一天吃透一條產業鏈：存儲產業

（來源：合肥市投資基金協會）

01  產業鏈全景圖

02  存儲及分類

存儲產品就是用來臨時或永久保存數據的硬件組件，我們可以根據核心技術、性能特徵和應用場景，把它系統地分成幾大類：嵌入式存儲、固態硬盤（SSD）、內存模組、LPDDR，還有可移動存儲。

其中NAND、DRAM則是當下最受關注的，通俗來講：

DRAM 是電腦和手機里的運行內存，負責臨時存放數據，速度快但斷電就清空，類似工作時的桌面，支撐設備實時運算。

NAND Flash 則是存儲內存，用於長期保存文件、照片和系統，斷電數據不丟失，類似存放資料的倉庫。

03  【存儲行業需求】現狀

03-1、下游總需求

AI 需求持續增長：生成式 AI 技術迭代推動 AI 訓練與推理需求爆發，AI 正深度滲透各下游領域，廠商與雲端設施加速向 AI 端側轉型，AI 服務器成為存儲需求核心，重塑市場格局。

存儲下游需求分化：據佰維存儲招股書及相關機構，2025-2029 年全球存儲市場規模將擴大；AI 端側存儲複合增速 36.4%，AI 服務器存儲年化增速 14.1%；傳統消費電子存儲受價格上漲與供應短缺影響，規模及佔比將下滑。

存儲行業存在 8-10 年的需求驅動長周期，從 PC 時代、智能手機時代到當前 AI 時代，均遵循 「新需求出現后逐步普及、滲透率持續提升」 的規律。

下游產品與技術創新催生新增需求時，存儲廠商會增資擴產以擴大銷量；若下游需求不及預期，廠商則會通過降價去庫存、主動縮減產能來收縮供給，市場供需形成循環往復的周期。

同時，存儲芯片技術升級與投資周期緊密綁定，原廠擴產需要高額資本投入且技術壁壘極高，因此廠商通常會選擇規模化生產的方式來更好地實現盈利。

03-2、AI加碼需求

本輪存儲超級周期的核心驅動力是 AI 大模型超預期迭代升級，由此帶來海量數據存儲、處理與檢索需求。

生成式 AI 快速迭代推動數據量和 Token 呈指數級增長，存儲產品作為數據中心核心載體，直接拉高了對 HBM、DRAM、NAND 等存儲介質的需求，開啟新一輪存儲超級需求周期。

據 Open Router 數據，2026 年 2 月全球主要大模型消耗的 Token 量是 2025 年同期的 10 倍及以上，凸顯出旺盛的算力與存儲需求；

03-3、大廠持續推動

2025 年第二季度以來，谷歌、字節等海內外巨頭的日均 Token 處理量增速顯著加快，反映出全球 AI 應用正從 「文本對話」 向 「多模態交互」 演進，Token 處理量的指數級增長直接驅動了算力與存儲需求。

同時，全球互聯網巨頭正加速算力基礎設施建設，2025 年主要雲服務廠商（CSP）合計資本支出約 4000 億美元，預計 2026 年將增長 25% 至約 5000 億美元，算力軍備競賽持續升溫。

03-4、數據中心成為一大需求

生成式 AI 持續迭代，在 AI agent、多模態應用與原生視頻技術推動下，全球數據呈指數級增長，直接引爆數據中心存儲需求。

單條多模態任務數據量從 KB 級躍升至 GB/TB 級別，長上下文推理和實時視頻流處理對存儲帶寬與容量提出極致要求。

同時，多模態應用迎來爆發，Sora2、Seedance2.0 等視頻生成模型實現技術飛躍；字節的 Seedance2.0 支持多模態輸入，其生成的 10 分鍾長視頻體積超 10GB，10 秒視頻消耗的 Token 是文本生成的數十倍，進一步推高算力與存儲需求。

04  【存儲行業供給】現狀

存儲行業的周期性波動本質是供給驅動的自我修正，產能建設滯后導致 「供不應求」 與 「供過於求」 交替，行業重複 「復甦 — 擴張 — 頂峰 — 衰退」 循環。

復甦擴張階段，需求回暖、庫存耗盡、價格回升，廠商啟動擴產；

頂峰過剩階段，1-2 年后產能集中釋放，供過於求，價格下跌，行業衰退；

衰退去庫存階段，價格與利潤承壓，企業縮減開支、減產清庫存；

築底復甦階段，供給收縮疊加需求增長，供需逆轉，庫存回落后價格反彈，開啟新周期。

04-1、全行業供給

據 TrendForce，2026 年全球 DRAM 資本支出預計 613 億美元（年增 14%），NAND Flash 為 222 億美元（年增 55%）。

歷經多輪周期，廠商擴產趨於保守，新增資本主要用於 HBM4、3D NAND 等技術升級，而非單純擴產。同時，新建存儲晶圓廠需 1.5-2 年，新增產能 2027 年底才釋放，且工藝、潔淨室等瓶頸導致擴產難度大，潔淨室建設周期遠跟不上 AI/HBM 需求爆發。

04-2、核心廠商供應

從 2023 年第一季度開始，AI 需求冒頭，存儲行業就開始回暖，美光、海力士這些大廠的貨賣得更快了，手里的庫存明顯變少；到 2025 年第二季度，隨着 AI 推理和多模態應用爆發，存儲原廠的庫存更是加速見底。

現在全球雲服務廠商都在搶着建算力基礎設施，存儲市場一直供不應求，部分原廠 2026 年的高端產能早就被提前訂光了，供應一直很緊張。

根據海力士、美光、三星的交流，現在 DRAM 和 NAND 的庫存已經是歷史最低，平均只夠賣 3 到 5 周，屬於極度緊缺的狀態，短期沒法快速增產，所以這些原廠在談判里特別有話語權。

中游的存儲模組廠，2023 年時庫存都壓得很低，到 2024-2025 年存儲行業進入上行周期，這些廠就開始主動 「補庫存」；尤其是 2025 年二季度存儲價格大漲后，大家都捨不得賣貨，手里庫存的總金額漲了，但實際的模組數量還是維持在偏低又穩定的水平。

具體到廠商，江波龍走 「長期合約 + 現貨採購」 的路子，在晶圓顆粒價格便宜時用長約鎖產能，讓庫存增長剛好匹配需求，2024 年二季度至今它的庫存絕對值明顯提升。

而德明利在存儲顆粒漲價周期里，備貨更激進，庫存的漲幅比江波龍要大得多。

05  DRAM（動態隨機存儲器）

05-1、市場規模

AI 需求爆發是 DRAM 市場復甦的核心驅動力。從 2023 年第一季度起，AI 算力需求持續攀升，帶動 DRAM 和 NAND 市場逐步回暖並加速增長；后續隨着 AI 推理、多模態等應用爆發，AI 服務器對 HBM、DDR5 等高端 DRAM 的需求更是迎來爆發式增長。

最新的市場規模預測情況如下所示，2025年中期以來，多模態和視頻生成需求徹底引爆，算力與存儲需求猛增，HBM 和 DDR5 供不應求，全行業進入搶貨格局，連 DDR4、DDR3 都跟着漲價，DRAM 全系產品價格飆升，市場規模大幅擴大。

05-2、行業格局

存儲行業的原廠格局高度集中，形成了典型的 「三巨頭」 局面，這是因為這個行業技術壁壘極高、需要鉅額資本投入、生態綁定緊密，還得靠規模效應才能盈利，多重門檻把新玩家擋在了門外。

具體到 DRAM 市場，三星、SK 海力士、美光三家更是形成了絕對壟斷，合計市佔率超過 91%。截至 2025 年第三季度，三星佔 34.8%，SK 海力士佔 34.4%，美光佔 22.4%，剩下的南亞科技、華邦電子等廠商份額加起來才 2% 出頭。

從三家大廠的策略來看，它們都把重心放在高端產能上，積極擴產 HBM 和先進 DRAM，而對 DDR4、DDR3 這些低端產品的產能擴張則持謹慎態度，不會輕易加碼。

05-3、價格上漲，HBM發展

當前存儲市場的核心邏輯是高端需求爆發、長期缺貨，中低端與消費級供給被壓縮，進而帶動價格補漲。

高端 HBM 和 DDR5：從 2023 年第一季度起，多模態、視頻生成等 AI 應用爆發式增長，AI 服務器對 HBM、DDR5 這類高端 DRAM 的需求急劇攀升；疊加英偉達等巨頭提前鎖定產能，DDR5 和 HBM 持續供不應求，價格一路飛漲。

中低端 DDR4 和 DDR3：在這輪漲價周期中，原廠將大量先進產能轉向 HBM 與 DDR5，直接擠壓了 DDR4、DDR3 的產能空間；同時，原廠減產部分消費級和低端芯片的消息，引發下游 ODM、模組廠及經銷商恐慌性囤貨，推動價格暴漲。中長期來看，DDR4/DDR3 利潤微薄，大廠不願投入資本擴產，短期產能缺口將持續存在。

現在三星、SK 海力士、美光這三大存儲巨頭，都把 HBM4 當成核心發力點，在技術、產能、客户、資本四個維度上展開全面競賽。目前像 Rubin 這樣的 AI 平臺，已經有了千億級別的 HBM 訂單。從當前格局來看，SK 海力士暫時領先，三星正強勢反攻，美光也在全力追趕。

06  NAND（閃存）

06-1、市場規模

從 2025 年第二季度至今，AI 多模態和推理需求爆發，帶動企業級 SSD 需求猛增，可三大存儲廠卻把原本給 NAND Flash 的產能，切去了 HBM 和 DDR4/DDR3，這直接導致 NAND 出現結構性短缺，價格全面上漲。

以閃迪為例，2025 年 4 月首次官宣全渠道、全消費類產品統一漲價 10%，還預告會按季度調整價格，2025 年下半年 NAND 現貨價格持續走高，廠家也在不斷上調合約價格。

06-2、最新格局

存儲行業（尤其是 DRAM、NAND、HBM）呈現高度集中的三巨頭格局，源於技術壁壘高、資本投入大、生態綁定深、規模效應顯著等多重門檻。

NAND 領域則是五巨頭寡頭壟斷，合計佔約 90% 市場份額；2025 年第三季度，三星（29.1%）、SK 海力士（19.2%）、鎧俠（16.5%）、閃迪（12.5%）、美光（12.2%）分列前五。

當前，三星、美光、SK 海力士這三大原廠對 NAND 的產能擴張都很謹慎，更多把資源集中在 DRAM 擴產和 NAND 自身的技術升級上，彼此間形成了相對默契的步調。

06-3、技術發展

NAND 技術迭代核心有兩點：一是 3D NAND 堆疊層數與位密度（單位面積存儲量）同步提升，帶動存儲容量擴容；二是下一代技術聚焦堆疊層數演進、W2W 鍵合，其中混合鍵合是核心，可實現更高密度、更低功耗的芯片互聯。