被AI重構的周期死循環：誰在撕裂全球存儲的定價法則？丨【實地調研】

（來源：投資者網-思維財經）

【實地調研】直踩公司一線，看產線、問資本、拆財報，透視真成長。

「市場格局的重塑。」

近期，全球存儲行業出現了看似矛盾的信號。2026年2月24日，知名做空機構香櫞資本高調做空美國存儲巨頭閃迪，直指其核心的NAND閃存本質是周期性商品，且內部長線資本正在提前折價套現逃頂。這份報告猶如一顆深水炸彈，不僅令閃迪股價盤中暴跌近8%，更引發了中國A股與港股存儲板塊的集體下挫，普冉股份（688766.SH）、瀾起科技（688008.SH）、兆易創新（603986.SH）等存儲板塊龍頭企業單日跌幅在4%至8%不等。

與此同時，在終端現貨市場，部分通用型存儲產品的價格正在經歷劇烈回調。以光威8GB DDR4內存條為例，其價格在2025年12月曾一度受囤貨熱潮炒作飆升至300多元/條，但進入2026年1-2月后，線上售價又迅速跌回200至260元區間，跌幅超過20%。然而，就在上游傳統存儲產品「降價排雷」、巨頭遭遇做空的同時，智能手機終端卻迎來了近五年最大規模的漲價潮，OPPO、一加、vivo、小米、榮耀等多家頭部手機品牌已擬定於2026年3月初啟動新一輪產品價格調整。

上游傳統業務遭做空、部分現貨降價，而終端手機卻在集體漲價。這看似反常的現象背后，究竟隱藏着怎樣的產業邏輯？《投資者網》團隊經過深度調研發現，截至2025年初至2026年初，全球存儲行業在AI大模型驅動下，正在經歷一場史無前例的產能重構與地緣博弈。

本文將穿透價格波動的迷霧，還原當前全球存儲市場的真實供需格局，並拆解中國產業鏈企業如何在這場「巨頭遷徙」中完成商業版圖的實質性跨越。

01

市場格局的底色：AI黑洞引發的產能遷徙與「K型」分化

要釐清當下存儲行業的價格亂象，首先需要認清存儲芯片在半導體行業的地位及其固有的市場結構。在全球存儲市場中，DRAM（動態隨機存取存儲器）和NAND Flash（閃存）佔據了95%以上的市場份額。但這又是一個長期高度壟斷的寡頭江湖。DRAM領域由三星電子、SK海力士和美光科技佔據約93%-95%的份額；NAND市場雖相對分散，但也基本由前五大巨頭牢牢把控。

然而，2024年至2026年，AI大模型對「高帶寬」和「大容量」算力的爆發式需求，徹底打破了這一周期性行業的傳統運行規律。AI算力需求宛如一個巨大的「產能黑洞」，引發了全球存儲市場的極度「K型分化」。

在K型上端，高端AI與服務器存儲實現了「量價齊升」 。HBM作為英偉達等AI芯片的標配，其生產過程極度消耗晶圓產能，生產同等容量HBM的晶圓消耗量是普通DDR5的3倍以上。國際巨頭爲了搶奪這一毛利率極高的市場，紛紛將傳統產線轉產HBM。

據《投資者網》調研，HBM在2024年價格飆漲200%以上的基礎上，2025年繼續上漲了30%-40%。同時，受AI訓練海量數據吞吐需求拉動，大容量企業級SSD在2025年全年累計漲幅超過60%；DDR5服務器內存（RDIMM）價格也由2024年初的85至90美元，一路攀升並維持在2026年2月的約120美元高位。

而在K型下端，消費級通用存儲卻出現了「過山車」行情。與高端市場的單邊上揚不同，消費級市場經歷了劇烈的震盪。巨頭們主動縮減DDR4等成熟製程的供應，以增加HBM產能，這導致渠道商在2025年底產生恐慌性囤貨，從而推高了現貨價格。

但在2026年初，隨着中國本土產能的大量釋放和市場迴歸理性，消費級通用存儲產品的價格迅速回調。儘管終端零售價格回調，但在上游顆粒批發端，博弈依然激烈。據《投資者網》調研，2026年2月上旬，受春節影響，不同經銷商給出的長鑫DRAM顆粒價格也存在較大差距；同時受價格波動較大影響，渠道商不敢大規模囤貨，造成現貨庫存吃緊，多個經銷商向《投資者網》反映長鑫主流等顆粒大批量採購困難，需臨時調撥。

這種極端的分化表明，傳統的三巨頭正在進行一場「產能大遷徙」，他們主動讓出了成熟製程市場的空間，全力押注AI高端賽道。這也為中國存儲產業鏈提供了戰略性的突圍機遇。

02

深度調研：中國企業的「填空」戰略與業績兑現

巨頭撤退留下的龐大傳統通用市場如DDR4、中低端SSD等，已成爲了中國存儲企業崛起的絕佳温牀。這並非中國企業的無奈之舉，而是基於地緣環境和市場機會的精準「填空戰略」。

在DRAM領域，長鑫存儲發起了猛烈的攻勢。隨着其在合肥、北京產線的快速爬坡，截至2025年底，長鑫在全球DRAM市場的產能份額已突破10%。而據媒體報道，長鑫科技還在2025年底至2026年初主動發起了價格戰，試圖拿到DDR4市場的絕對定價權。

在NAND領域，長江存儲則成功向數據中心深水區邁進。2025年，長江存儲逐漸完成從消費級向企業級SSD（eSSD）的轉型。在中國本土互聯網大廠2025年新建的AI數據中心中，用於存儲海量訓練數據的QLC eSSD，部分顆粒來自長江存儲，一定程度上實現了國產替代。在面臨設備封鎖的環境下，長江存儲不僅實現了300層+ NAND的量產，其產能利用率也全年保持在較高的水平。

中國存儲產業的崛起，最直接的體現是相關上市公司在2025年徹底告別了「虧損換市場」的泥潭，迎來了實打實的利潤兑現。

瀾起科技作為全球內存接口芯片的雙寡頭之一，其2025年前三季度營收突破40億元，同比增長近60%。其高毛利的AI專用芯片營收佔比也大幅提升，成為AI時代的直接受益者。

江波龍(301308.SZ)憑藉強大的封裝和主控自研能力，成功填補了海外巨頭保供北美留下的國內企業級市場真空。佰維存儲(688525.SH)作為HP、Acer等PC廠商的核心供應商，直接受益於「AI PC元年」帶來的端側存儲容量翻倍，其營收同比增長60%，淨利潤也創歷史新高。

通富微電(002156.SZ)在封測環節躋身全球前四強，承接了AMD MI400系列大部分的后道封測訂單，並開始為國內AI芯片廠商提供CoWoS類先進封裝服務。兆易創新在NOR Flash和利基型DRAM市場穩紮穩打，隨着巨頭退出導致利基產品價格回升，其綜合毛利率在2025年已修復至40%左右。」

03

做空、漲價與雙軌制：全球存儲市場的發展路徑

梳理完產能重構與填空邏輯，我們能清晰看到存儲行業出現的看似矛盾的做空、降價與漲價的現象。

手機為何漲價？2026年3月終端智能手機的集體漲價，根本原因在於高端移動端存儲（LPDDR5X和UFS 4.0）的供應收緊。三星、海力士等巨頭將大量晶圓產能切給HBM，導致手機存儲顆粒供給不足、

在這一周期中，中國手機廠商（如華為、小米、OPPO、vivo等）加速了國產存儲的導入。如Redmi K70至尊版大量採用了長鑫的LPDDR5X內存，真我（Realme）的1TB版本UFS 4.0幾乎全部源自長江存儲。這種「補位式替代」雖然在一定程度上平抑了漲幅，但整體大盤的高端供給短缺依然讓手機廠商承受着巨大的BOM（物料清單）成本壓力，最終不得不向消費者端傳導漲價。

閃迪為何被做空？香櫞資本做空閃迪（SNDK）的邏輯，恰恰反映了資本市場對傳統國際巨頭在通用市場前景的悲觀。由於中國企業通過成熟製程的產能大爆發和價格戰，已經對通用DDR4、低層數NAND市場完成了「替代」。

資本市場敏鋭的察覺到，傳統存儲產品的利潤空間正在被中國企業的規模效應和成本優勢所粉碎。閃迪這類在AI高端領域並不佔絕對統治力，卻在傳統NAND領域面臨中國企業貼身肉搏的廠商，相較於擁有巨大產能的三星，自然成爲了被市場做空的首選標的。

隨着國產替代的逐步推進，市場不禁要提出一個疑問：「未來，存儲行業是否會像曾經的面板行業那樣，主要玩家都是中國企業？」據市場預計，存儲行業會「部分面板化」，但受制於物理層面的技術壁壘，最終或將形成「階層固化的垂直分工」。

在DDR4、TLC NAND等標準化程度高的成熟領域，中國企業將憑藉成本和規模優勢，在未來3-5年內徹底接管這部分佔總出貨量30%-40%的市場，國際大廠將主動或被迫完全退出，以搶佔毛利潤更高的高端市場。

但與面板不同，先進存儲設備（如EUV光刻機）受到嚴格的封鎖。只要設備卡脖子的問題不解決，中國企業在HBM、DDR6等需要極高研發迭代速度的核心領域，短期內依然難以撼動三星電子、SK海力士和美光科技等國際巨頭的地位。

目前來看，AI服務器的狂飆實際上加速了中國存儲企業的崛起，促使行業形成了兩套平行的供應鏈。一套是由西方主導、昂貴且服務於頂尖AI算力的高端網絡；另一套則是極致性價比、由中國主導並服務於萬物互聯的通用底座。

中國存儲產業已經完成了從0到1的立足。但在資本市場的波動與國際巨頭的技術封鎖下，如何跨越先進設備的物理高牆，向數據中心核心存儲發起最后的衝擊，將是中國企業在下一階段最大的硬仗。（思維財經出品）■

圖片來源｜攝圖網

（本文僅供參考,不構成投資建議,市場有風險,投資須謹慎）