華爾街迎來佈局AI存儲芯片熱潮新渠道

　　AI 存儲芯片熱潮有了全新投資標的，而華爾街已迅速入局。

　　朗希爾存儲芯片 ETF（代碼 DRAM）成立尚不足一個月，但已成為交易員佈局該賽道的首選工具。截至周三，這隻 ETF 僅上市交易 24 個交易日，漲幅已達約 70%，其中 14 個交易日創下盤中歷史新高。

　　該產品的推出，被業內拿來與近年 ETF 行業最爆款的幾隻產品相提並論。

　　彭博 ETF 分析師埃里克・巴爾丘納斯將 DRAM 稱作主題股票 ETF 中的 IBIT，類比貝萊德現貨比特幣 ETF（IBIT）—— 意指這隻小眾賽道 ETF 罕見地一經推出便引爆市場、成為現象級產品。該 ETF 於 4 月初上市，截至周二規模已達約 33 億美元。

　　並非 DRAM 催生了存儲芯片行情，它只是為早已直線飆升的板塊行情提供了標準化投資載體。

　　彭博全球存儲芯片指數自 2025 年初以來累計漲幅近 680%。過去二十年存儲芯片行業的周期波動，在 AI 時代這輪大漲行情面前已顯得微不足道。存儲類個股向來具備強周期性，而本輪上漲已使其成為人工智能產業鏈中漲幅最為迅猛的板塊之一。

　　DRAM 並非寬泛的半導體指數基金，其重倉標的全部聚焦存儲芯片產業鏈，前幾大重倉股包括：美光科技、SK 海力士、三星電子、閃迪、希捷科技、西部數據。三星也剛剛躋身萬億市值上市公司行列。

　　該 ETF 的核心特點就是高度集中持倉：美光、SK 海力士、三星三大巨頭合計佔基金權重近 70%，前七大重倉股佔比約 90%。

　　這也在一定程度上解決了美國投資者的實操難題，但仍存在相應風險。三星與 SK 海力士是存儲芯片賽道的核心標的，卻都沒有便捷的美股存託憑證可供普通投資者買入。SK 海力士雖已遞交美股上市申請，而 DRAM 重倉海外企業的持倉結構，也讓投資者同時面臨流動性、匯率及交易時段錯位的額外風險。

　　對於芯片投資者而言，如今的選擇核心在於持倉集中度偏好。DRAM 是純粹的存儲芯片專屬組合，能最直接佈局存儲賽道，但一旦行情反轉，容錯空間也更小。

　　美光是美股上市標的中最純正的大型存儲芯片龍頭；閃迪、西部數據、希捷科技偏向存儲硬盤相關業務；而範埃克半導體 ETF（SMH）、安碩半導體 ETF（SOXX）等寬基半導體 ETF，雖然分散度更高，但對存儲芯片賽道的直接敞口偏低。

　　這隻 ETF 上市時間尚短，還無法套用常規技術分析體系，甚至連可用參考的 20 日均線都尚未成型，現階段只需緊盯上市以來的上漲趨勢線即可。