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2026-02-12 10:52
財聯社2月12日訊(編輯 卞純)周四,在存儲芯片股的引領下,韓國股市再創歷史新高。
韓國基準股指KOSPI指數周四高開高走,截至發稿漲幅已經擴大至2.7%,觸及5499.79點的歷史高點。

其中,存儲芯片巨頭領漲。三星電子股價漲至記錄高位,目前漲幅已擴大至近6%;而SK海力士目前漲近4%。

消息面上,韓國海關周三公佈的數據顯示,2月前10天,韓國半導體出口額達到67.3億美元,同比飆漲137.6%。
同日,三星電子首席技術官Song Jai-hyuk表示,內存強勁需求料持續到2027年。他還重點強調,三星公司的HBM4芯片顯示出「良好的」製造良率,客户對其性能表示非常滿意。
市場普遍預期,三星電子將在下周農曆新年假期后開始向英偉達發貨HBM4產品。
而此前一天,有消息稱,韓國SK集團會長崔泰源近期在美國與英偉達首席執行官黃仁勛會面。雙方就高帶寬內存(HBM)供應以及更廣泛的人工智能(AI)業務合作事宜進行了商討。
今年以來,Kospi指數已累計上漲近30%,背后驅動因素包括AI驅動的半導體超級周期以及政策改革重塑市場信心等。
韓國存儲芯片股追隨了隔夜美股存儲芯片板塊的走勢。周三,美股存儲概念板塊大漲,閃迪漲10.65%,美光科技漲9.94%,西部數據漲逾2%,希捷科技漲近3%。
上周,半導體行業研究機構SemiAnalysis發佈報告預計,英偉達Vera Rubin首年量產將主要採用韓國公司的HBM4,美光產品或被排除在外。
美光首席財務官 Mark Murphy 在周三舉行的一場會議上澄清稱,其HBM4已進入量產,整體進度好於此前預期,並開始供貨給客户。
摩根士丹利周三將美光科技目標價從350美元上調至450美元,同時維持對該股的"增持"評級,並預計2026年每股收益將達52美元。
大摩將其更為樂觀的展望歸因於持續上漲的DRAM價格和供應短缺。該行指出,今年DDR5價格大幅上漲,現貨價格較1月合約價格高出約130%。該行預計,由於2026年供應增長仍將受到限制,主流DRAM價格將進一步上漲。
此外,德意志銀行周二將美光的目標價從300美元上調至500美元,理由是存儲板塊供需動態有利。
德銀分析師Melissa Weathers稱,她預計動態隨機存取存儲器(DRAM)的供應緊張局面將持續至2027年乃至2028年——尤其是AI熱潮推動了市場對高帶寬內存(HBM)的需求激增。
Weathers還指出,與傳統DRAM相比,HBM的「硅密集度」大約高出三倍,這意味着它需要更多用於切割芯片的晶圓。她表示,這種高密集度「正引發一場我們認為尚未被充分理解的供應衝擊」。
與此同時,Weathers稱,新的DRAM晶圓廠至少需要兩年時間才能投產,而現有工廠目前的擴張能力有限,無法緩解需求壓力。