狂投AI芯片與HBM！亞洲半導體巨頭今年支出有望達1360億美元，同比增長25%

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（來源：網易科技）

亞洲半導體行業掀起新一輪資本開支浪潮。據TrendForce數據，中國臺灣、韓國和日本等地區的主要半導體廠商2026年合計資本支出有望突破1360億美元，較2025年增長約25%，臺積電、三星和SK海力士位居支出規模前列。

這一輪擴張的核心驅動力在於AI芯片及高帶寬內存（HBM）的需求持續升溫。臺積電計劃以高達560億美元的歷史性資本支出領跑行業，三星和SK海力士則將新增產能的絕大部分鎖定在HBM方向，以搶佔AI服務器內存的主導地位。

支出浪潮已從一線巨頭蔓延至二線廠商。中國臺灣特殊內存供應商華邦電子（Winbond Electronics）和南亞科技（Nanya Technology）相繼宣佈大幅上調年度資本預算，后者更創下歷史新高，折射出市場對內存景氣周期回暖的強烈預期。

對於投資者而言，這波密集的資本承諾意味着設備採購訂單將持續放量，半導體設備與先進封裝產業鏈有望持續受益。但與此同時，產能的集中釋放也令外界對潛在供過於求風險保持關注。

臺積電領漲，晶圓代工擴產加速

代工龍頭臺積電是本輪資本開支擴張的最大推手。

據《工商時報》及中央通訊社此前報道，臺積電今年資本支出計劃介於520億至560億美元之間，同比增幅達27%至37%，創公司歷史新高。其中70%至80%將用於先進製程，其余部分則投向特殊製程及先進封裝領域。

這一預算規模遠超行業均值，凸顯臺積電在AI邏輯芯片代工市場的主導地位，也反映出客户對先進製程產能的搶訂已深度綁定臺積電的擴產節奏。

三星、SK海力士押注HBM，內存擴產聚焦高端

在內存領域，三星和SK海力士同步加碼，但兩家公司均將擴產重心轉向HBM，而非傳統DRAM。據TrendForce預測，三星2026年資本支出將同比小幅增長約3.7%；SK海力士的增幅則更為顯著，預計達24%。

韓國媒體EBN報道，三星計劃2026年將DRAM產出提升約20%，擴產將集中在平澤P4工廠，但新增產能將主要用於支持10納米第六代（1C）DRAM，以滿足HBM4的生產需求。

SK海力士方面，EBN報道稱，該公司已完成清州M15X工廠的擴產準備，相當大比例的新增產能同樣將劃撥至HBM生產線。

據The Elec今年1月末報道，SK海力士已上調1C DRAM的擴產計劃，業內消息人士估計，該公司到2027年第一季度末月產量有望達到17萬至20萬片，幾乎是原定目標9萬片的兩倍。

在NAND領域，鎧俠（Kioxia）與閃迪（SanDisk）組成的聯盟展現出更為激進的擴張姿態。據TrendForce預測，該合資陣營2026年資本支出漲幅可能高達40%，顯示雙方正大力推進NAND產能擴張。

二線內存廠商跟進，行業景氣回暖信號增強

值得關注的是，本輪資本開支的擴張並不侷限於頭部企業，中國臺灣二線內存廠商亦紛紛跟進，釋放出行業景氣觸底回升的明確信號。

據日經新聞報道，以NOR閃存及特殊定製DRAM見長的華邦電子計劃2026年投入421億新臺幣，約為去年支出規模的八倍。該公司同時預計，2026年第一季度產品平均售價將上漲逾30%。

全球第五大DRAM製造商南亞科技的動作同樣引人注目。據科技媒體TechNews報道，南亞科技公佈的2026年資本支出預算高達500億新臺幣，創歷史新高，新建廠房預計於2028年上半年達到月產2萬片晶圓的目標產能。

二線廠商的集中加碼，進一步印證市場對內存周期向上的樂觀判斷，也為相關設備及材料供應商帶來更廣泛的訂單增量預期。