超過臺積電！馬斯克正式宣佈建造世界最大晶圓工廠

（來源：半導體前沿）

產業重磅信息：晶圓廠行業建設要「變天」了！

今近日，馬斯克在X上推文宣佈他的晶圓工廠建設計劃（ TeraFab ）計劃將於 7 天后啟動。

自2023年下半年以來，半導體產業正在 AI 狂潮經歷前所未有的「緊湊」出貨時間，而馬斯克的特斯拉自動駕駛、Optimus 人形機器人、語言模型 Grok 都需排隊跪求大量芯片，身為一名成本控制狂和產能狂人，「忍無可忍」的馬斯克過去為此多次提出自建晶圓廠想法，除幫助特斯拉實現客製化芯片目標外，也想減少對臺積電的代工依賴，許多產業專家認為馬斯克太瘋狂，但馬斯克心意已決。

心意已決且是建設狂魔的馬斯克在北京時間今天凌晨在自己社媒平臺X 上推文宣佈：他的TeraFab 計劃將於 7 天后啟動。

雖然未透露任何細節，目前也尚未簽署任何協議，但《路透社》指出馬斯克可能會與英特爾討論。

根據推測，TeraFab 一種發展方式可能是與英特爾（Intel）、臺積電（TSMC）簽訂授權協議，提供資金協助他們建立生產線。

需要指出的是，建造晶圓廠建造門檻極高，包含極純淨無塵室、超複雜製程技術、良率控制、供應鏈等關卡，外界正摩拳擦掌等待馬斯克未來一周內秀出廠區藍圖、建造規模與落户地點。

需要指出的是，馬斯克一向以行業顛覆者的形象出現，這次他宣佈建設晶圓廠，會給全球晶圓製造行業和產業帶來怎麼的震撼，也是行業內外最大的關切和疑問。

來源：官方媒體/網絡新聞

—論壇信息—

名稱：第3屆光掩模與光刻膠技術論壇

時間：2026年4月24日

地點：上海

主辦方：亞化諮詢

—會議背景—

隨着半導體工藝節點向2nm及以下推進，下一代光刻技術已成為行業焦點。主要方向包括高數值孔徑極紫外（High-NA EUV）光刻、納米壓印光刻、電子束光刻、定向自組裝（DSA）和X射線光刻等。這些技術旨在提升分辨率、降低成本並提高產量。2026年，高NA EUV已進入高容量製造階段，而NIL和X射線光刻作為潛在顛覆者，正加速研發。

進入2026年，中國對高端光掩模的需求持續強勁增長，但技術研發、生產能力及產業鏈整合方面仍面臨高成本、技術複雜性和供應鏈依賴等諸多挑戰。全球半導體光掩模版市場在2018年至2024年間從40.4億美元增長至51億美元，年複合增長率達4.0%。預計到2030年，該市場規模將進一步擴大至約80億美元。亞化諮詢研究認為我國2025年第三方掩模版市場規模佔比為70%左右，預計2030年中國掩模版市場規模有望達到120億元。

全球光掩模版市場主要由Photronics、日本凸版(Toppan)和大日本印刷(DNP)三大企業主導，市場佔有率超過70%。而在中國市場，路維光電、清溢光電、龍圖光罩等本土企業正在不斷提升其市場競爭力，並在國產化替代方面取得突破。

亞化諮詢預計2026年市場規模有望達到100億元。在ArF光刻膠領域，國內廠商正在加快研發進程，並取得了核心突破，如南大光電實現ArF光刻膠量產。國內一些光刻膠龍頭企業如上海新陽、南大光電、容大感光、廣信材料、晶瑞電材等，在光刻膠的研發和生產方面取得了顯著進展。據亞化諮詢最新行業調研，國內領先的光刻膠新鋭企業還包括珠海基石(2022年成立)、國科天驥(2019年成立)等。國內光掩模與光刻膠產業發展正在提速，技術進步成為產業發展的重要推動力。

第3屆光掩模與光刻膠技術論壇將於2026年4月24日在上海召開。本次論壇由亞化諮詢主辦。此次會議將匯聚行業的領軍企業、機構的專家，探討下一代光刻技術發展方向，中國光掩模版與光刻膠產業的技術進展與應用，市場機遇與挑戰，和產業發展前景。

—會議主題—

上午分論壇：下一代光刻技術

1.多重曝光與先進圖形化技術

2.納米壓印光刻（NIL）技術

3.多電子束直寫光刻（Multi-beameBeam / 變形電子束）

4.電子束光刻（EBL）多束陣列技術

5.定向自組裝（DSA）與光刻集成

6.計算光刻與AI 驅動光刻系統

7.下一代光刻相關的材料與設備

下午分論壇：光掩模與光刻膠產業應用

1.光掩模與光刻膠的中國市場機遇

2.光掩模版基材與掩模保護膜的國產突破

3.光刻膠核心單體與光敏劑的國產化

4.非 EUV 先進製程中，光刻膠與光掩模的升級路徑

5.成熟製程與先進節點光掩模製造

6.存儲芯片(3D NAND/DRAM)專用光刻膠

7.先進封裝與 Chiplet專用光刻膠

8.光掩模與光刻膠生產的關鍵材料與設備

9.光掩模精密檢測與質量控制

10.國產光掩模與光刻膠產業鏈地圖

—贊助方案—