全球登頂！我國碳化硅襯底產業實現自主引領，天岳先進多項指標居世界第一

全球半導體盛會SEMICON China 2026正在上海舉行，從展會傳來的消息，日本權威市場調研機構富士經濟（Fuji Keizai）發佈2025年全球碳化硅產業研究報告。數據顯示，我國企業天岳先進在全球碳化硅襯底市場佔有率、6英寸及8英寸產品市場份額均躍居世界首位。其中，導電型碳化硅襯底全球市佔率提升至27.6%，超越國際巨頭Wolfspeed；8英寸碳化硅襯底出貨量佔比高達51.30%，佔據全球過半市場份額。而法國權威市場調研機構Yole給出的數據顯示，天岳先進在全球8英寸碳化硅襯底市場佔有率已經達到60%。

這一突破，標誌着我國在第三代半導體關鍵材料領域實現了自主可控與全球引領，為新能源汽車、人工智能算力基礎設施、新型電力系統等國家戰略產業築牢了核心材料支撐。

碳化硅作為第三代半導體核心基礎材料，具備耐高温、低損耗、高開關頻率等突出優勢，是支撐綠色低碳轉型、培育新質生產力的關鍵戰略材料。近年來，我國堅持創新驅動發展，強化產業鏈協同創新與自主可控佈局，持續推進碳化硅從襯底製備、外延生長到器件封裝的全鏈條國產化攻關，本土供應鏈穩定性與核心競爭力顯著增強。

全球市場份額躍升，天岳先進穩居行業龍頭

根據富士經濟的數據，2025年天岳先進導電型碳化硅襯底的全球市場份額從2023年的12%躍升至27.6%。分尺寸看，公司6英寸碳化硅襯底全球市佔率達27.5%，首次超越傳統龍頭Wolfspeed；8英寸碳化硅襯底市佔率高達51.3%，成為行業前列。在下一代技術佈局方面，天岳先進於2024年全球首發12英寸碳化硅襯底，並迅速完成導電型、半絕緣型、P型全產品矩陣構建，目前已實現12英寸產品向核心客户的批量供應，為新一輪產業增長儲備了關鍵動能。

這一成績得益於天岳先進十余年的技術積累。作為全球首家俱備8英寸導電型碳化硅襯底大規模供應能力的企業，公司首創液相法制備技術，成功製備出無宏觀缺陷的8英寸碳化硅襯底，攻克了行業長期存在的技術瓶頸。同時，公司率先實現350微米厚度產品批量交付，推出無小面、低電阻等高端產品，掌握位錯無損檢測、壓損傷層監控等核心技術，形成差異化競爭優勢。

在交付能力與客户資源方面，天岳先進已與全球前十大功率半導體器件製造商中的多數企業建立合作關係，包括英飛凌、博世、羅姆等國際巨頭，並於2025年獲得博世集團「卓越供應商」稱號，成為國際頭部廠商的重要合作伙伴。

大尺寸佈局領先，掌握產業發展話語權

碳化硅產業的發展關鍵在於大尺寸化與成本下降的雙重突破，而天岳先進憑藉對大尺寸技術的前瞻佈局與量產能力，牢牢掌握了行業發展的話語權。

8英寸襯底的規模化應用，是碳化硅產業的關鍵轉折點。數據顯示，相較於6英寸晶圓，8英寸晶圓可使芯片產量增加90%，SiC MOSFET芯片成本有望降低54%，這一突破直接加速了碳化硅材料的大規模應用。天岳先進早已精準卡位這一核心賽道，在8英寸產品量產能力上領先全球競爭對手。

公司前瞻性佈局生產體系，提前對晶體生長設備進行差異化設計，實現8英寸和6英寸碳化硅襯底生產工藝的兼容，具備靈活的產能切換能力。隨着8英寸碳化硅襯底需求持續攀升，公司濟南工廠與上海臨港工廠協同發力，其中臨港工廠已於2024年年中提前達到年產30萬片導電型襯底的產能規劃，目前雙基地合計設計產能已突破40萬片，為全球市場提供穩定的供應保障。

在產品質量層面，天岳先進始終堅持高標準要求，通過全流程質量管控確保生產一致性，為全球客户提供可靠的批量交付服務。基於客户反饋，公司持續迭代升級8英寸碳化硅襯底生產工藝，不斷優化產品性能，進一步鞏固了在大尺寸時代的領先地位。目前，全球已有超過10條8英寸SiC產線規劃落地，德國英飛凌、博世，日本羅姆等企業均明確了8英寸產線升級路線圖，天岳先進憑藉先發優勢，成為這一產業浪潮的核心引領者。

多領域需求共振，碳化硅應用空間持續拓展

碳化硅產業正迎來應用需求的快速釋放。在新能源汽車領域，800V高壓平臺普及帶動碳化硅成為關鍵配置，隨着成本下降，SiC MOSFET加速替代IGBT並向中低端車型滲透，天岳先進的8英寸襯底已深度切入車載核心供應鏈，充分享受行業紅利。

在AI數據中心領域，碳化硅憑藉低損耗、耐高温、高頻高效等特性，成為應對算力帶來的散熱與能耗瓶頸的重要選擇。英偉達計劃於2027年切換800V高壓架構，將進一步拉動碳化硅需求。天岳先進憑藉大尺寸襯底的穩定供應能力，深度綁定國際頭部廠商，搶佔千億級市場。

在AR眼鏡領域，碳化硅因其優異光學性能成為光波導核心材料。天岳先進8英寸及12英寸大尺寸產能的落地，提升了材料利用率並降低製造成本，有望加速消費級終端的量產落地。

在先進封裝領域，碳化硅的高導熱特性有助於解決CoWoS封裝的散熱問題，英偉達計劃於2027年將GPU封裝中介層更換為碳化硅，為碳化硅材料開闢了新的應用方向。此外，光伏、儲能、電網等領域也持續向全SiC方案演進，進一步拓展了市場需求空間。依託全球領先的技術與產能，天岳先進正全面釋放增長勢能，持續領跑全球碳化硅襯底產業。

產能擴張與資本運作協同，夯實全球龍頭地位

產業競爭的本質，是產能與資本的競爭。天岳先進憑藉清晰的產能規劃與強大的資本運作能力，持續鞏固全球龍頭地位。

2024年，天岳先進提出了96萬片碳化硅襯底的產能規劃並分步實施，目前推進順利。2025年8月，公司正式在香港聯合交易所主板上市，開啟「A+H」雙平臺佈局，資本實力進一步增強。此次上市募集資金中，約70%將用於擴張8英寸及更大尺寸碳化硅襯底產能，約20%將用於加強研發能力，以推動全球產能佈局與技術升級。

業內人士指出，天岳先進實現全球領跑，是我國第三代半導體產業自主創新的標誌性成果。隨着大尺寸產能持續釋放、新興應用加速落地，我國碳化硅產業有望進一步鞏固全球領先地位，持續提升關鍵核心技術自主可控水平，為製造強國、科技強國、能源強國建設提供有力支撐。