港股芯片股走勢強勁，產業鏈漲價傳聞不斷

3月10日，在韓國證券市場上，存儲芯片巨頭SK海力士、三星電子的股價雙雙大漲。盤中，SK海力士漲幅一度超過13%，三星電子漲幅一度超過10%。

當天，A股存儲芯片概念股也集體拉昇，板塊指數漲幅超過2%。截至中午收盤，聯瑞新材漲超17%，鉑科新材、科翔股份漲超10%。

截止發稿，港股芯片概念股走勢強勁，$天數智芯 (09903.HK)$漲近26%，$美佳音控股 (06939.HK)$漲超14%，$瀾起科技 (06809.HK)$漲超10%，$壁仞科技 (06082.HK)$、$愛芯元智 (00600.HK)$漲近7%，$宏光半導體 (06908.HK)$漲近6%，$英諾賽科 (02577.HK)$、$中芯國際 (00981.HK)$漲近5%。

從消息面來看，全球存儲芯片產業鏈傳出多則利好消息：一是，SK海力士和三星電子被選為$英偉達 (NVDA.US)$Rubin HBM4供應商，預計本月開始出貨；二是，SK海力士今日表示，已開發出一種先進的LPDDR6動態隨機存取存儲器（DRAM）產品，專為具有人工智能（AI）功能的移動設備而定製；三是，本周一，英偉達CEO黃仁勛喊話DRAM廠儘管擴產，稱「有多少就買多少」。

存儲芯片概念股大漲

在經歷了多日的震盪后，全球存儲芯片概念股強勢歸來。今日盤中，SK海力士一度漲超過13%，三星電子一度漲超10%。隔夜，美股市場上，存儲概念股也集體大漲，$閃迪 (SNDK.US)$漲超11%，$西部數據 (WDC.US)$漲近7%，$美光科技 (MU.US)$漲超5%。

A股存儲芯片板塊今日也大幅走高，截至中午收盤，板塊指數漲幅超過2%，聯瑞新材漲17.65%，鉑科新材漲超14%，科翔股份漲超10%，炬光科技漲超9%，壹石通漲超8%，偉測科技、天馬新材漲超7%，太極實業、南亞新材、珂瑪科技等紛紛走強。港股存儲概念也大幅上漲，$南方兩倍做多海力士 (07709.HK)$漲近20%， $南方兩倍做多三星電子 (07747.HK)$漲超13%，$瀾起科技 (06809.HK)$漲超11%，$兆易創新 (03986.HK)$漲超3%。

分析人士指出，國際油價的回調，緩解了市場對通脹的擔憂，這有利於成長股的行情演繹。此外，存儲芯片行業傳出多則利好消息，對板塊的情緒提振較大。

據韓國媒體報道，三星電子與SK海力士雙雙入圍英偉達新一代AI加速器Vera Rubin的供應商名單。由於HBM4從DRAM晶圓到最終封裝需要六個多月，兩家公司預計最快本月啟動生產。

報道稱，儘管Vera Rubin所用HBM4的分配量和定價尚未確定，但消息人士預計，包括HBM3E在內，SK海力士將在2026年NVIDIA的HBM總供應中佔據過半份額，而三星電子則將主導Vera Rubin專用HBM4的供應。根據TrendForce預測，SK海力士仍將引領全球HBM比特產量，份額為50%（低於2025年的59%），而三星電子的份額則從20%攀升至28%。

值得關注的是，報道稱$英偉達 (NVDA.US)$要求Vera Rubin所用HBM4的數據傳輸速率超過10Gb/s，遠高於JEDEC行業標準設定的8Gb/s標準。據報道，三星電子已有效通過英偉達在10Gb/s和11Gb/s兩個級別進行的HBM4認證測試，而SK海力士仍在優化其產品以通過11Gb/s速率測試。

另外，本周二，SK海力士表示，公司已開發出一種先進的LPDDR6動態隨機存取存儲器（DRAM）產品，專為具有人工智能（AI）功能的移動設備而定製。

SK海力士表示，基於第六代10納米工藝技術的16Gb LPDDR6 DRAM在2026年1月的CES 2026上展出后，已完成驗證過程。這家芯片製造商在一份聲明中表示：「SK海力士計劃在今年上半年完成量產準備工作，並在下半年開始供應產品，從而擴大我們針對人工智能應用優化的傳統DRAM產品線。」

SK海力士稱，這款新產品將應用於配備終端AI功能的智能手機和平板電腦等移動設備。該公司表示，與上一代產品相比，新產品的數據處理速度提升了33%。此外，新產品還將幫助消費者享受更長的電池續航時間和更優化的多任務處理性能。

產業鏈漲價傳聞不斷

據環球網援引韓國媒體Sedaily報道，近期，全球NAND閃存市場迎來持續漲價潮，市場份額位居首位的三星電子宣佈計劃在2025年第二季度再次上調核心NAND產品供應價格，上調幅度預計與今年第一季度持平。

據瞭解，三星電子已在今年第一季度將NAND閃存產品價格較上一季度上調約100%。若第二季度延續相同漲幅，其NAND產品價格較去年年底將累計上漲約200%。業內人士表示，儘管不同客户的最終成交價格或存在小幅差異，但三星此次確定的整體漲價幅度基本不會出現明顯變動。

不僅是三星電子，整個NAND閃存行業的漲價預期正持續升溫。有半導體行業高層人士透露，當前存儲芯片製造商的議價能力達到歷史高位，下游需求方企業大多隻能被動接受報價，SK海力士、鎧俠等頭部廠商也在籌備進一步上調NAND產品價格。市場數據也印證了這一趨勢，TrendForce數據顯示，上月NAND通用產品128Gb MLC閃存顆粒平均固定交易價格漲至12.67美元，環比上漲33.9%，同比漲幅更是高達452.3%。

此次NAND閃存價格持續走高，背后是多重市場因素的共同推動。一方面，人工智能產業發展進入關鍵階段，AI技術從數據訓練階段逐步向推理階段演進，對大規模數據存儲的需求與日俱增，NAND存儲的產業價值進一步凸顯。同時，各大科技企業紛紛加大對AI數據中心的投資佈局，直接帶動存儲設備需求快速攀升，成為推高NAND閃存價格的核心動因。

另一方面，市場供應端的收緊也加劇了價格上漲態勢。目前NAND市場排名前兩位的三星電子和SK海力士，均將生產重點向HBM等高附加值半導體產品轉移，大幅縮減了NAND閃存的產量。在供需失衡的背景下，業內普遍預計，NAND閃存價格的上漲趨勢在短期內難以逆轉，仍將持續一段時間。

本周一，英偉達CEO黃仁勛向全球存儲芯片廠商喊話稱，儘管擴產，有多少就買多少。

當天，黃仁勛在摩根士丹利科技大會上表示，芯片供給短缺對英偉達而言是「極好的消息」，因為資源受限會促使客户更傾向於直接選擇性能最強的解決方案。他向DRAM廠商喊話：「產能擴多少，我們（英偉達）就會用掉多少。」

編輯/melody