美國國際貿易委員會裁定英飛凌勝訴，並對英諾賽科實施進口及銷售禁令

 ·       美國國際貿易委員會全體委員會在針對英諾賽科的專利侵權案中做出裁決，裁定英飛凌勝訴

·       ITC下令對英諾賽科在美國銷售的氮化鎵產品實施進口及銷售禁令

·       此項裁決再次凸顯了英飛凌行業領先專利組合的價值 

【2026年5月8日，德國慕尼黑訊】美國國際貿易委員會全體委員會維持了其於2025年12月作出的初步裁定，確認英諾賽科（Innoscience）侵犯了英飛凌的一項氮化鎵（GaN）技術專利，並下令對英諾賽科實施進口和銷售禁令。ITC委員會的最終裁決及其頒佈的相關禁令仍需經過為期60天的美國總統審查期后生效。

英飛凌300mm GaN技術

 英飛凌科技高級副總裁、氮化鎵系統業務線負責人Johannes Schoiswohl表示：「此項裁決再次印證了英飛凌在知識產權方面的堅實基礎，也彰顯了我們堅決捍衞專利組合、維護市場公平競爭的決心和承諾。憑藉業界領先的300毫米氮化鎵製造能力，我們在推動規模化創新方面具備獨特優勢，能夠為客户提供加速低碳化與數字化進程所需的性能、質量及成本優勢。」 

該裁決是又一項積極的結果，進一步彰顯了英飛凌在氮化鎵技術領域所作貢獻的價值。在德國進行的相關訴訟中，英飛凌正在慕尼黑第一地方法院（Landgericht München I）就三項專利和一項實用新型專利的侵權問題提起訴訟。早在2024年8月，慕尼黑法院就已裁定英諾賽科侵犯了英飛凌指控的首項專利。另一項專利和一項實用新型專利的庭審將於2026年6月舉行。 

英飛凌是氮化鎵市場領先的垂直整合器件製造商（IDM），擁有行業內最廣泛的知識產權組合，涵蓋約450個氮化鎵專利家族。氮化鎵在實現高性能、高能效的功率系統中起着關鍵作用，其應用範圍覆蓋可再生能源系統、人工智能數據中心、工業自動化以及電動汽車（EV）等領域。憑藉更高的功率密度、更快的開關速度以及更低的能耗，氮化鎵半導體能支持更緊湊的設計，有效降低能耗和減少熱量產生。作為功率系統的領導者，英飛凌在硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）這三種關鍵半導體材料領域都處於行業領先地位，並持續推動技術進步。