搶佔先機！三星電子預計本月下旬率先向英偉達交付HBM4

財聯社2月9日訊（編輯 周子意）三星電子或將於本月下旬開始向英偉達交付其高帶寬存儲芯片HBM4，這將標誌着全球首次HBM4大規模量產和出貨。

業內消息人士透露，三星電子已決定在即將到來的農曆新年假期（2月17日為農曆初一）之后開始向英偉達供應HBM4產品。

據相關官員稱，三星電子已完成英偉達HBM4的認證流程，並根據英偉達新的人工智能加速器（包括Vera Rubin平臺）的發佈計劃，確定了交付時間表。

英偉達預計將在即將舉行的GTC 2026大會上展示其下一代搭載三星HBM4的人工智能計算平臺Vera Rubin。該大會定於3月16日至19日舉行。

英偉達首席執行官黃仁勛在上個月的CES 2026展會上表示，Vera Rubin已全面投入生產，這使得人們期待該平臺將在2026年下半年推出。

領先行業標準

三星電子的HBM4在性能上實現了對行業標準的大幅超越，已超出行業標準機構聯合電子設備工程委員會（JEDEC）設定的標準，被選入用於英偉達下一代人工智能平臺。

在製造工藝上，三星在DRAM單元芯片上採用了1c工藝（第六代10納米級DRAM技術），而基板芯片則採用4納米代工廠工藝。

憑藉這一工藝組合，三星HBM4的數據處理速度達到11.7千兆比特每秒（Gbps），超出JEDEC標準8 Gbps約37%，較上一代HBM3E的9.6 Gbps快22%。單堆棧存儲帶寬達到3 TB/s，是上一代產品的2.4倍。採用12層堆疊技術可提供36 GB容量，未來若採用16層堆疊，容量可擴展至48 GB。

在這種背景下，三星與其主要競爭對手SK海力士之間在向英偉達供應HBM4芯片方面的競爭預計將會加劇。SK海力士的HBM4芯片採用的是該公司第五代1b DRAM工藝，並用臺積電12納米邏輯芯片晶圓製造工藝來生產基板芯片。

值得一提的是，三星此次量產時間表的落地，使三星在與SK海力士等競爭對手的角逐中佔得先機。行業消息人士稱，「三星電子擁有全球最大產能和最廣泛產品線，通過率先量產性能最高的HBM4證明了其技術競爭力。基於此，公司正處於引領市場的最有利位置。」

也有業內消息人士稱，SK海力士可能會提供更大的供應量，因為人們普遍認為其生產穩定性更高，而三星則希望通過性能優勢在市場中搶佔先機。