存儲巨頭的「復仇」

存儲芯片行業正在經歷一場前所未有的 「權力反轉」。這個曾被產能過剩和價格崩盤反覆折磨的行業，如今成爲了 AI 狂潮中的強勢定價者。

從被市場需求裹挾的被動擴張與收縮，到主動調整產品結構，將產能從傳統存儲芯片轉移給 AI 數據中心所需的高帶寬內存（HBM），存儲巨頭通過供給管理，完成了一次對市場周期的 「復仇」。

消費電子和汽車行業淪爲了這場盛宴的犧牲者。AI 數據中心虹吸走了大部分產能，留給前者一場影響深遠的供應鏈危機。就連一向強勢的蘋果，在與三星、SK 海力士的價格談判中也束手無策。Counterpoint 預計，2026 年全球智能手機平均售價將上漲約 6.9%。

不同以往，這場存儲芯片供應危機，在巨頭們精打細算的謀劃下，可能不會輕易落幕。

黃金時代的幻滅

2022 年 10 月，存儲芯片三巨頭之一的美光（Micron）宣佈了一項野心勃勃的計劃：未來 20 年，投資最高 1000 億美元，在紐約建造美國曆史上最大的半導體制造基地。

按照規劃，這將為當地帶來約 5 萬個工作崗位。僅生產存儲芯片所需的潔淨室，面積就達 22.3 萬平方米，相當於 9 個羅馬鬥獸場。按每平米 7 萬元的建設成本，僅這一項投入就高達 156 億人民幣。全部投產后，每月可以生產超過 10 萬片晶圓。

儘管 2022 年美光的大手筆令人矚目，但在三巨頭中，它的擴產步伐已經算是慢的了。

存儲行業上一個令人懷念的上行周期，始於疫情暴發的 2020 年。當時，三星規劃了超過 70 萬平方米的生產線（P3 工廠）；SK 海力士斥資 90 億美元收購英特爾 NAND（閃存）業務，並在中國大連等地新建和擴建工廠。未來資產證券的研報顯示，其中部分擴產計劃還是提前執行的。

疫情使全球數十億人轉向遠程辦公和線上學習，全球 PC（Personal Computer，個人計算機）出貨量激增 13.1%；與此同時，5G 的普及刺激了換機需求；元宇宙概念興起，也帶動了號稱 「元宇宙基石」 的分佈式存儲需求。

多重利好作用下，2021 年上半年，DRAM（內存）和 NAND（閃存）兩種核心存儲芯片的價格連續上漲。TrendForce 數據顯示，DRAM 供應商的平均庫存僅能維持 3 至 4 周，NAND 也只有 4 至 5 周，雙雙處在歷史低位。

存儲芯片漲價的影響甚至傳導到幣圈。2021 年 5 月，加密貨幣 「奇亞幣（Chia）」 突然爆火。與比特幣依靠算力挖礦不同，奇亞幣依賴於硬盤空間。硬盤容量越大，獲得獎勵的概率越高。無論是機械硬盤還是固態硬盤，都在礦工們的洗劫下價格飆升。一塊 1TB 的西部數據 SN750 從不到 800 元被炒至約 1300 元。

需求持續高漲讓存儲行業相信，擴產是在為繁榮鋪路。美光 CEO Sanjay Mehrotra 甚至樂觀地宣告：存儲行業的黃金時代正在來臨。

不幸的是，黃金時代並未持續太久，存儲行業就進入了下行周期。

2022 年下半年，全球智能手機和電腦出貨量開始下跌。三巨頭起初並不相信這預示着周期的結束。三星在三季度財報中表示，儘管需求放緩導致庫存上升，但並不會大幅減產——它仍在等待需求反彈。因為一旦減產，市場就可能被 SK 海力士和美光奪走。后者也做出了同樣的選擇。

庫存積壓下，上漲的敍事結束在 2023 年。

DRAM 內存平均售價持續暴跌，從筆記本電腦到移動終端產品，各類型號的 DRAM 芯片出貨量單季度跌幅一度達到 13% 至 18%。NAND 閃存的價格更跌至成本線以下，不少廠商賣一顆虧一顆（TrendForce 數據）。

2023 年，三星營業利潤同比減少超過八成，創下 2009 年以來最低記錄。美光 2023 財年營收腰斬。SK 海力士經營利潤率為-24%。

美光 CEO Sanjay Mehrotra 坦言，存儲行業正在經歷過去 13 年來最嚴重的衰退，僅次於 2008 年金融危機帶來的崩盤。賭輸了的存儲巨頭們，在那一年只有一件事能做——把前幾年擴充的產能再減掉。

莎士比亞説，那些殘暴的歡愉，終將以殘暴結局。

AI 引爆的 「復仇」

如果説上一個周期，存儲巨頭是被市場需求裹挾着從黃金時代墜入深淵。那麼 2024 年以來，當 AI 數據中心需求拉動行業復甦、重回上行周期時，拿回定價權的存儲巨頭爲了避免歷史重演，精心導演了一場 「復仇」。

目前存儲芯片市場主要由 DRAM 內存和 NAND 閃存構成。其中 DRAM 又分為服務於 AI 數據中心的高帶寬內存（HBM）和用於消費電子產品的 DDR4/DDR5。當 AI 數據中心需求暴增、HBM 產能嚴重不足時，三大巨頭的策略是：主動減產 DDR4/DDR5，將產能讓渡給利潤更高的 HBM。其新建產能也主要用於 HBM。

這直接導致了手機、電腦及汽車行業的存儲芯片供貨危機，但也讓三巨頭成功規避了盲目擴產后需求回落的風險，用這些行業充當了其產能調控的蓄水池。

2024 年 10 月，SK 海力士表示將大幅削減 DDR4 的產量佔比。TrendForce 預計，到 2027 年，SK 海力士近 40% 的 DRAM 產能會用於 HBM。三星和美光也相繼宣佈，將 DDR4 等傳統產能轉向 HBM 和高端 DRAM。此時內存價格雖已止跌，但市場整體還在復甦前夜。

真正的殺招出現在一年后。2025 年 10 月，OpenAI 宣佈與 SK 海力士、三星簽訂龐大的採購協議，鎖定了每月 90 萬片的晶圓產能，為其 「星際之門」 項目確保核心存儲芯片供應。

儘管此前市場已暗流湧動，但發現 OpenAI 鎖定的產能約佔全球 DRAM 總產能 40%（TechInsights 數據）時，市場的恐慌情緒被徹底引爆——這意味着剩余產能要被蘋果、聯想、戴爾、亞馬遜等所有其他客户爭搶。

協議官宣后，DDR5 價格飆升。股票研究機構 Citrini Research 研究員 Jukan 統計，DDR5 平均售價在幾周內上漲兩到三倍。三星去年 11 月將部分存儲芯片價格上調，較 9 月漲幅最高達 60%，到今年更將 NAND 閃存供貨價直接翻倍。

哪怕咬牙接受漲價，也未必能拿到貨。SK 海力士去年 10 月宣佈，2026 年全年包括 HBM 在內的 DRAM 產能和 NAND 產能全部售罄。美光也確認其 2026 年的 HBM 產能售空。美光 CEO Sanjay Mehrotra 透露，即使是關鍵客户，產能最多也只能滿足三分之二的需求。言外之意：大客户也得乖乖排隊。

行業重回揚眉吐氣的上行周期，但各家分到的蛋糕不一樣大。動手更早、轉向 AI 廠商更激進的 SK 海力士成功摘掉 「千年老二」 的帽子。2025 年全年，SK 海力士獲得 47.2 萬億韓元營業利潤，超過老大哥三星電子（43.6 萬億韓元）登頂行業第一。

SK 海力士的翻身，印證了 HBM 就是存儲行業當下的印鈔機。

TrendForce 數據顯示，HBM3e 的價格是同容量 DDR5 服務器內存的 4-5 倍，利潤是 DDR4 的 10 倍。美光預計，全球 HBM 潛在市場將在 2028 年達到 1000 億美元——2023 年還只有 40 億美元。正是因為 HBM 的超高利潤，讓三巨頭不惜得罪老客户而轉產。

消費電子和汽車行業成了這場產品結構調整中的犧牲品。手機內存成本佔比通常在 10%-20% 左右，如今這一佔比正在攀升。就連雷軍都發微博直呼：存儲漲價 「有點離譜」。手機廠商面臨兩難選擇：砍配置，或是面向消費者漲價。

即使最有議價權的蘋果，在存儲巨頭面前也無計可施。以往蘋果憑藉訂單規模能簽下更有利的長期合同，但如今攻守易勢。據韓國媒體 ZDNet 報道，在今年一季度 iPhone 低功耗 DRAM（LPDDR）價格談判中，三星給蘋果的報價較前一季度上漲超過 80%，SK 海力士的報價更是直接翻倍。

儘管最終成交價不得而知，但可以肯定的是，蘋果要承擔更高的存儲成本，而這也很可能會體現在下半年發佈的 iPhone 18 系列的定價上。Counterpoint 預計，2026 年全球智能手機平均售價將上漲約 6.9%。

周期魔咒

三大存儲巨頭部分撤出傳統存儲產品、轉向 HBM，給行業內的其他玩家流量下了填補市場空白的機會。

過去一年，西部數據（Western Digital）股價上漲超過 300%，希捷（Seagate）上漲超過 200%，主要得益於 AI 數據中心建設帶來的 HDD（機械硬盤）需求激增。

中國廠商也是這輪產能轉換的獲益方。長鑫存儲、江波龍、南亞科、華邦電等廠商，有望在性能要求相對不高但成本敏感的細分市場——如中低端智能手機、IoT 設備、車載芯片等——獲得更大的市場空間。

這並未引起存儲三巨頭的戒備。TrendForce 預測，三家公司今年的資本支出將温和增長。美光在 2025 財年四季度電話會上表示，要保持供給紀律，不會激進投產；三星高管也表示會視需求快速跟進。

雖然利好消息不斷，但存儲巨頭並未完全走出上一輪需求暴漲暴跌的陰影。如今的每一步擴張，都伴隨着對市場需求回落的擔憂。

這種擔憂首先就來自難以掌控的供需平衡。儘管摩根大通的分析師預測，2026-2027 年仍然是存儲行業的上行周期，但隨着 HBM 的供給逐步提升，良率逐漸穩定——如三星 HBM4 產能預計在 2027 年大規模釋放——HBM 仍面臨供過於求。對於存儲巨頭而言，延迟擴產反而有望拉長上行周期，降低虧損風險。

其次，HBM 的錢也沒那麼好掙，需要跨過三重門。

首先是良品率。HBM 的本質是在極小的硅片上像蓋高樓一樣堆疊多個 DRAM 芯片。只要一層失效，整個堆棧就會報廢。層數越高，複合良品率越低。傳統 DRAM 的良品率能達到 80% 以上，成熟產品甚至超過 90% ，但是 HBM4（12 層和 14 層）目前僅有六七成。

同時，HBM 的晶圓消耗量也比傳統 DRAM 更高。美光曾披露，生產同樣容量的 HBM3e 所需晶圓量約為 DDR5 的 3 倍。HBM 的生產周期也更長，TrendForce 測算，HBM 的生產周期比 DDR5 長約 1.5–2 個月，總周期通常超過半年。這不僅擠壓了傳統 DRAM 的產量，也顯著推高了成本。

最后，HBM 的專用性可能會加劇供過於求的風險。傳統 DRAM 具有一定通用性，即使手機、電腦市場需求下滑，也可以通過改變封裝形式、做車規驗證等方式把產品分流到智能硬件及汽車行業消化庫存。但 HBM 主要搭載於 AI 數據中心，用於支持 AI 的訓練和推理等任務，缺乏多元化的應用場景。因此一旦出現類似 2023 年的需求驟減，更容易砸在手里。

顯然，存儲巨頭們厭惡周期，但只要市場在變，存儲就仍然是周期生意。正如黑格爾所説，人類唯一能從歷史中吸取的教訓就是，人類從來不會從歷史中吸取教訓。

本文來自微信公眾號「雲見 Insight」，作者：劉意默，編輯：王海璐，36氪經授權發佈。