美光目標價「立漲」100美元？大摩：AI存儲需求太火爆，無懼任何打擊！

財聯社2月12日訊（編輯 黃君芝）近段時間以來，「存儲漲價風暴」越刮越猛，美國存儲芯片大廠美光科技屢獲華爾街大行「點名讚賞」、並上調評級和目標價。繼瑞銀、瑞穗、匯豐和德銀之后，摩根士丹利成爲了最新一家青睞美光的投行。

在周三（11日）最新發布的研報中，大摩將美光的目標價從350美元大幅上調至450美元，並維持「超配」評級。與此同時，該行還將美光列為半導體板塊首選標的。而這背后的原因也極其簡單——人工智能（AI）需求太火爆！

「自美光上次發佈業績指引以來，存儲芯片價格大幅上漲，所有終端市場均出現供應短缺局面，我們據此上調公司盈利預期。在AI需求保持強勁的背景下，HBM4供應擔憂、中國市場相關顧慮及資本支出擔憂均不構成核心影響因素。」報告稱。

一直短缺 = 一直漲價

過去12個月，DRAM市場已實現顯著增長，但未來增長潛力仍值得期待。大摩認為，今年一季度將迎來新一輪大幅漲價，且2026年供應增長有限，難以緩解當前嚴重的供需短缺局面，預計全年價格將持續上行。

該行進一步解釋稱，全球存儲芯片持續供應短缺推高了動態隨機存取存儲器（DRAM）/NAND閃存的價格——DDR5現貨價格年內大漲30%、較1月合約價高出130%。大摩強調，「這意味着主流產品價格可能再次翻倍」。

簡單來説，只要供需缺口無法彌合，這場漲價風暴就不會停止，而AI需求的持續高增長又進一步擴大了供需缺口。

具體而言，大摩寫道：

從需求端來看，當前存儲芯片生產商庫存處於極低水平，客户即使願意支付溢價也難以獲得足夠的供應。無論是無法獲得足夠供應的消費PC廠商等，還是優先獲得增量供應的核心客户，均無法建立庫存——核心客户甚至願意支付溢價，提前30天鎖定供應；

從供應端來看，晶圓廠的產出增長極其緩慢，大摩預計到2026年底，包括合肥長鑫（CXMT）、海力士M15和三星P4L在內，晶圓投片量的同比增速僅為7%。這反映出晶圓廠產能短期內難以跟上需求。

AI需求爆發式增長：預計到2026年底，英偉達季度營收將再增加300億美元，AMD數據中心業務季度營收將翻倍至100億美元，博通半導體業務季度營收將翻倍至約250億美元，再加上Marvell和英特爾合計增加的10億美元季度營收，未來12個月存儲行業需支撐的年化營收增量將接近2000億美元——這一規模超過2020年整個邏輯半導體（如CPU、GPU）市場的規模，且由於HBM對晶圓需求更高，DRAM供應商需投入更多資本支出才能跟上需求增長。

「基於此，我們認為，僅僅因擔憂2027年下半年供應增長而賣出股票為時尚早。」報告稱。

漲價=盈利能力大增

這股「漲價風暴」帶來最直接的好處就是盈利能力大增。大摩預計，美光在2026日曆年（CY26）的每股收益（EPS）將飆升至52.53美元。

大摩在報告中進一步指出，美光將於本周晚些時候在投資者會議上發言，市場普遍預期其業績將達到或超過第二財季初始時發佈指引的上限——營收環比增長37%，「這背后隱含的是平均銷售價格（ASP）約30%的環比增長」。

大摩直言，這一預期過於保守，因為競爭對手的數據更加驚人：閃迪剛剛給出的指引顯示其NAND ASP環比暴漲60%，而覆蓋三星和海力士的團隊也分別模型預測Q1常規DRAM價格將上漲48%和55%。

「值得注意的是，上季度初的情況與當前相似，美光當時並未提供新的具體指引，而是確認市場環境改善程度遠超預期。我們預計本次會議美光將延續此類表述——若未提供具體指引，股價可能出現短期回調，但這將構成買入機會。」報告補充道。

有鑑於此，大摩強調，當前價格走勢為盈利預期持續上修奠定了基礎，而市場大大低估了當前存儲芯片市場的緊張程度。目前市場普遍預期，美光盈利將在2027年底達到峰值（約12美元/股），而這一目標僅需平均售價（ASP）較當前指引水平上漲20%-25%即可實現。

該行分析師在報告中寫道：「但實際情況是，2026年一季度價格漲幅已遠超指引隱含水平，因此我們判斷，未來18個月美光盈利可能持續超出市場普遍預期。」

「此外，美光現金流表現強勁，預計每季度將產生約100億美元現金流，一年內現金流規模將達到當前企業價值（EV）的10%，再加上潛在的大額預付款，公司資產負債表現金儲備將顯著增加。」他們補充道。

打破「空頭謠言」

首先，針對市場擔憂的中國存儲芯片公司可能帶來的衝擊，大摩認為這種擔憂被誇大了。

其次是HBM4的供應問題。

AI熱潮推動了市場對高帶寬內存（HBM）的需求激增。需要知道的是嗎，HBM通過堆疊DRAM製成，對於先進AI芯片——如英偉達設計的芯片——至關重要。美光與韓國的SK海力士、三星電子並稱全球HBM 「三巨頭」，三家企業合計壟斷了全球97%以上的HBM市場份額。

HBM是美光增長故事的核心組成部分，也是市場願意給予其更高估值的關鍵邏輯。但目前來看，DDR5市場價格上漲勢頭更猛，已成為更具吸引力的市場。而市場對美光HBM4進展存在擔憂，但大摩判斷這不會對公司盈利產生負面影響。

該行指出，美光早在去年12月的財報中就表示，已完成HBM4產品認證，並預計在2026年第二季度（C2Q26）實現批量出貨，這一時間表沒有變化。

「即便美光在HBM4產能爬坡上遇到未預見的困難，HBM3e仍佔據市場主流，且擁有廣泛的ASIC客户基礎，不會對盈利造成負面影響。英偉達HBM4的早期主要量產份額歷來屬於海力士，這在預期之內，並不構成美光的基本面利空。」報告稱。

估值

報告顯示，大摩採用了「跨周期（through cycle）估值方法」對美光進行估值，並直言「基於傳統的周期性思維來評估美光是錯誤的」。

具體而言，該行解釋稱：此前目標價350美元是基於「25倍周期內每股收益（14美元）」測算的；而隨着2026年每股收益預期突破50美元，我們將「跨周期每股收益」預期上調至18美元——這一水平雖較歷史均值顯著溢價，但仍不足未來12個月預期盈利的一半。

大摩總結稱，因HBM帶來的AI獨特紅利，大摩維持給予美光25倍的市盈率倍數。18美元的跨周期EPS乘以25倍的估值，直接導向了450美元的新目標價。

最后，大摩還預演瞭如下三個場景：

牛市場景（600美元）：基於30倍「跨周期每股收益」（20美元）測算。得益於規模效應、AI產品佔比提升及新產品成本優化，毛利率持續改善；HBM晶圓強度（WaferIntensity）推動需求持續超過供應，美光在HBM領域鞏固性能領先地位，價格壓力進一步緩解。

基本預期（450美元）：基於25倍「跨周期每股收益」（18美元）測算。18美元的「跨周期每股收益」較過去8年平均水平顯著溢價（主要得益於HBM業務）；25倍估值倍數反映市場對HBM機遇的樂觀預期，處於半導體板塊較高水平。

熊市場景（216美元）：基於16倍「跨周期每股收益」（13.5美元）測算。2026年底存儲行業進入下行周期，年初需求強勁實則為客户庫存積壓；盈利峰值不及預期后，估值倍數大幅壓縮。