存儲芯片價格翻倍引爆行業修復 兆易創新H股漲近6%

財聯社3月5日訊（編輯 胡家榮）今日早盤韓國股市上演強勁V型反轉。韓國綜合股價指數KOSPI高開3.1%后持續拉昇，盤中漲幅一度擴大至12%，其中三星電子和SK海力士均漲超11%。

受韓股情緒修復帶動，港股市場存儲產業鏈標的同步走強。截至發稿，兆易創新(03986.HK)漲5.88%、瀾起科技(06809.HK)漲4.72%。

尤為引人注目的是，在港股上市的槓桿型ETF產品表現突出——南方東英兩倍做多SK海力士(07709.HK)與南方東英兩倍做多三星電子(07747.HK)漲幅均超過15%。

恐慌情緒退潮 優質科技資產成資金避風港

市場分析指出，此輪快速修復行情反映出：當短期恐慌情緒緩解后，此前因非理性拋售被顯著低估的優質科技資產迅速成為資金迴流核心標的。作為全球半導體產業鏈關鍵環節，存儲芯片龍頭企業的估值修復具有顯著風向標意義，印證行業基本面拐點正在形成。

漲價實錘：DRAM價格談判落地，季度漲幅實現翻倍

據3月4日行業媒體報道，三星電子已於2月與主要客户完成2026年一季度DRAM供貨價格最終談判。服務器、PC及移動端通用DRAM產品均價較2025年四季度上漲約100%，部分客户及特定品類漲幅甚至突破100%。業內知情人士透露，談判已全面收尾，部分海外客户已完成付款流程。

值得注意的是，相較於今年1月初步協商的70%漲幅，最終定價在一個月內再度提升約30個百分點。同時，行業供貨談判周期已從傳統年度合同大幅壓縮至季度，部分品類甚至需按月動態調整。這一機制變革深刻反映出當前存儲芯片市場供需矛盾的嚴峻性與緊迫性。

本輪漲價並非單一廠商行為。報道援引產業鏈人士稱，SK海力士與美光科技已同步以相近幅度完成一季度供貨合同談判，全球三大DRAM原廠協同提價格局已然成型。市場普遍預期，2026年二季度DRAM與NAND Flash價格仍將延續上行趨勢，儘管環比漲幅或有所收窄，但價格中樞系統性抬升的方向已不可逆轉。

除了海外漲價之外，近期多家功率半導體廠商發佈漲價函，無錫新潔能股份有限公司宣佈將對MOSFET產品漲價10%起，並於3月1日起生效。行業迎來新一輪全面漲價潮，市場關注度提升。

瀾起科技和兆易創新均出現上漲

瀾起科技是DDR5 RCD、MDB及CKD芯片國際標準牽頭制定者，穩居全球內存接口芯片三大供應商之列。弗若斯特沙利文報告顯示，按2024年銷售額計，公司為全球最大的內存互連芯片供應商、第二大PCIe Retimer供應商。

兆易創新是中國領先的半導體設計公司，主營業務涵蓋存儲器、微控制器和傳感器。在存儲領域中，公司是國內Nor Flash的龍頭企業，同時也在積極佈局DRAM和NAND Flash市場。

國金證券認為，半導體設備是半導體產業鏈的基石，存儲擴產與自主可控共振，國產化空間廣闊。存儲芯片架構從2D向3D深層次變革，隨着3D DRAM技術引入以及NAND堆疊層數向5xx層及以上演進，製造工藝中對高深寬比刻蝕及先進薄膜沉積的要求呈指數級提升，相關設備廠商將深度受益於工藝複雜度提升帶來的紅利。