PCIe 6.0量產。這些技術演進正在為存儲芯片打開更大的價值空間。

從全球競爭格局來看，三星已憑藉存儲芯片業務的超強表現進入萬億美元俱樂部，與臺積電、英偉達一道成為人工智能時代「賣鏟」三巨頭。不經意間，存儲已然從AI浪潮的配角變為與GPU並列的雙主角之一。華爾街投研機構Melius Research更是在報告中指出，存儲對於客户而言已具有「生存級重要性」——如果AI趨勢延續，存儲價格上漲趨勢可能持續，因為供需關係正發生結構性變化。

四、結論與展望

回望過去兩年的存儲芯片行業歷程，AI需求的結構性爆發和供給擴張的剛性約束，共同構築了一個罕見的景氣周期。本輪周期的根本驅動因素——AI技術的持續突破和大模型的規模化落地，明顯具有長期性和確定性，意味着即使價格漲幅在短期內趨於平緩，存儲芯片行業的基本面邏輯也已發生了深刻的變化。

展望后市，多家機構認為本輪存儲「超級周期」的強度和持續性有望顯著超越上一輪周期，隨着存儲芯片產品的持續漲價，相關廠商的業績也將得到持續性改善，繼而有望引發存儲芯片板塊業績與估值的「戴維斯雙擊」。但同時也需要考慮短期板塊漲幅過大的拋壓問題，建議對行業進行持續觀察但不要盲目追高。

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