中信證券：三星計劃罷工或致全球半導體供應緊張加劇

三星電子或舉行全國總罷工可能導致的停產風險或加劇全球存儲芯片供應緊張，在存儲市場高景氣度下，我們看好國內存儲大廠的市佔率提升。「十五五」期間，國內存儲大廠產能擴張和技術迭代有望加速，產業鏈核心材料與零部件供應商有望充分受益。

▍三星電子總罷工或於5月舉行，停產風險加劇全球存儲芯片供應緊張。

據韓聯社3月18日報道，三星電子工會成員以93.1%的贊成率通過了集體鬥爭行動議案，工會計劃於4月23日舉行集會，並在5月21日至6月7日舉行為期18天的全國總罷工。若罷工如期舉行，或將影響三星在韓國平澤半導體園區的芯片生產線，衝擊該園區DRAM、NAND閃存及HBM芯片的產能釋放。而產線一旦停產，想要復產需要重新檢測和啟動生產鏈的過程亦十分耗費時間和人力資源。2026年以來，在AI的強勁需求推動下，存儲芯片仍是供需偏緊的格局，價格不斷上漲。根據Omdia數據，2025年Q4三星電子在全球DRAM市場份額36.6%，根據TrendForce數據，2025年Q4三星電子在全球NAND市場份額28%，三星電子可能的停產風險或將進一步加劇全球存儲芯片市場的供應緊張。

▍國內存儲大廠產能擴張和技術迭代加速，市佔率有望持續提升。

我們認為存儲的漲價和高景氣度有望貫穿2026年全年，而三星電子可能的總罷工行動對國內存儲大廠而言也是擴大市場、提升市佔率的機會。從產能和量上看，根據Omdia數據，按出貨量統計，長鑫科技已成為全球第四的DRAM廠商，按2025年Q2的DRAM銷售額統計，長鑫科技全球市場份額已至3.97%。近年來國內存儲大廠的產能建設與技術突破進展快速。國產3D NAND產品在2025年已實現232層閃存的量產並繼續往更高堆疊層數迭代。國產DRAM產品已實現主流第四代、第五代DDR4、DDR5、LPDDR4X、LPDDR5/5X等的量產。我們認為國內存儲大廠的產能擴張及技術迭代有望在「十五五」期間加速，全球市佔率有望持續提升。 

▍看好半導體材料的需求增長，重視存儲大廠核心供應廠商。

在存儲產品全球緊缺、產品價格和盈利能力不斷上行、國內廠商全球市場份額仍然較低、國內產業政策大力支持的背景下，我們看好存儲大廠擴產帶來的需求增量，材料及零部件端核心供應商的成長性及向上空間具有較強的確定性。此外，從技術層面看，未來存儲器件的3D化將大幅提升晶圓製造工藝相關的半導體材料用量，薄膜沉積、CMP、刻蝕、電鍍等均是受益環節，耗材的用量將在製程進步和技術迭代下獲得額外的加成係數。我們看好國內存儲大廠成為半導體耗材重要的需求驅動力，重視產業鏈核心供應商。

▍風險因素：

三星電子總罷工行動變動超預期；國內大廠擴產進度不及預期；行業需求萎縮；國產替代進程不及預期；海外對華半導體產業限制措施加碼；企業新產品研發和放量不及預期。

▍投資策略：

三星電子或舉行全國總罷工可能導致的停產風險或加劇全球存儲芯片供應緊張，在存儲市場高景氣度下，我們看好國內存儲大廠的市佔率提升。「十五五」期間，國內存儲大廠產能擴張和技術迭代有望加速，產業鏈核心材料與零部件供應商有望充分受益。

注：本文節選自中信證券研究部已於2026年3月19日發佈的《新材料行業半導體材料跟蹤點評—三星計劃罷工或致全球半導體供應緊張加劇，關注國內存儲產業鏈核心供應商》報告；

作者：李超 S1010520010001、陳旺 S1010520090003、俞騰 S1010524120014、郭柯宇 S1010524080019、何鑫聖 S1010525080010