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2026-04-14 12:55
來源:東方財富研究中心
周二(4月14日)存儲芯片概念股走強,截至午間收盤,協創數據20CM漲停,佰維存儲、京儀裝備等漲超10%。
高帶寬閃存來了
閃迪已漲近30倍
消息面上,據財聯社,據ETNews報道,閃迪已開始與材料、組件和設備合作伙伴接洽,以構建HBF原型生產線的生態系統。
該公司計劃於今年下半年推出原型產品,日本已成為其生產基地的熱門候選地。業內人士透露:「閃迪正在與企業探討合作,目標是在下半年引入HBF關鍵設備。」其估計,試點生產線將於下半年建成,並在年底前后投入運營,目標是在2027年實現商業化。
另據The Bell援引消息人士指出,隨着樣品生產的正式啟動,閃迪似乎將提前約六個月完成此前公佈的HBF開發路線圖。根據閃迪去年公佈的HBF開發路線圖,該公司原計劃於今年下半年開始供應HBF樣品,並推動基於HBF的AI設備樣品在2027年面世。
HBF是高帶寬閃存,其結構與堆疊DRAM芯片的HBM類似,是一種通過堆疊NAND閃存而製成的產品。
值得注意的是,日前納斯達克宣佈,閃迪將於4月20日開盤前取代軟件即服務(SaaS)巨頭Atlassian Corp Plc加入納斯達克100指數。過去一年,得益於AI熱潮下的存儲芯片超級周期,該股已漲逾2900%。
主力資金:
搶籌這些票
東方財富Choice數據顯示,自今年4月初以來,主力資金搶籌了一批存儲概念股。具體來看佰維存儲排名第一,主力淨買入15億元;C紅板排名第二,主力淨買入超13億元。
石英股份、國科微、朗科科技、瀾起科技、生益科技、華虹公司、江波龍、利揚芯片、大為股份、中電港等個股主力淨買額在9.2億元至2億元之間不等。
高盛:
存儲面臨十五年最嚴重短缺
高盛日前發佈的報告指出,2026-2027年全球存儲器市場將經歷史上最嚴重的供應短缺之一,DRAM、NAND和HBM三大品類供需缺口均大幅擴大。
其中2026年DRAM缺口將創15年之最,NAND短缺規模亦達歷史高位,即便消費電子需求大幅下滑,服務器市場的瘋狂吞噬能力仍將維持緊張格局。
在DRAM方面,高盛預測2026年和2027年DRAM供不應求幅度將達到4.9%和2.5%,遠超此前預期的3.3%和1.1%,其中2026年的供應短缺將是過去15年以來最嚴重的一次。
信達證券表示,全球AI產業鏈持續擴張,海外與國產AI芯片、存儲芯片領域迎來發展機遇,相關企業憑藉技術優勢和市場地位有望受益於行業增長邏輯。
萬聯證券指出,在算力基礎設施和AI雲需求拉動下,AI服務器對DRAM和HBM需求強勁增長,原廠DRAM供應處於趨緊狀態,存儲原廠更主動地推動合約價上調並加快價格傳導節奏,二季度原廠DDR5價格整體上漲約30%。據CFM最新價格顯示,2026年4月,DDR5 RDIMM 32GB、64GB、96GB價格分別上漲至650美元、1220美元、1980美元。AI算力建設方興未艾,算力產業鏈中高景氣細分賽道如PCB、存儲等需求旺盛,同時PCB及存儲均處於景氣擴張周期,有望拉動上游設備及材料需求,建議關注PCB、存儲等細分賽道及產業鏈投資機遇。
(文章來源:東方財富研究中心)
責任編輯:郭栩彤