第十代NAND+SiC+玻璃基板……主業向好的三星電子要重啟「未來增長引擎」

《科創板日報》5月12日訊 過去幾年，身處DRAM與HBM市場的激烈競爭之中，三星電子旗下眾多新型半導體業務一度被擱置。而隨着主要存儲器業務趨於穩定，該公司或重啟針對下一代半導體的推進工作。

據ETNews報道，三星電子DS事業部正在商討恢復對下一代半導體的研發和投資。據悉，此次商討的重點在於研發方向和設施投資的時間安排，包括下一代NAND閃存、化合物半導體以及基板。

知情人士透露，三星電子正在與合作伙伴公司分享有關技術開發和設施投資的信息，該公司認為其存儲器領域的基本競爭力已恢復到一定水平，因此開始重啟未來增長引擎的創新，預計一些新業務的關鍵計劃將很快敲定。

在人工智能行業蓬勃發展的當下，哪些方向被三星視作未來增長引擎？

第十代NAND「V10」

就在去年，三星電子曾計劃於今年上半年建立第十代NAND（V10）生產線，並在下半年開始量產。然而截至目前，採購訂單尚未正式開始下達。

據報道，三星電子已經重啟了關於V10，即400層NAND的投資。由於層數顯著增加，垂直堆疊存儲單元之間用於信號交換的通道孔必須更深。為此，三星電子將採用低温蝕刻技術，目前正處於低温蝕刻設備供應商選擇的最后階段。

此外，V10還將採用「晶圓間（W2W）」鍵合，並引入用於精確切割晶圓的激光加工技術。這項技術旨在通過一種能夠最大限度減少異物產生且不影響微電路的切割方法，來提高NAND閃存的性能和良率。

氮化鎵和碳化硅

三星電子正在重啟的另一項新業務是化合物半導體，氮化鎵 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 是其中的典型代表。早在2023年，三星電子便開始向GaN和SiC生產線轉型，以最大限度地提高其8英寸半導體代工生產線的效率。

據悉，三星電子已與部分合作夥伴就SiC生產所需新增設備的規模展開討論。業內人士預測，三星電子將於今年開始建立供應鏈，預計2027年將建成原型生產試點生產線，並將於2028年開始量產SiC。

業內人士透露，三星電子已開始大力推進其GaN和SiC業務，並將其視作重要戰略方向。

玻璃基板

據報道，三星電子正尋求通過與多家基板製造供應鏈企業合作來加速玻璃基板的普及應用。

玻璃基板是一種封裝基板，其在高密度互連、高頻信號傳輸等應用中展現出獨特優勢。業內人士表示：「三星電子正在聯繫多家供應商，比較和分析玻璃基板的性能和質量。」他還補充道：「據瞭解，他們正在精心協調一項供應鏈多元化戰略，以推進玻璃基板的引入。」

與此同時，SoCAMM作為一種迅速崛起的低功耗內存模塊，也有望成為三星電子的重點佈局對象。據悉，三星電子正在為英偉達等人工智能應用大規模生產SoCAM 2，預計將增加供應量以滿足未來的需求。